臺(tái)達(dá)伺服驅(qū)動(dòng)器赤壁維修
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單晶硅爐的工藝流程簡(jiǎn)介、技術(shù)需求及方案的分析
2-1、單晶硅爐的工藝流程簡(jiǎn)介
單晶硅爐爐的組成組件可分成四部分
(1)爐體:包括石英坩堝,石墨坩堝,加熱及絕熱組件,爐壁
(2)晶棒及坩堝拉升旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu):包括籽晶夾頭,吊線及拉升旋轉(zhuǎn)組件
(3)氣氛壓力控制:包括氣體流量控制,真空系統(tǒng)及壓力控制閥
(4)控制系統(tǒng):包括偵測(cè)感應(yīng)器及電腦控制系統(tǒng)
加工工藝:
加料→熔化→縮頸生長(zhǎng)→放肩生長(zhǎng)→等徑生長(zhǎng)→尾部生長(zhǎng)
(1)加料:將多晶硅原料及雜質(zhì)放入石英坩堝內(nèi),雜質(zhì)的種類依電阻的N或P型而定。雜質(zhì)種類有硼,磷,銻,砷。
(2)熔化:加完多晶硅原料于石英堝內(nèi)后,長(zhǎng)晶爐必須關(guān)閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內(nèi),然后打開石墨加熱器電源,加熱至熔化溫度(1420℃)以上,將多晶硅原料熔化。
(3)縮頸生長(zhǎng):當(dāng)硅熔體的溫度穩(wěn)定之后,將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由于籽晶與硅熔體場(chǎng)接觸時(shí)的熱應(yīng)力,會(huì)使籽晶產(chǎn)生位錯(cuò),這些位錯(cuò)必須利用縮勁生長(zhǎng)使之消失掉??s頸生長(zhǎng)是將籽晶快速向上提升,使長(zhǎng)出的籽晶的直徑縮小到一定大小(4-6mm)由于位錯(cuò)線與生長(zhǎng)軸成一個(gè)交角,只要縮頸夠長(zhǎng),位錯(cuò)便能長(zhǎng)出晶體表面,產(chǎn)生零位錯(cuò)的晶體。
(4)放肩生長(zhǎng):長(zhǎng)完之后,須降低溫度與拉速,使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。
(5)等徑生長(zhǎng):長(zhǎng)完和肩部之后,借著拉速與溫度的不斷調(diào)整,可使晶棒直徑維持在正負(fù)2mm之間,這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶硅片取自于等徑部分。
(6)尾部生長(zhǎng):在長(zhǎng)完等徑部分之后,如果立刻將晶棒與液面分開,那么效應(yīng)力將使得晶棒出現(xiàn)位錯(cuò)與滑移線。于是為了避免此問(wèn)題的發(fā)生,必須將晶棒的直徑慢慢縮小,直到成一尖點(diǎn)而與液面分開。這一過(guò)程稱之為尾部生長(zhǎng)。長(zhǎng)完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時(shí)間后取出,即完成一次生長(zhǎng)周期。
2-2、技術(shù)需求和方案分析
單晶硅爐上面共需要四個(gè)軸驅(qū)動(dòng),其中2個(gè)使用的是伺服控制系統(tǒng),另外2個(gè)使用的是直流驅(qū)動(dòng)裝置實(shí)現(xiàn);該設(shè)備根據(jù)工藝需要,設(shè)備分為爐架、主爐室、副室、提拉旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),下隨動(dòng)機(jī)構(gòu)及液壓提升機(jī)構(gòu)、真空及氣路系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)、電加熱和運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)及計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)等諸多機(jī)構(gòu)。通過(guò)系統(tǒng)優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)高科技產(chǎn)品的集成。其次設(shè)備采用了許多較新的機(jī)構(gòu)。如上提拉旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),通過(guò)花鍵軸配繞絲輪結(jié)合電刷環(huán),在很小的體積上實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定提拉和旋轉(zhuǎn),滿足工藝需求且降低了設(shè)備高度,再有下隨動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)備采用精密滾珠絲杠配合坩堝的磁流體密封,運(yùn)動(dòng)保持部件置于真空室外,實(shí)現(xiàn)精密運(yùn)動(dòng)與真空密封的結(jié)合,使用穩(wěn)定可靠,還有液壓提升機(jī)構(gòu)對(duì)副室翻板閥的保持采用無(wú)自鎖,爐內(nèi)有漏硅等壓力驟增的緊急情況可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)泄壓提高了設(shè)備的安全可靠性等等。在電器控制上設(shè)備采用可編程操作,代替了傳統(tǒng)的邏輯編程繼電器。電器控制系統(tǒng)由國(guó)產(chǎn)機(jī)大多采用的單片機(jī),提升到IRCON和CCD工控自動(dòng)化控制三個(gè)類型,提高了設(shè)備的自動(dòng)化控制水平。