MLA100 無掩模光刻
以實惠的價格，重點是高性能設計，MLA100是許多研發(fā)應用的光刻方案。該光學系統(tǒng)被設計以50平方毫米/分鐘直接進入光致抗蝕劑的速度來寫結構下降到1微米，而無需光掩模。光掩模從光刻工藝中消除會增加靈活性和顯著縮短成型或制造周期。該MLA100由曝光向導（GUI）控制，這通過完整的程序引導操作員來操作：加載基底，選擇設計和開始曝光。隨著60x1875px2的足跡MLA100的設計，以適應甚至到較小的研發(fā)實驗室，并且只需要為操作提供電源和壓縮空氣。
MLA100的應用領域包括生命科學，微機電系統(tǒng)，微光學，半導體，傳感器，執(zhí)行器，微光機電系統(tǒng)，材料研究，納米管，石墨烯，這任何一項應用都需要微光顯示結構。
主要特征：
寫速度 50mm^2/min
最小基板尺寸 6”x 6”
曝光區(qū)域 100×100mm^2
最小結構 1um
高功率LED光源
SLM基于光引擎
多種數據輸入格式
基本灰度曝光模式
對準攝像系統(tǒng)
實時自動對焦
優(yōu)化的曝光向導
