星际金华原装供应CAV25M01VE/NVGS3443T1GEEPROM存储器/P沟道场效应晶体管，量大价优，质量有保证，现货出售可提供样品。
深圳市星际金华提供CAV25M01VE/NVGS3443T1GEEPROM存储器/P沟道场效应晶体管 因市场价格变动幅度较大 实际交易请致电询问
CAV25M01VE EEPROM存储器
存储器类型 非易失
存储器格式 EEPROM
技术 EEPROM
存储容量 1Mb （128K x 8）
存储器接口 SPI
时钟频率 10MHz
写周期时间 - 字，页 5ms
电压 - 电源 2.5V ~ 5.5V
工作温度 -40°C ~ 125°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOIC
NVGS3443T1G P沟道场效应晶体管
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 65 毫欧 @ 4.4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 15nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 565pF @ 5V
FET 功能 -
功率耗散（大值） -
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-TSOP
封装/外壳 SOT-23-6
