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本征結(jié)構(gòu)無(wú)序會(huì)顯著影響半導(dǎo)體的熱輸運(yùn)和電子輸運(yùn)。盡管通常認(rèn)為是有序化合物，但半Heusler-ZrNiSn表現(xiàn)出無(wú)序合金的許多輸運(yùn)特性。與（Zr，Hf）NiSn基固溶體類(lèi)似，未被取代的ZrNiSn化合物也表現(xiàn)出以合金散射為主的電荷輸運(yùn)。這種意外的電荷輸運(yùn)，即使在通常被認(rèn)為是*有序的ZrNiSn中，也可以用半Heusler系統(tǒng)中Ni部分填充間隙位來(lái)解釋。通過(guò)改變Sb摻雜量，定量分析了載流子濃度n_H為5.0×10¹⁹～2.3×10²¹cm^-3的ZrNiSn_1-xSb_x中晶體結(jié)構(gòu)的無(wú)序和缺陷對(duì)電子輸運(yùn)過(guò)程的影響。采用LinseisLSR-3系統(tǒng)測(cè)量了其Seebeck系數(shù)。優(yōu)化的載流子濃度n_H<3-4×10²⁰cm^-2導(dǎo)致在875K處ZT<0.8。這項(xiàng)工作表明，MNiSn（M=Hf，Zr，Ti）和其他大部分半Heusler熱電材料應(yīng)被認(rèn)為是高度無(wú)序的，尤其是在試圖理解電子和聲子結(jié)構(gòu)和輸運(yùn)特性時(shí)。

與重取代（Zr，Hf）NiSn基固溶體合金相似，未取代ZrNiSn化合物也表現(xiàn)出合金散射主導(dǎo)的電荷輸運(yùn)，μ_H~T^-0.5依賴(lài)性表明。這種意外的輸運(yùn)現(xiàn)象可以用Ni部分填充間隙位來(lái)解釋。分析表明，即使ZrNiSn-half-Heusler合金中存在少量的原子無(wú)序，也足以導(dǎo)致合金散射主導(dǎo)的電子輸運(yùn)，這意味著本征點(diǎn)缺陷無(wú)序?qū)E材料中電荷輸運(yùn)的影響具有重要意義。實(shí)驗(yàn)和理論計(jì)算表明，優(yōu)化的ZT值接近n_H≈3-4×10²⁰cm^-3。在875K時(shí)，ZrNiSn_0.99Sb_0.01的ZT<0.8。這項(xiàng)工作表明，MNiSn和其他大多數(shù)半費(fèi)斯勒熱電材料在試圖理解電子和聲子結(jié)構(gòu)時(shí)，應(yīng)被認(rèn)為是無(wú)序的。