【廣州★洋奕電子】提德國HBMHLCB1D1-10t稱重傳感器價格資訊及產(chǎn)品服務。
世界眾多傳感器品牌如：美國Transcell稱重傳感器、美國Celtron稱重傳感器、美國Tedea-huntleigh稱重傳感器、瑞士Mettler Toledo稱重傳感器、德國HBM稱重傳感器等。簡述霍爾元件的零位誤差及其原因。 
答：從理論上說，當B=0,I=0時，霍爾元件的輸出應該為零，即UH=0，實
【廣州★洋奕電子】提德國HBMHLCB1D1-10t稱重傳感器價格資訊及產(chǎn)品服務。
世界眾多傳感器品牌如：美國Transcell稱重傳感器、美國Celtron稱重傳感器、美國Tedea-huntleigh稱重傳感器、瑞士Mettler Toledo稱重傳感器、德國HBM稱重傳感器等。
：，王工sales2@gzyangyi.cn 。
產(chǎn)品名稱：HLCB1D1-10t稱重傳感器
產(chǎn)品品牌：德國HBM接線盒，HBM接線盒
簡述霍爾元件的零位誤差及其原因。
答：從理論上說，當B=0,I=0時，霍爾元件的輸出應該為零，即UH=0，實際上仍有一定霍爾電壓輸出，這就是元件的零位誤差，其主要原因有以下幾種：
（1）不等位電動勢。這是一個主要的零位誤差。由于兩個霍爾電壓極在制作時不可能對稱地焊在霍爾元件兩側(cè)、輸入電流極的端面接觸不良、材料電阻率不均勻以及霍爾元件的厚度不均勻等均會產(chǎn)生不等為電動勢。
（2）寄生直流電動勢。在沒有磁場的情況下，元件通以交流輸入電流，它的輸出除了交流不等位電動勢外，還有一直流電動勢分量。此電動勢稱為寄生直流電動勢，其產(chǎn)生的原因是由于輸入電流極、霍爾電壓極的接觸電阻造成整流效應以及霍爾電壓極的焊點大小不*，其熱容量不*產(chǎn)生溫差，造成直流附加電壓。
（3）感應零位電動勢。當沒有輸入電流時，在交流或脈動磁場作用下產(chǎn)生的電動勢稱為感應零位電動勢。它與霍爾電壓極引線構成的感應面積A成正比。
（4）自激場零位電動勢。當霍爾元件通以輸入電流時，此電流就會產(chǎn)生磁場，這一磁場稱為自激場，理論情況下自激場對稱抵消，但實際應用時，由于輸入電流引線也產(chǎn)生磁場，使元件左右兩半場不等，因而有霍爾電壓輸出，這一輸出電壓稱為自激場零位電動勢
德國HBM傳感器其它型號種類
S9M/1KNS9M/2KN
S9M/5KNS9M/10KN
S9M/20KNS9M/50KN
U1A/10NU1A/20N
U1A/50NU3/0.5KN
U3/1KNU3/2KN
U3/5KNU3/10KN
U3/20KNU3/50KN
德國HBMHLCB1D1-10t稱重傳感器相關信息
MEMS的發(fā)展，把傳感器的微型化、智能化、多功能化和可靠性水平提高到了新的高度。除MEMS外，新型傳感器的發(fā)展還有賴于新型敏感材料、敏感元件和納米技術，如新一代光纖傳感器、超導傳感器、焦平面陳列紅外探測器、生物傳感器、納米傳感器、新型量子傳感器、微型陀螺、網(wǎng)絡化傳感器、智能傳感器、模糊傳感器、多功能傳感器等。多傳感器數(shù)據(jù)融合技術也促進了傳感器技術的發(fā)展。它形成于20世紀80年代，它不同于一般信號處理，也不同于單個或多個傳感器的監(jiān)測和測量，而是對基于多個傳感器測量結果基礎上的更高層次的綜合決策過程。有鑒于傳感器技術的微型化、智能化程度提高，在信息獲取基礎上，多種功能進一步集成以致于融合，這是必然的趨勢美國AC GX-1-200kg GX-1-10T60001-500lb 60063-1.5Klb 60051-25lb 65040-60Klb
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德國HBMHLCB1D1-10t稱重傳感器工作原理
42. 在紅外技術中，一般將紅外輻射分為四個區(qū)域，即近紅外區(qū)、中紅外區(qū)、遠紅外區(qū)和（ D）。這里所說的”遠近”是相對紅外輻射在電磁波譜中與可見光的距離而言。
A．微波區(qū) B．微紅外區(qū) C．X射線區(qū) D．極遠紅外區(qū)
43. 紅外輻射在通過大氣層時，有三個波段透過率高，它們是0.2～2.6μｍ、3～5μm和（ A），統(tǒng)稱它們?yōu)?rdquo;大氣窗口”。
A．8～14μｍ B．7～15μｍ C．8～18μｍ D．7～14.5μｍ
44. 紅外探測器的性能參數(shù)是衡量其性能好壞的依據(jù)。其中響應波長范圍（或稱光譜響應），是表示探測器的（B ）相應率與入射的紅外輻射波長之間的關系。
A．電流 B．電壓 C．功率 D．電阻
45. 光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（A ）。使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
A．光子效應 B．霍爾效應 C．熱電效應 D．壓電效應
46. 當紅外輻射照射在某些半導體材料表面上時，半導體材料中有些電子和空
穴可以從原來不導電的束縛狀態(tài)變?yōu)槟軐щ姷淖杂蔂顟B(tài)，使半導體的導電率增加，這種現(xiàn)象叫（ B ）。
A．光電效應 B．光電導現(xiàn)象 C．熱電效應 D．光生伏特現(xiàn)象
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