星際金華原裝現(xiàn)貨新品推出東芝 SSM3K35CTC N溝道小信號(hào)場效應(yīng)晶體管

深圳市星際金華供應(yīng)SSM3K35CTC N溝道小信號(hào)場效應(yīng)晶體管    價(jià)格實(shí)惠  現(xiàn)貨營銷  歡迎選購

批號(hào) 1815+  型號(hào) SSM3K35CTC   品牌 TOSHIBA   封裝 CST3C

介紹：東芝SSM3K35CTC是一款U-MOS VI小信號(hào)MOSFET提供許多不同類型移動(dòng)設(shè)備所需的各種柵極驅(qū)動(dòng)電壓。它們提供單通道，雙通道，n通道，p通道和各種電壓版本，為設(shè)計(jì)工程師提供了多種選擇。每個(gè)都需要支持低電壓和低R DS（on）要求的高電流充電。這些緊湊的封裝和低電壓操作使其成為智能手機(jī)和游戲機(jī)中高密度封裝要求的理想解決方案。

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

制造商零件編號(hào) SSM3K35CTC,L3F

描述 MOSFET N-CH 20V 0.18A

?濕氣敏感性等級(jí) （MSL） 1（無限）

原廠標(biāo)準(zhǔn)交貨期 52 周

詳細(xì)描述 表面貼裝-N-溝道-20V-250mA（Ta）-500mW（Ta）-CST3C

規(guī)格

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 250mA（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（大 Rds On，小 Rds On） 1.2V，4.5V

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（大值） 1.1 歐姆 @ 150mA，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（大值） 1V @ 100µA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（大值） .34nC @ 4.5V

Vgs（大值） ±10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（大值） 36pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（大值） 500mW（Ta）

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 CST3C

封裝/外殼 SC-101，SOT-883

特征

1.2,1.5,1.8和4.5V柵極驅(qū)動(dòng)電壓

漏極 - 源極導(dǎo)通電阻低

應(yīng)用

電源管理開關(guān)

DC-DC轉(zhuǎn)換器

高速開關(guān)

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