超低能鍺探測(cè)器特征
• 光譜從 300 eV 到 300 keV
• 與硅(Li)和SDD相比效率高
• 出色的分辨率,高達(dá)非常高的計(jì)數(shù)率
• 高峰值/背景比
超低能鍺探測(cè)器描述
Mirion Ultra-LEGe探測(cè)器將Ge探測(cè)器的性能范圍擴(kuò)展到幾百電子伏特,提供曾經(jīng)被認(rèn)為半導(dǎo)體探測(cè)器無法實(shí)現(xiàn)的分辨率和峰背景比。Ultra-LEGe保留了鍺探測(cè)器固有的高能效,因?yàn)樵有驍?shù)(Z)很高,厚度相對(duì)較高(5-10毫米),因此涵蓋了極寬的能量范圍。下圖2中的圖表將5 mm厚鍺探測(cè)器的X射線光譜高能側(cè)的效率與典型的硅基探測(cè)器進(jìn)行了比較。
傳統(tǒng)的Ge探測(cè)器,包括那些專門為低能量制造的探測(cè)器,在低于3 keV時(shí),峰值形狀和效率都很差。這種特性一度被認(rèn)為是Ge的基礎(chǔ),因此禁止在大多數(shù)分析X射線應(yīng)用中使用Ge探測(cè)器。Mirion開發(fā)了探測(cè)器制造技術(shù),消除了這些問題。由此產(chǎn)生的探測(cè)器,Ultra-LEGe單元,提供鍺的固有效率和分辨率優(yōu)勢(shì),而沒有傳統(tǒng)鍺探測(cè)器的缺點(diǎn)。
超低能鍺探測(cè)器應(yīng)用
• 6R?
• XAS (XAFS, EXAFS, XANES)
• X射線光譜
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