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儀表網>產品庫>專用儀表>其它行業(yè)>電子檢測儀器/半導體檢測儀器>分立器件測試儀MOSFET動態(tài)參數測試

ST-AC1200_X 分立器件測試儀MOSFET動態(tài)參數測試

參考價
￥599.00
具體成交價以合同協議為準
規(guī)格
  • ST-AC1200_X599.00元99 臺 可售
  • 型號ST-AC1200_X
  • 品牌其他品牌
  • 所在地西安市
  • 更新時間2023-11-10
  • 廠商性質生產廠家
  • 入駐年限第1年
  • 實名認證已認證
  • 產品數量32
  • 人氣值6523
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公司簡介：西安天光測控技術有限公司 是一家專業(yè)從事 半導體功率器件測試設備 研發(fā)、生產、銷售的*。產品有半導體分立器件測試篩選系統(tǒng)。Si , SiC , GaN 材料的 IPM , IGBT , MOS , DIODE , BJT , SCR的電參數及可靠性和老化測試。靜態(tài)單脈沖（包括導通、關斷、擊穿、漏電、增益等直流參數）動態(tài)雙脈沖（包括Turn_ON_L, Turn_OFF_L , FRD , Qg）Rg , UIS , SC , C, RBSOA 等。環(huán)境老化測試（包括 HTRB , HTGB , H3TRB , Surge 等）熱特性測試（包括 PC , TC , Rth , Zth , Kcurve 等）各類全系列測試設備。廣泛應用于半導體器件上游產業(yè)（設計、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板）和下游產業(yè)（院所高校、電子廠、軌道機車、新能源汽車、白色家電等元器件的應用端產業(yè)鏈）




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產地國產 加工定制是
分立器件測試儀MOSFET動態(tài)參數測試
用于測試器件級的 Diode,IGBT,MOSFET動態(tài)交流參數
1200V/100A，短路電流2500A
替代ITC57300，多項功能及指標優(yōu)于ITC57300
分立器件測試儀MOSFET動態(tài)參數測試 產品詳情

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分立器件測試儀MOSFET動態(tài)參數測試

用于測試器件級的 Diode,IGBT,MOSFET動態(tài)交流參數

1200V/100A，短路電流2500A


替代ITC57300，多項功能及指標優(yōu)于ITC57300

歡迎垂詢：Tel:173 -4295 -2894




? 技術規(guī)格

基礎能力

  1. *大輸出能力：電壓1200V電流200A

  2. *小時間測量值：0.1ns

  3. Windows系統(tǒng)的控制計算機水印簽字*西安天光測控*水印簽字

  4. LabVIEW軟件界面水印簽字*西安天光測控*水印簽字

物理規(guī)格

  1. 單機尺寸：800×800×1800mm水印簽字*西安天光測控*水印簽

  2. 質 量：165千克  水印簽字*西安天光測控*水印簽字

  3. 系統(tǒng)功耗：200w

ST-AC1200_S_R
開關時間（阻性）測試單元
美軍標750
方法為3472

  1. 脈寬：0.1us~100us步進0.1µs

  2. 柵極電壓：0~20V，分辨率0.1V

  3. 柵極電流*大10A水印簽字*西安天光測控*水印簽字

  4. 漏極電流*大75A（支持擴展200A、500A）

  5. 占空比小于0.1%水印簽字*西安天光測控*水印簽字

  6. VDD/漏極電壓  5V~100 V分辨率0.1V

                                100 V~1200V分辨率1.0V
ST-AC1200_D
反向恢復特性測試單元
美軍標750
方法3473

  1. IF/正向電流：0.1~50A@0.1A分辨率

                            50~200A@0.5A分辨率

  1. di/dt/反向電流斜率：25-600A/uS  1.0A/ns Steps

  2. VR/反向電壓：20~1200V

  3. IRM/反向電流：總正向和反向*大電流200A以內。

  4. 占空比：＜1.0%水印簽字*西安天光測控*水印簽字

  5. TRR/反向恢復時間范圍：1ns~2us

  6. VDD/漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps

                               100V~1200 V，1.0V Steps

  1. Qrr/反向恢復電荷：0.1nC~100uC

ST-AC1200_Q
柵電荷測試單元    
美軍標750，
方法3471

  1. 柵極電流：0~10mA@10uA分辨率

  2. 柵級電壓：0~20V@0.1V分辨率

  3. 漏極電流（固態(tài)負載）：1~25A@0.1A分辨率

  4. 分辨率水印簽字*西安天光測控*水印簽字

  5. 漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps

                        100V~1200 V，1.0V Steps
ST-AC1200_S_L
開關時間（感性）測試單元
美軍標750，
方法3477

  1. 漏極電流：1.0~50A@0.2A分辨率

  2. 分辨率水印簽字*西安天光測控*水印簽字

  3. 電感：0.1mH至159.9mH（外掛）

  4. 柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率

  5. 漏極電壓：5V~100V，0.1V Steps

  6. ，1.0V Steps

ST-AC1200_S
短路特性測試單元
美軍標750，
方法3479

  1. *大電流：標配200A（選配1000A）

  2. 脈寬：1us~100us

  3. 柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率

  4. 漏極電壓5V~100V，0.1V Steps

100V~1200 V，1.0V Steps
ST-AC1200_RC
柵電阻結電容測試單元
JEDEC Std
JESD24-11

  1. Rg/柵電阻：0.1~100Ω水印簽字*西安天光測控*水印簽字

  2. 結電容參數：Ciss，Coss，Crss

  3. 漏極偏置電壓：1200V*大

  4. 柵極偏置電壓：0~20V@0.1V分辨率

  5. 頻率：標配0.1MHZ~1MHZ

電網環(huán)境

  1. AC220V±10%，50Hz±1Hz。水印簽字*西安天光測控*水印簽字


主要用于測試二極管、IGBT、MOS動態(tài)特性參數，產品功能指標對標ITC57300,對標資料如下。

資料說明：

  • 對比內容：半導體分立器件動態(tài)參數測試系統(tǒng)

  • 對比廠商：美國ITC公司（下文簡稱ITC）、西安天光測控技術有限公司（下文簡稱西安天光）

  • 對比型號：ITC/ITC57300、西安天光/ST-AC1200_X

  MOSFET動態(tài)參數測試儀 以ITC57300作為參考標準，西安天光的產品資料中“藍色字體”為西安天光的減分項（指標低于ITC57300），“紅色字體”為西安天光的加分項（指標高于ITC57300），“黑色字體”表示雙方指標*。

美國ITC公司
ITC57300		西安天光測控技術有限公司
ST-AC1200_X
基礎能力

  1. *大輸出能力：電壓1200V電流200A

  2. *小時間測量值：1.0ns

  3. Windows系統(tǒng)的控制計算機

  4. LabVIEW軟件界面

  5. 水印簽字*西安天光測控*水印簽字

物理規(guī)格

  1. 高=76英寸

  2. 寬=44英寸(包括顯示器和鍵盤)

  3. 深=50英寸(包括接收器)

  4. 重=550磅

ITC57210開關時間（阻性）
測試單元		美軍標750
方法為3472

  1. 脈寬：0.1µs~10µs 步進0.1µs

  2. 柵極電壓±20V分辨率0.1V

  3. 柵極電流*大1.0A

  4. 漏極電流*大200A

  5. 占空比小于0.1%

  6. VDD/漏極電壓  5V~100 V分辨率0.1V

         100 V~1200V分辨率1.0V
水印簽字*西安天光測控*水印簽字
ITC57220反向恢復
特性測試單元		美軍標750
方法3473

  1. IF/正向電流：ITC5722B：1.0~50A@0.2A分辨率

  2. 分辨率

  3. di/dt/反向電流斜率：25-600A/uS  1.0A/ns Steps

  4. VR/反向電壓：20~1200V

  5. IRM/反向電流：總正向和反向*大電流200A以內。

  6. 占空比：＜1.0%

  7. TRR/反向恢復時間范圍：10ns~2.0us

  8. VDD/漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps

100V~1200 V，1.0V Steps

  1. Qrr/反向恢復電荷：1nc~100uC

  2. 水印簽字*西安天光測控*水印簽字

ITC57230柵電荷
測試單元		美軍標750
方法3471

  1. 柵極電流：低0~2.0mA@0.01mA分辨率

中2.0~20.0mA@0.1mA分辨率

  • 20.0~200.0 mA@1.0mA分辨率

  1. 柵電壓范圍：±20V@±0.1V分辨率

  2. 漏極電流（固態(tài)負載）：1~25A@0.1A分辨率

  3. 分辨率

  4. 漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps

100V~1200 V，1.0V Steps
水印簽字*西安天光測控*水印簽字
ITC57240開關時間（感性）
測試單元		美軍標750
方法3477

  1. 漏極電流：1.0~50A@0.2A分辨率

  2. 分辨率

  3. 電感：0.1mH至159.9mH

  4. 柵極電壓：±20V@0.1V分辨率

  5. 漏極電壓：5V~100V，0.1V Steps

  6. ，1.0V Steps

  7. 水印簽字*西安天光測控*水印簽字

ITC57250短路特性
測試單元		美軍標750
方法3479

  1. *大電流：1000A

  2. 脈寬：1us~100us

  3. 柵驅電壓：±20V@0.1V分辨率

  4. 漏極電壓5V~100V，0.1V Steps

100V~1200 V，1.0V Steps
水印簽字*西安天光測控*水印簽字
ITC57260柵電阻結電容
測試單元		JEDEC Std

JESD24-11

  1. Rg/柵電阻：0.1~50mΩ

  2. 結電容參數：Ciss，Coss，Crss

  3. 漏極偏置電壓：1200V*大

  4. 柵極偏置電壓：±20V

  5. 頻率：0.1MHZ~4MHZ

電網環(huán)境

  1. 220V 50~60 Hz單相  可選擇240V

  2. 220V/12A  20A  30A

  3. 水印簽字*西安天光測控*水印簽字

基礎能力

  1. *大輸出能力：電壓1200V電流200A

  2. *小時間測量值：0.1ns

  3. Windows系統(tǒng)的控制計算機

  4. LabVIEW軟件界面

  5. 水印簽字*西安天光測控*水印簽字

物理規(guī)格

  1. 單機尺寸：800×800×1800mm

  2. 質 量：165kg

  3. 系統(tǒng)功耗：200w

ST-AC1200_S_R
開關時間（阻性）測試單元        
美軍標750
方法為3472

  1. 脈寬：0.1us~100us步進0.1µs

  2. 柵極電壓：0~20V，分辨率0.1V

  3. 柵極電流*大10A

  4. 漏極電流*大75A（支持擴展200A、500A）

  5. 占空比小于0.1%

  6. VDD/漏極電壓  5V~100 V分辨率0.1V

              100 V~1200V分辨率1.0V
水印簽字*西安天光測控*水印簽字
ST-AC1200_D
反向恢復特性測試單元      
美軍標750
方法3473

  1. IF/正向電流：0.1~50A@0.1A分辨率

50~200A@0.5A分辨率

  1. di/dt/反向電流斜率：25-600A/uS  1.0A/ns Steps

  2. VR/反向電壓：20~1200V

  3. IRM/反向電流：總正向和反向*大電流200A以內。

  4. 占空比：＜1.0%

  5. TRR/反向恢復時間范圍：1ns~2us

  6. VDD/漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps

100V~1200 V，1.0V Steps

  1. Qrr/反向恢復電荷：0.1nC~100uC

  2. 水印簽字*西安天光測控*水印簽字

ST-AC1200_Q
柵電荷測試單元  
美軍標750，
方法3471

  1. 柵極電流：0~10mA@10uA分辨率

  2. 柵級電壓：0~20V@0.1V分辨率

  3. 漏極電流（固態(tài)負載）：1~25A@0.1A分辨率水印簽字*西安天光測控*水印簽字

  4. 漏極電壓：5V~100 V，0.1V Steps

100V~1200 V，1.0V Steps
ST-AC1200_S_L
開關時間（感性）測試單元
美軍標750，
方法3477

  1. 漏極電流：1.0~50A@0.2A分辨率

  2. 分辨率

  3. 電感：0.1mH至159.9mH（外掛）

  4. 柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率

  5. 漏極電壓：5V~100V，0.1V Steps

  6. ，1.0V Steps

  7. 水印簽字*西安天光測控*水印簽字

ST-AC1200_S
短路特性測試單元
美軍標750，
方法3479

  1. *大電流：標配200A（選配1000A）

  2. 脈寬：1us~100us

  3. 柵極電壓：0~20V@0.1V分辨率

  4. 漏極電壓5V~100V，0.1V Steps

100V~1200 V，1.0V Steps
水印簽字*西安天光測控*水印簽字
ST-AC1200_RC
柵電阻結電容測試單元      

JEDEC Std

JESD24-11

  1. Rg/柵電阻：0.1~100Ω

  2. 結電容參數：Ciss，Coss，Crss

  3. 漏極偏置電壓：1200V*大

  4. 柵極偏置電壓：0~20V@0.1V分辨率

  5. 頻率：標配0.1MHZ~1MHZ（￥3W）

  6. 0.1MHZ~4MHZ（￥15W）

水印簽字*西安天光測控*水印簽字
電網環(huán)境

  1. AC220V±10%，50Hz±1Hz。



其它測試功能（加分項）

  • 雪崩特性測試單元

  • EAS

  • IAS

  • PAS

  • di/dt測試單元

  • dv/dt測試單元

  • 靜態(tài)參數測試單元（可測試IGBT、MOSFET、二極管的靜態(tài)直流參數）

  • 安全工作區(qū)/RBSOA

  • 熱阻（包括穩(wěn)態(tài)熱阻和瞬態(tài)熱阻）






產品系列

晶體管圖示儀

半導體分立器件測試篩選系統(tǒng)

靜態(tài)參數（包括 IGEs / VGE(th) / VCEsat / VF / ICEs / VCEs等）

動態(tài)參數（包括 Turn_ON&OFF_L / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA等）

環(huán)境老化（包括 HTRB / HTGB / H3TRB / Surge等）

熱特性（包括 PC / TC / Rth / Zth / Kcurve等）

可測試 Si / SiC / GaN 材料的  IGBTs  /  MOSFETs  /  DIODEs  /  BJTs  /  SCRs等功率器件












關鍵詞：標準 顯示器
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