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半導體芯片高低溫試驗箱滿足標準是什么

 GJB150.3A－2009  高溫試驗方法；

2、GJB150.4A－2009  低溫試驗方法；

　3、GJB150.9A-2009   濕熱試驗方法；

　4、GB/T10586-2006濕熱試驗箱技術(shù)條件；

　5、GB/T 10589-  低溫試驗箱技術(shù)條件；

　6、GB/T2423.3- (IEC68-2-3)    試驗Ca:恒定濕熱試驗方法；

　7、G/BT 2423.4- /IEC6008-2-30:2005試驗Db:交變濕熱方法；

　8、GBT 2424.5-2006 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 溫度試驗箱性能確認；

　9、GBT 2424.6-2006 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 溫度 濕度試驗箱性能確認；

　10、GB/T 2423.2-  電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗B：高溫；

　11、GBT 2424.7-2006 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 試驗A和B(帶負載)溫度試驗箱的測量；

　12、GB2423.1- /IEC6008-2-1-2007電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分試驗方法試驗A低溫；

　13、GB/T5170.18-2005電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設備基本參數(shù)檢定方法溫度/濕度組合循環(huán)試驗設備；

　14、GB2423.22- 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分 試驗方法 試驗Nb：規(guī)定溫度變化速率的溫度變化。