深圳市星際金華實(shí)業(yè)有限公司原裝供應(yīng)W632GG6KB-12動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，現(xiàn)貨營銷，價格低廉，質(zhì)量有保證，**，下單前請先與客服人員聯(lián)系?。?！

產(chǎn)品信息

品牌：華邦

型號：W632GG6KB-12

類型：動態(tài)隨機(jī)存取存儲器

批號：18+

規(guī)格

存儲器類型 易失

存儲器格式 DRAM

技術(shù) SDRAM - DDR3

存儲容量 2Gb （128M x 16）

時鐘頻率 800MHz

寫周期時間 - 字，頁 -

訪問時間 20ns

存儲器接口 并聯(lián)

電壓 - 電源 1.425V ~ 1.575V

工作溫度 0°C ~ 95°C（TC）

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 96-TFBGA

供應(yīng)商器件封裝 96-WBGA（9x13）

一般說明
W632GG6KB是一款2G位DDR3 SDRAM，分為16,777,216字?8個銀行?16位。該器件可實(shí)現(xiàn)高達(dá)1866 Mb / sec / pin（DDR3-1866）的高速傳輸速率應(yīng)用。W632GG6KB分為以下速度等級：-11，-12,12I，-15和15I。-11速度等級符合DDR3-1866（13-13-13）規(guī)范。-12和12I速度牌號符合DDR3-1600（11-11-11）規(guī)范（12I工業(yè)級，即保證支持-40°C≤? CASE ≤95℃）。-15和15I速度等級符合DDR3-1333（9-9-9）規(guī)格（15I工業(yè)級，保證支持-40°C≤T CASE≤95°C）。
W632GG6KB旨在符合以下關(guān)鍵DDR3 SDRAM功能，例如發(fā)布CAS＃，可編程CAS＃寫延遲（CWL），ZQ校準(zhǔn)，芯片終端和異步復(fù)位。所有控制和地址輸入都與一對外部同步提供差分時鐘。輸入被鎖存在差分時鐘的交叉點(diǎn)（CK上升和下降）CK＃下降）。所有I / O都與源同步中的差分DQS-DQS＃對同步時尚。

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