標(biāo)準(zhǔn)電極同軸Ge探測(cè)器特征
• 能量范圍從 40 keV 到 >10 MeV
• 高分辨率 - 良好的峰形
• 出色的定時(shí)分辨率
• 高能量率能力
• 配備智能前置放大器
• 二極管場(chǎng)效應(yīng)管保護(hù)
• 預(yù)熱/高壓關(guān)斷
• USB 2.0 串行接口
標(biāo)準(zhǔn)電極同軸Ge探測(cè)器描述
傳統(tǒng)的同軸鍺探測(cè)器通常被稱為Pure Ge,HPGe,Intrinsic Ge或Hyperpure Ge。無論使用何種,探測(cè)器基本上是一個(gè)鍺圓柱體,外表面有n型觸點(diǎn),軸向井表面有p型觸點(diǎn)。鍺的凈雜質(zhì)水平約為1010原子/cc使得在適度反向偏置的情況下,電極之間的整個(gè)體積被耗盡,并且電場(chǎng)延伸到這個(gè)活動(dòng)區(qū)域。該區(qū)域內(nèi)的光子相互作用產(chǎn)生電荷載流子,電場(chǎng)將其掃過到其收集電極,其中電荷敏感的前置放大器將此電荷轉(zhuǎn)換為與沉積在檢測(cè)器中的能量成比例的電壓脈沖。
n和p觸點(diǎn)或電極通常分別是擴(kuò)散鋰和植入硼。外部n型擴(kuò)散鋰觸點(diǎn)約0.5 mm厚。內(nèi)部接觸約0.3μm厚。表面屏障可以代替植入的硼,并具有相同的結(jié)果。
Mirion同軸Ge探測(cè)器可以在不冷卻的情況下運(yùn)輸和儲(chǔ)存。但是,保持探測(cè)器冷藏可以地保持長(zhǎng)期穩(wěn)定性。像所有鍺探測(cè)器一樣,在使用時(shí)必須冷卻它,以避免過多的熱產(chǎn)生泄漏電流。該探測(cè)器的不易腐爛特性拓寬了Ge光譜儀的應(yīng)用范圍,包括便攜式光譜儀的現(xiàn)場(chǎng)使用。
同軸Ge探測(cè)器的有用能量范圍為40 keV至10 MeV以上。分辨率和峰值形狀非常出色,并且具有廣泛的效率范圍。下表列出了可用型號(hào)的列表。
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