PXAC200902FC 射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管

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具體成交價以合同協(xié)議為準

型號PXAC200902FC
品牌
所在地深圳市
更新時間2019-09-05

深圳市星際金華實業(yè)有限公司

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所在地區(qū)深圳市
實名認證已認證
產(chǎn)品數(shù)量198
人氣值4795

產(chǎn)品標簽

射頻場效應(yīng)晶體管

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星際金華大量現(xiàn)貨供應(yīng)PXAC200902FC射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，PXAC200902FC是一款90W LDMOS FET，具有非對稱性旨在用于多標準蜂窩功率放大器的設(shè)備1805至2170 MHz頻段的應(yīng)用。功能包括雙路設(shè)計，輸入和輸出匹配，高增益和熱 -帶有無耳法蘭的增強型推拉式包裝。

射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管產(chǎn)品詳情

星際金華大量現(xiàn)貨供應(yīng)PXAC200902FC射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，*，價格低廉！

深圳市星際金華出售PXAC200902FC射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，質(zhì)量有保證，歡迎選購！

特征
寬帶內(nèi)部輸入和輸出匹配
AsymmetricDohertydesign
-主要：P1dB = 35 W Typ
- 峰值：P1dB = 55 W Typ
典型的CW性能，1920 MHz，26 V，
- 輸出功率P 1dB = 50 W.
- 效率= 58％
- 增益= 16.6 dB
能夠處理10：1 VSWR @ 28 V，90 W（CW）
輸出功率
集成ESD保護
ESD等級：人體模型，1C級（每個ANSI / ESDA / JEDEC JS-001）
低熱阻
無鉛且符合RoHS標準

產(chǎn)品屬性
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: 射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管
RoHS: 詳細信息
晶體管極性: Dual N-Channel
技術(shù): Si
Vds-漏源極擊穿電壓: 65 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 220 mOhms
增益: 17.2 dB
輸出功率: 90 W
大工作溫度: + 225 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: H-37248-4
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
工作頻率: 1805 MHz to 2170 MHz
類型: RF Power MOSFET
商標: Infineon
通道數(shù)量: 2 Channel
產(chǎn)品類型: RF MOSFET Transistors
工廠包裝數(shù)量: 250
子類別: MOSFETs
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

產(chǎn)品說明

PXAC200902FC是一款90瓦LDMOS FET，具有非對稱性旨在用于多標準蜂窩功率放大器的設(shè)備1805至2170 MHz頻段的應(yīng)用。功能包括雙路設(shè)計，輸入和輸出匹配，高增益和熱 -帶有無耳法蘭的增強型推拉式包裝。

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