IRF3205STRLPBF 金屬氧化物場效應(yīng)管

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型號IRF3205STRLPBF
品牌
所在地深圳市
更新時間2018-06-06

深圳市星際金華實業(yè)有限公司

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所在地區(qū)深圳市
實名認(rèn)證已認(rèn)證
產(chǎn)品數(shù)量198
人氣值4781

產(chǎn)品標(biāo)簽

場效應(yīng)管

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產(chǎn)地	進口	加工定制	否

IRF3205STRLPBF金屬氧化物場效應(yīng)管：功率更大，空間更小 - 采用新型 OptiMOS™5 40V和60V 功率MOSFET，英飛凌實現(xiàn)了1mOhm 40V器件和SuperSO8封裝中1.6mohm 60V，顯著降低了R DS（on） max。目標(biāo)應(yīng)用包括低壓電機控制，電信，同步整流， Or- ing開關(guān)，太陽能微逆變器和隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器。

金屬氧化物場效應(yīng)管產(chǎn)品詳情

深圳市星際金華電子公司原裝* 英飛凌IRF3205STRLPBF金屬氧化物場效應(yīng)管 原廠直銷現(xiàn)貨營銷價格低廉質(zhì)量有保證歡迎廣大商友

IRF3205STRLPBF金屬氧化物場效應(yīng)管：

優(yōu)點：

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
低RDS（上）
行業(yè)*的質(zhì)量
動態(tài)dv / dt額定值
快速切換
*雪崩評級
175°C工作溫度

概觀：

功率更大，空間更小 - 采用新型 OptiMOS™5 40V和60V 功率MOSFET，英飛凌實現(xiàn)了1mOhm 40V器件和SuperSO8封裝中1.6mohm 60V，顯著降低了R DS（on） max。目標(biāo)應(yīng)用包括低壓電機控制，電信，同步整流，Or- ing開關(guān)，太陽能微逆變器和隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器。顯著降低柵極電荷和輸出電荷可實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和功率密度。英飛凌的OptiMOS™功率MOSFET 40V-75V針對同步整流進行了優(yōu)化，非常適合用于高頻開關(guān)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。 StrongIRFET™功率MOSFET 針對需要性能和耐用性的低頻應(yīng)用進行了優(yōu)化，這些應(yīng)用包括電動工具，輕型電動車和電動自行車等終端應(yīng)用。

規(guī)格：

FET 類型   N 溝道
技術(shù)   MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）   55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）   110A（Tc）
驅(qū)動電壓（大 Rds On，小 Rds On）   10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（大值）   4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（大值）   146nC @ 10V
Vgs（大值）   ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（大值）   3247pF @ 25V
FET 功能   -
功率耗散（大值）   200W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（大值）   8 毫歐 @ 62A，10V
工作溫度   -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型   表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝   D2PAK
封裝/外殼   TO-263-3，D²Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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公司還供應(yīng)以下型號：

L6201PSTR
SN98660AFG
MP156GJ
MP3312GC
MP2601EJ
MSP430G2152IRSA16R
IPA093N06N3G
N25Q128A11ESF40F
BCM5356C0KFBG
REF3120AIDBZR
REF3125AIDBZR
REF3133AIDBZR
ACS758LCB-100B
REF3030AIDBZR
LM5010MHX
IRF3205STRLPBF
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