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PCT高壓加速老化測試箱的的應用與方法

時間:2015/5/26閱讀:1185
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     PCT高壓加速老化測試箱的的應用與方法

 

簡單描述 PCT試驗一般稱為高壓蒸煮試驗或是飽和蒸汽試驗,主要是將品置于苛刻之溫度、飽和蒸氣濕度(R.H.)及蒸氣壓力環(huán)境下測試品耐高溫、高、高壓的能力,針對印刷線路板(PCB&FPC),用來進行材料吸濕率試驗、高壓蒸煮試驗等試驗目的,如果品是半導體,則用來測試半導體封裝之抗?jié)駳饽芰?,待測品被放置嚴苛的溫濕度以及壓力環(huán)境下測試,如果半導體封裝的不好,濕氣會沿者膠體或膠體與導線架之接口滲入封裝體之中,常見的故裝原因:爆米花效應、動金屬化區(qū)域腐蝕造成之斷路、封裝體引腳間因污染造成之短路..等相關問題。
半導體的PCT測試: PCT主要是測試半導體封裝之抗?jié)駳饽芰?,待測品被放置嚴苛的溫濕度以及壓力環(huán)境下測試,如果半導體封裝的不好,濕氣會沿者膠體或膠體與導線架之接口滲入封裝體之中,常見的故裝原因:爆米花效應、動金屬化區(qū)域腐蝕造成之斷路、封裝體引腳間因污染造成之短路..等相關問題。
PCT對PCB的故障模式:起泡(Blister)、斷裂(Crack)、止焊漆剝離(SR de-lamination)。

塑封半導體因濕氣腐蝕而引起的失效現象:
由于鋁和鋁合金價格便宜,加工工藝簡單,因此通常被使用爲集成電路的金屬線。從進行集成電路塑封制程開始,水氣便會通過環(huán)氧樹脂滲入引起鋁金屬導線産生腐蝕進而産生開路現象,成爲質量管理爲頭痛的問題。雖然通過各種改善包括采用不同環(huán)氧樹脂材料、改進塑封技術和提高非活性塑封膜爲提高産質量量進行了各種努力,但是隨著日新月異的半導體電子器件小型化發(fā)展,塑封鋁金屬導線腐蝕問題至今仍然是電子行業(yè)非常重要的技術課題。


壓力蒸煮鍋試驗(PCT)結構:試驗箱由一個壓力容器組成,壓力容器包括一個能産生濕度環(huán)境的水加熱器,待測品經過PCT試驗所出現的不同失效可能是大量水氣凝結滲透所造成的。

PCT對IC半導體的可靠度評估項目:DA Epoxy、導線架材料、封膠樹脂
腐蝕失效與IC:腐蝕失效(水汽、偏壓、雜質離子)會造成IC的鋁線發(fā)生電化學腐蝕,而導致鋁線開路以及遷移生長。

常見失效時期:
早期失效期(早夭期,Infant Mortality Region):不夠完善的生産、存在缺陷的材料、不合適的環(huán)境、不夠完善的設計。
隨機失效期(正常期,Useful Life Region):外部震蕩、誤用、環(huán)境條件的變化波動、不良抗壓性能。
退化失效期(損耗期,Wearout Region):氧化、疲勞老化、性能退化、腐蝕。


澡盆曲線:澡盆曲線(Bathtub curve、失效時期),又用稱為浴缸曲線、微笑曲線,主要是顯示產品的于不同時期的失效率,主要包含早夭期(早期失效期)、正常期(隨機失效期)、損耗期(退化失效期),以環(huán)境試驗的可靠度試驗箱來說得話,可以分爲篩選試驗、加速壽命試驗(耐久性試驗)及失效率試驗等。進行可靠性試驗時"試驗設計"、"試驗執(zhí)行"及"試驗分析"應作爲一個整體來綜合考慮。

環(huán)境應力與失效關系圖說明:
依據美國Hughes航空公司的統(tǒng)計報告顯示,環(huán)境應力造成電子產品故障的比例來說,高度占2%、鹽霧占4%、沙塵占6%、振動占28%、而溫濕度去占了高達60%,所以電子產品對于溫濕度的影響特別顯著,但由于傳統(tǒng)高溫高濕試驗(如:40℃/90%R.H.、85℃/85%R.H.、60℃/95%R.H.)所需的時間較長,為了加速材料的吸濕速率以及縮短試驗時間,可使用加速試驗設備(HAST[高度加速壽命試驗機]、PCT[壓力鍋])來進行相關試驗,也就所謂的(退化失效期、損耗期)試驗。

θ 10℃法則:討論産品壽命時,一般采用[θ10℃法則]的表達方式,簡單的說明可以表達爲[10℃規(guī)則],當周圍環(huán)境溫度上升10℃時,産品壽命就會減少一半;當周圍環(huán)境溫度上升20℃時,産品壽命就會減少到四分之一。
這種規(guī)則可以說明溫度是如何影響産品壽命(失效)的,相反的產品的可靠度試驗時,也可以利用升高環(huán)境溫度來加速失效現象發(fā)生,進行各種加速壽命老化試驗。

濕氣所引起的故障原因:水汽滲入、聚合物材料解聚、聚合物結合能力下降、腐蝕、空洞、線焊點脫開、引線間漏電、芯片與芯片粘片層脫開、焊盤腐蝕、金屬化或引線間短路。
 

加速鋁腐蝕的因素:
①樹脂材料與芯片框架接口之間連接不夠好。

②封裝時,封裝材料摻有雜質或者雜質離子的污染(由于雜質離子的出現)
③非活性塑封膜中所使用的高濃度磷
④非活性塑封膜中存在的缺陷

水汽對電子封裝可靠性的影響:腐蝕失效、分層和開裂、改變塑封材料的性質。

鋁線中産生腐蝕過程:
① 水氣滲透入塑封殼內→濕氣滲透到樹脂和導線間隙之中
② 水氣滲透到芯片表面引起鋁化學反應 

 

爆米花效應(Popcorn Effect):
說明:原指以塑料外體所封裝的IC,因其芯片安裝所用的銀膏會吸水,一旦末加防范而徑行封牢塑體后,在下游組裝焊接遭遇高溫時,其水分將因汽化壓力而造成封體的爆裂,同時還會發(fā)出有如爆米花般的聲響,故而得名,當吸收水汽含量高于0.17%時,[爆米花]現象就會發(fā)生。近來十分盛行P-BGA的封裝組件,不但其中銀膠會吸水,且連載板之基材也會吸水,管理不良時也常出現爆米花現象。

水汽進入IC封裝的途徑:
1.IC芯片和引線框架及SMT時用的銀漿所吸收的水
2.塑封料中吸收的水分
3.塑封工作間濕度較高時對器件可能造成影響;
4.包封后的器件,水汽透過塑封料以及通過塑封料和引線框架之間隙滲透進去,因為塑料與引線框架之間只有機械性的結合,所以在引線框架與塑料之間難免出現小的空隙。
備注:只要封膠之間空隙大于3.4*10^-10m以上,水分子就可穿越封膠的防護
備注:氣密封裝對于水汽不敏感,一般不采用加速溫濕度試驗來評價其可靠性,而是測定其氣密性、內部水汽含量等。

針對PCT試驗說明:
用來評價非氣密封裝器件在水汽凝結或飽和水汽環(huán)境下抵御水汽的完整性。
樣品在高壓下處于凝結的、高濕度環(huán)境中,以使水汽進入封裝體內,暴露出封裝中的弱點,如分層和金屬化層的腐蝕。該試驗用來評價新的封裝結構或封裝體中材料、設計的更新。
應該注意,在該試驗中會出現一些與實際應用情況不符的內部或外部失效機制。由于吸收的水汽會降低大多數聚合物材料的玻璃化轉變溫度,當溫度高于玻璃化轉變溫度時,可能會出現非真實的失效模式。 

外引腳錫短路:封裝體外引腳因濕氣引起之電離效應,會造成離子遷移不正常生長,而導致引腳之間發(fā)生短路現象。

濕氣造成封裝體內部腐蝕:濕氣經過封裝過程所造成的裂傷,將外部的離子污染帶到芯片表面,在經過經過表面的缺陷如:護層針孔、裂傷、被覆不良處..等,進入半導體原件里面,造成腐蝕以及漏電流..等問題,如果有施加偏壓的話故障更容易發(fā)生。

PCT試驗條件(整理PCB、PCT、IC半導體以及相關材料有關于PCT的相關測試條件)

試驗名稱

溫度

濕度

時間

檢查項目&補充說明

JEDEC-22-A102

121℃

R.H.

168h

其它試驗時間:24h、48h、96h、168h、240h、336h

IPC-FC-241B-PCB銅張積層板的拉剝強度試驗

121℃

R.H.

100 h

銅層強度要在 1000 N/m

IC-Auto Clave試驗

121℃

R.H.

288h

 

低介電高耐熱多層板

121℃

R.H.

192h

 

PCB塞孔劑

121℃

R.H.

192h

 

PCB-PCT試驗

121℃

R.H.

30min

檢查:分層、氣泡、白點

無鉛焊錫加速壽命1

100℃

R.H.

8h

相當于高溫高濕下6個月,活化能=4.44eV

無鉛焊錫加速壽命2

100℃

R.H.

16h

相當于高溫高濕下一年,活化能=4.44eV

IC無鉛試驗

121℃

R.H.

1000h

500小時檢查一次

液晶面板密合性試驗

121℃

R.H.

12h

 

金屬墊片

121℃

R.H.

24h

 

半導體封裝試驗

121℃

R.H.

500、1000 h

 

PCB吸濕率試驗

121℃

R.H.

5、8h

 

FPC吸濕率試驗

121℃

R.H.

192h

 

PCB塞孔劑

121℃

R.H.

192h

 

低介電率高耐熱性的多層板材料

121℃

R.H.

5h

吸水率小于0.4~0.6%

高TG玻璃環(huán)氧多層印刷電路板材料

121℃

R.H.

5h

吸水率小于0.55~0.65%

高TG玻璃環(huán)氧多層印刷電路板-吸濕后再流焊耐熱性試驗

121℃

R.H.

3h

PCT試驗完畢之后進行再流焊耐熱性試驗(260℃/30秒)

微蝕型水平棕化(Co-Bra Bond)

121℃

R.H.

168h

 

車用PCB

121℃

R.H.

50、100h

 

主機板用PCB

121℃

R.H.

30min

 

GBA載板

121℃

R.H.

24h

 

半導體器件加速濕阻試驗

121℃

R.H.

8h

 

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