英國OAP QS稱重傳感器【廣州洋奕】；質(zhì)量認(rèn)證，企業(yè)化的通行證，也是企業(yè)管理的起點(diǎn)。
壓力墊也可以作為開關(guān)報警探測器的一種傳感器。壓力墊通常放在防范區(qū)域的地毯下面，如圖2-4所示。將兩長條形金屬帶平行相對地分別放在地毯背面和地板之間，兩條金屬帶之間有幾個位置使用絕緣材料支撐，使兩條金屬帶互不接觸，此時相當(dāng)與傳感器開關(guān)斷開，當(dāng)入侵者進(jìn)入防范區(qū)域時，踩踏地毯而使相應(yīng)部位受力凹陷，兩條金屬帶接觸，此時相當(dāng)于傳感器開關(guān)閉合而發(fā)出報警信號。
圖2-4 壓力墊使用示意圖
2．壓力傳感器
壓力傳感器把傳感器上受到的壓力變化轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的電量變化，經(jīng)過放大成為電信號。某些晶體材料，當(dāng)某方向受到外力作用時，其內(nèi)部就會產(chǎn)生極化現(xiàn)象，在某方向兩個表面上產(chǎn)生正負(fù)電荷，當(dāng)作用力改變時，電荷的大小和極性隨之改變，晶體所產(chǎn)生的電荷量大小和極性隨之改變，晶體所產(chǎn)生的電荷量大小與外力的大小成正比，這種現(xiàn)象稱正壓電效應(yīng)。反之某些晶體加一交變電場，晶體將產(chǎn)生機(jī)械變形，這種現(xiàn)象稱逆壓電效應(yīng)。圖2-5為壓電效應(yīng)原理示意圖。
其它型號種類
L6E-C3D-100KG-2B B6F-C3-2t-3B6
L6E-C3D-300KG-2B B6G-C3-100kg-3G6
L6F-C3D-50kg-3G B6G-C3-150kg-3G6
L6F-C3D-500kg-3G B6G-C3-200kg-3G6
BTB-10T HSX-A-40Kg
SB-A-1T HSX-A-50Kg
SB-A-2T HSX-A-75Kg
SB-A-7.5T HSX-A-100Kg
SQB-500KG HSX-A-150Kg
SQB-1T HSX-A-200Kg
SQB-1.5T HSX-A-250Kg
SQB-2.5T HSX-A-300Kg
SQB-3T HSX-A-500Kg
NA2-200Kg NA10-120Kg
NA2-250Kg NA12-0.3Kg
NA2-300Kg NA12-0.5Kg
NA2-350Kg NA12-0.6Kg
NA2-500Kg NA12-0.75Kg
NA3-50Kg NA12-1Kg
L6F-C3-200KG B6G-C3-250kg-3G6
L6F-C3-250KG B6G-C3-300kg-3G6
L6G-C3-50KG B6G-C3-500kg-3G6
L6G-C3-50KG-3G6 B6G-C3-600kg-3G6
英國OAP QS稱重傳感器相關(guān)信息
具有壓電效應(yīng)的晶體材料我們稱之為壓電材料。壓力傳感器就是利用壓電材料的正壓電效應(yīng)制成。
現(xiàn)在常用的壓電材料是人工合成的。天然的壓電單晶也有，但效率低，利用難度較大，用的較少，只有在高溫或低溫等特殊狀態(tài)下，才利用單晶石英晶體。
壓電陶瓷是人工燒結(jié)的一種常用多晶壓電材料，壓電陶瓷燒結(jié)方便，容易成形，強(qiáng)度高，而且壓/電轉(zhuǎn)換的系數(shù)大，為天然單晶石英晶體的幾十倍，而制造成本只有石英單晶的百分之
一，因此壓電陶瓷廣泛被用做高效壓力傳感器材料。
常用的壓電陶瓷材料有鈦酸鋇、鈮鎂酸鉛，鉛鈦酸鉛等。
壓電陶瓷材料燒結(jié)后，初并不具有壓力特性。這種陶瓷材料內(nèi)部有許多無序排列的“電疇”，這些“電疇”在一定外界溫度下，接受一強(qiáng)化電場的作用，使其按外電場的方向整齊排列，這就是極化過程。極化后的陶瓷材料在撤去外電場后，其內(nèi)部電疇的排列不變，具有很強(qiáng)的極化排列，這時陶瓷材料才具有壓電性。
壓電陶瓷材料通常做成長方體。當(dāng)某一方向上的對應(yīng)兩面受到外力作用時，在壓電陶瓷的這兩面上就會出現(xiàn)電荷堆積，電量的大小與受力的大小成正比。此時壓電陶瓷相當(dāng)于一個靜電發(fā)生器，或是一個以壓電材料為介質(zhì)的電容器，電容量的大小為
HSX-A-150KG HSX-SS-250Kg
HSX-SS-20KG HSX-SS-300Kg
HSX-SS-50KG HSX-SS-500Kg
HSX-SS-75KG PST-20Kg
HSX-SS-500KG PST-30Kg
L6G-C3-250KG-3B6 B6N-C3-20Kg-1B
L6G-C3-600KG-3B6 B6N-C3-30Kg-1B
B3G-C3-50kg-6B B6N-C3-50Kg-1B
B3G-C3-500kg-6B B6N-C3-75Kg-1B
B3G-C3-1T-6B B6N-C3-100Kg-1B
B3G-C3-1.0t-6B B6N-C3-150Kg-1B
HM9B-C3-25t-12B B6N-C3-200Kg-1B
NA3-750Kg NA19-500Kg
NA3-800Kg NA22-3Kg
NA3-1T NA22-5Kg
NA3-1.2T NA22-6Kg
NA4-60Kg NA22-10Kg
NA4-100Kg NA22-15Kg
HSX-ASS-100KG PST-50Kg
PST-50KG PST-75Kg
而電容兩端的開路電壓U=Q/C，Q為極板上電荷量的大小，與所受外力成正比，一般電量Q很小，因此感應(yīng)出的U也很小。為了能檢測出U的變化，要求壓電陶瓷本身有相應(yīng)的阻抗，同時前端放大器也應(yīng)有*的輸入阻抗，通常探測器的前端放大器用場效應(yīng)管來擔(dān)當(dāng)。由于輸入阻抗過高，很容易竄入干擾信號，為此前端放大器應(yīng)直接接在傳感器的輸出端，信號經(jīng)放大后輸出一個高電平 、低阻抗的探測電信號。
有機(jī)壓電材料是新近研究開發(fā)出來的新型壓電材料，如聚氯乙烯、聚二氟乙烯等，它具有柔軟、不易破碎的特點(diǎn)。
半導(dǎo)體壓力傳感器是利用硅結(jié)晶的壓電電阻效應(yīng)以及二極管、晶體管的電流、電壓特性制成的元件。當(dāng)硅半導(dǎo)體材料受到外力作用時，晶體處于扭曲狀態(tài)，由于載流子遷移率的變化而導(dǎo)致晶體阻抗變化的現(xiàn)象稱之為壓電電阻效應(yīng)。用ΔR表示晶體阻抗的變化,它的變化率為： ΔR/R = （Δρ/ρ）•η•ζ=G•ζ
PST-75KG PST-100Kg
PST-100KG PST-150Kg
PST-150KG PST-200Kg
PST-200KG PST-250Kg
PST-700KG PST-300Kg
PST-1000KG PST-500Kg
DEE-100KG PST-700Kg
HM9B-C3-30T-12B3 B8D-C3-250kg-6B-SC
HM9B-C3-30T-16B3 B8D-C3-0.5t-6B-SC
HM9B-C3-25T-16B-CR1-1C B8D-C3-1t-6B-SC
HM9B-C3-30T-16B-CR1-1C B8D-C3-2t-6B-SC
HM9B-C3-30T-16B3-R1-A B8D-C3-5t-6B-SC
hm14c-c3-10t-13b6 B8Q-C3-200kg-3B
hm14c-c3-25t-13b6 B8Q-C3-500kg-3B
hm14c-c3-30t-13b6 B8Q-C3-1000kg-3B
NA4-200Kg NA22-20Kg
NA4-250Kg NA22-30Kg
NA4-300Kg NA22-35Kg
NA4-500Kg NA22-40Kg
NA4-800Kg NA23-3Kg
追求客戶滿意，是洋奕的責(zé)任，真誠，我們有以誠相待、誠實(shí)守紀(jì)、開誠布公的人文環(huán)境
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