的解決方案
Leica EM RES102是一款的離子束研磨設(shè)備，帶有兩個(gè)鞍形場(chǎng)離子源，離子束能量可調(diào)，以獲得離子研磨結(jié)果。這一款獨(dú)立的桌面型設(shè)備集 TEM，SEM和LM樣品制備功能于一體，這與市面上其它設(shè)備截然不同。除了高能量離子研磨功能外，徠卡EM RES102還可 用于低能量極溫和的離子束研磨過程。
- TEM 樣品：
- 單面或雙面離子束研磨適用于材料的離子束減薄過程。鞍形場(chǎng)離子源可獲得很大的電子束透明薄區(qū)。
- 程序化控制的離子入射角度變化，適用于完成特殊的樣品制備目的，例如FIB樣品清潔，以減少無(wú)定形非晶層。
- SEM 或 LM 樣品：
- 離子束拋光拋光區(qū)域可達(dá)25mm。
- 離子束清潔適用于對(duì)樣品表面污染層或機(jī)械拋光后表面產(chǎn) 生的涂抹層進(jìn)行清潔。
- 樣品表面襯度增強(qiáng)作用，可替代化學(xué)刻蝕作用。
- 35°斜坡切割用于制備多層樣品的截面。
- 90°斜坡切割用于制備復(fù)合結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體樣品或組裝器件，這種方式所需的機(jī)械預(yù)加工工作最少。
為了支持多樣化的應(yīng)用需求，Leica EM RES102 可以裝配各種樣品臺(tái)以適用于TEM，SEM及LM 樣品制備。預(yù)抽室系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)樣品快速交換，從而可有效提高樣品交換效率 。
帶給您的好處
Leica EM RES102 可對(duì)樣品進(jìn)行離子束減薄，清潔，截面切割，拋光以及襯度增強(qiáng)，這極大滿足了您對(duì)應(yīng)用需求的多樣化和便利性。
- 操作簡(jiǎn)便
- 19”觸摸屏電腦控制單元，監(jiān)控并記錄制樣過程
- 內(nèi)置應(yīng)用參數(shù)庫(kù)
- 程序化制樣參數(shù)設(shè)定，加速初學(xué)者學(xué)習(xí)曲線
- 幫助文件幫助初學(xué)者以及對(duì)設(shè)備進(jìn)行維護(hù)
- 高效/節(jié)約成本
- TEM，SEM和LM應(yīng)用功能集于一體
- TEM樣品制備獲得的薄區(qū)大，有效提高了TEM樣品制備效率
- SEM樣品制備可達(dá)25mm樣品直徑
- 預(yù)抽室系統(tǒng)幫助快速交換樣品，減少等待時(shí)間，并保證了樣品室的持續(xù)高真空
- 局域網(wǎng)功能方便遠(yuǎn)程操控
- LN2樣品臺(tái)使得溫度敏感型樣品可在優(yōu)化條件下進(jìn)行離子研磨
- 安全
- 精確的自動(dòng)終止功能，適用于光學(xué)終止或透明樣品的法拉第杯終止
- 在制樣過程中可以時(shí)時(shí)存儲(chǔ)活圖像或視頻
- 離子源和樣品運(yùn)動(dòng)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，程序化控制，因而可獲得重復(fù)性制樣結(jié)果
主要功能
對(duì)無(wú)機(jī)薄片樣品進(jìn)行離子減薄，使得薄片樣品可被透射電子穿過，從而適宜TEM透射電子顯微鏡觀察；對(duì)無(wú)機(jī)塊狀樣品進(jìn)行離子束拋光、離子束刻蝕，樣品表面離子清洗及斜坡切割，便于SEM掃描電子顯微鏡觀察樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息。
優(yōu)異性價(jià)比
一臺(tái)設(shè)備即可為TEM、SEM、LM電鏡檢測(cè)提供試樣，多種應(yīng)用功能集于一體，高效并節(jié)約成本安全；所有機(jī)械控制、樣品移動(dòng)實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化，可獲得重復(fù)性制樣結(jié)果分段冷卻；對(duì)溫度敏感樣品得到充分保護(hù)，在優(yōu)化條件下進(jìn)行離子研磨，保持樣品的原生態(tài)操作簡(jiǎn)便；內(nèi)置應(yīng)用參數(shù)庫(kù)，幫助文件，無(wú)論是初學(xué)者還是后期維護(hù)都十分簡(jiǎn)單。
| 儀器參數(shù) | ||
|---|---|---|
| 離子源 | 離子槍 | 兩把鞍形場(chǎng)離子槍，離子研磨區(qū)域大 |
| 離子能量 | 0.8 kev 至 10 kev (0.1keV每步) | |
| 離子束流 | 4.5 mA （每把離子槍） | |
| 離子束流密度 | 8kV/3mA條件下約1mA/cm2（每把離子槍） | |
| 離子束半高寬FWHM | 10keV 條件下0.8mm，2keV 條件下2.5mm | |
| 使用氣體 | 氬氣 (Ar 5.0) 進(jìn)氣氣壓 500 mbar | |
| 氣體流速 | 每把離子槍小于1 sccm，自動(dòng)控制 | |
| 傾斜角度設(shè)定（電腦控制） | 離子槍1傾斜 | ± 45°（精確度為0.1°） |
| 離子槍2傾斜 | ± 45°（精確度為0.1°） | |
| 樣品臺(tái)傾斜范圍 | –230° 至 100°（精確度為0.1°） | |
| 離子研磨角度范圍 | –90° 至 90° (角度與不同樣品臺(tái)有關(guān)) | |
| 樣品移動(dòng)范圍（電腦控制） | 旋轉(zhuǎn)速率 | 0.6 至 10 rpm |
| 擺動(dòng)范圍 | 360°，每步1° | |
| 零位設(shè)置 | 每步1° | |
| X方向移動(dòng) | ±5mm，精確度0.1mm | |
| 傾斜范圍 | -230°至 100° | |
| 裝載樣品尺寸 | SEM樣品臺(tái)樣品尺寸 | Ø 25 mm × 12 mm |
| SEM樣品臺(tái)離子研磨區(qū)域 | Ø 25 mm | |
| TEM和FIB樣品臺(tái)樣品尺寸 | Ø 3 mm 或 Ø 2.3 mm | |
| SEM薄片樣品臺(tái)樣品尺寸 | 5 mm (H) × 7 mm (W) × 2 mm (D) | |
| SEM斜坡切割樣品臺(tái)樣品尺寸 | 5 mm (H) × 5 mm (W) × 3 mm (D) | |
| 冷凍裝置 （選配） | 自動(dòng)液氮制冷接觸裝置 | |
| 自動(dòng)加熱裝置避免潮濕污染樣品 | ||
| LN2 消耗量 約0.6L/h | ||
| 操作控制（用戶界面） | Windows 7操作系統(tǒng)，19英寸觸摸屏電腦控制 | |
| 具有局域網(wǎng)遠(yuǎn)程控制和監(jiān)視功能 | ||
| 內(nèi)置應(yīng)用程序庫(kù) | ||
| 可個(gè)性化修改和存儲(chǔ)離子研磨參數(shù)，單個(gè)程序使用或者組合程序序列 | ||
| 真空系統(tǒng) | 無(wú)油真空系統(tǒng)，＜1×10-5mbar，配置4段式隔膜泵和渦輪分子泵（70 L/s） | |
| 配置預(yù)抽真空室，樣品交換時(shí)間小于1分鐘 | ||
| 真空檢測(cè) | 全程范圍真空檢測(cè)，Pirani真空計(jì)檢測(cè)低真空，冷陰極檢測(cè)高真空 | |
| 觀察系統(tǒng) | 數(shù)字CMOS彩色攝像頭，帶自動(dòng)放大觀察功能，自動(dòng)光圈調(diào)整和自動(dòng)聚焦 | |
| 可實(shí)時(shí)存儲(chǔ)圖像和錄像 | ||
| 離子束感光功能（偽彩色圖像），用于精確調(diào)整離子槍對(duì)中 | ||
| 自動(dòng)終止離子束加工過程 | 通過時(shí)間終止 | |
| 對(duì)于不透明樣品的光學(xué)終止 | ||
| 對(duì)于不透明和透明樣品的法拉第杯終止（選配） | ||
| 電氣參數(shù) | 電壓 | 90至260 VAC, 50/60 Hz |
| 功率 | 400 W | |
