TDK貼片電容的優(yōu)點(diǎn)

1.利用貼片陶瓷電容器介質(zhì)層的薄層化和多層疊層技術(shù)，使電容值大為擴(kuò)大

2.單片結(jié)構(gòu)保證有的機(jī)械性強(qiáng)度及可靠性

3.*的精確度，在進(jìn)行自動(dòng)裝配時(shí)有高度的準(zhǔn)確性

4.因僅有陶瓷和金屬構(gòu)成，故即便在高溫，低溫環(huán)境下亦無(wú)漸衰的現(xiàn)象出現(xiàn)，具有較強(qiáng)可靠性與穩(wěn)定性

5.低集散電容的特性可完成接近理論值的電路設(shè)計(jì)

6.殘留誘導(dǎo)系數(shù)小，確保上佳的頻率特性

7.因電解電容器領(lǐng)域也獲得了電容，故使用壽命延長(zhǎng)，更造于具有高可靠性的電源

8.由于ESR低，頻率特性良好，故適合于高頻，高密度類(lèi)型的電源

TDK貼片電容的基本參數(shù)

工作溫度范圍: -55～125℃

額定電壓: 6.3VDC～3000VDC

溫度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA Class I）         

          X7R:≤±15%,-55～125℃（EIA Class II）

容量范圍: NPO:10pF to 100nF;

          X7R:150pF to 47uF

           X5R:10UF to 100uf

損失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；

                   X7R:D.F.≤2.5%

絕緣電阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取兩者小值

老化速率: NPO:1%;

   TDK積層陶瓷貼片電容器的小型化、大容量化，TDK通過(guò)*的材料技術(shù)追求粒子大小的超微細(xì)化。確立了電介質(zhì)層和電極層無(wú)錯(cuò)位的高度積層技術(shù)和多達(dá)1000層的多層化技術(shù)。1層的層間厚度達(dá)到亞微米水平。通過(guò)追求薄層化與多層化，即使是極小的貼片尺寸也能同時(shí)實(shí)現(xiàn)接近鉭電容器的大容量化和*的可靠性。