CDE ResMap 四點探針 ResMap 273
CDE ResMap–CDE 公司生產(chǎn)之電阻值測試系統(tǒng)是以四探針的工藝，以配合各半導(dǎo)體成光伏生產(chǎn)廠家進出之生產(chǎn)品質(zhì)監(jiān)控，既超卓可靠又簡易操作的設(shè)備是半導(dǎo)體及光伏生產(chǎn)廠家*的
CDE ResMap Model 273
Resmap 273
在178型的技術(shù)基礎(chǔ)上，ResMap273是半導(dǎo)體行業(yè)30毫米桌面四點探針儀。273型擴展了ResMap原來一些產(chǎn)品的性能，實現(xiàn)了300毫米的技術(shù)進步和大型襯底膜特征。外形小巧，堅固耐用，ResMap創(chuàng)造了同等的準確性和可重復(fù)性。
晶片傳送 | 手動加載 | 電腦系統(tǒng) | 奔騰系列；windows XP家用（不帶顯示） | |
晶片尺寸 | 2” - 12” | |||
SECS-II 選項 | 有 | |||
直徑 | 12.2” | |||
映照模式 | 極投影地圖 （對準缺口/平形，跨越，或者持平）;矩形圖（選擇內(nèi)側(cè)邊緣排除）;線掃描（直徑，半徑或沿直徑任意點，最小步進0.1毫米點），用戶自定義（模板） | |||
面積 | 8.6” x 8.6” | |||
典型測量時間 | 每site1秒 | |||
平面圖 | 等高線（間距選擇，1/3σ，固定和自動％），3D，線，數(shù)據(jù)圖，直方圖，數(shù)據(jù)序列，徑向和角分布，趨勢圖的不同模式可供選擇 | |||
輸出 | 每個晶片1分（29sites） | |||
測量范圍 | 2 mΩ/? - 5 MΩ/? （可以優(yōu)化為1 mΩ/?） | |||
重復(fù)率 (1σ, 典型): | ≤ ±0.02% （靜態(tài)或Rs） ≤ ±0.02%（動態(tài)附近點） | |||
數(shù)據(jù) | 所有ResMap數(shù)據(jù)文件可以復(fù)制到如Excel®進行進一步的分析。 | |||
準確度 | ≤ ±0.5%采用NIST可追溯性ResCal標準
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周邊除外范圍 | 1.5毫米（探針中心到膜邊緣距離）
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設(shè)備 | |
吸塵系統(tǒng)： | 不要求真空 |
交流功率： | 100V to 240V < 10 KVA |
尺寸（英尺）： 寬*深*高 | 15” w x 18”d x 10”h; 桌面（不包括桌面） |
2. 驗收測試方法
· 精確度：
精確度測量方法：用標準片標定后，連續(xù)測試標準片5次，取平均值與標準值對比。
· 重復(fù)精度：
用標準片標定后，連續(xù)測試樣品同一點5次，按如下公式計算：(Max-Min) /（Max+Min）（%）。
· 穩(wěn)定度：
用標準片標定后，對同一樣品的同一個點，依次在 1秒，30秒，1分鐘，5分鐘，15分鐘，30分鐘，45分鐘，1小時測量，按如下公式計算：(Max-Min) /（Max+Min）（%）。
光伏測試專用美國ResMap四點探針
CDE ResMap的特點如簡述如下: * 高速穩(wěn)定及自動決定范圍量測與傳送,THROUGHPUT高 * 數(shù)字方式及每點高達4000筆數(shù)據(jù)搜集,表現(xiàn)良好重復(fù)性及再現(xiàn)性 * Windows 操作接口及軟件操作簡單 * 新制程表現(xiàn)佳(銅制程低電阻率1.67mΩ-cm及Implant高電阻2KΩ/□以上,皆可達成高精確度及重復(fù)性) * 體積小,占無塵室面積少 * 校正簡單,且校正周期長 * 可配合客戶需求,增強功能與適用性 * 300mm 機種可以裝2~4個量測頭,并且
可以Recipe設(shè)定更換。
CDE ResMap–CDE 公司生產(chǎn)之電阻值測試系統(tǒng)是以四探針的工藝，以配合各半導(dǎo)體成光伏生產(chǎn)廠家進出之生產(chǎn)品質(zhì)監(jiān)控，超卓可靠又簡易操作的設(shè)備是半導(dǎo)體及光伏生產(chǎn)廠家*的。
