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上海恒稅電氣有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第6年

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西門(mén)子電機(jī)模塊報(bào)F07802修復(fù)分析方法

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產(chǎn)品型號(hào)

品       牌Siemens/西門(mén)子

廠商性質(zhì)經(jīng)銷(xiāo)商

所  在  地上海市

更新時(shí)間:2024-11-25 19:14:45瀏覽次數(shù):1082次

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是指電源模塊未就緒:供電或者功率部分未就緒,具體原因是:


可能導(dǎo)致原因——


1、直流母線(xiàn)電壓未到正常值;


2、p0210參數(shù)值設(shè)置不合適,需要校核;


3、供電電源可能不穩(wěn)定;


4、監(jiān)控時(shí)間設(shè)得太短,你可以適當(dāng)增大監(jiān)控時(shí)間參數(shù)


數(shù)控系統(tǒng)維修中應(yīng)注意的事項(xiàng)

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(1)從數(shù)控機(jī)床整機(jī)上取出某塊線(xiàn)路板時(shí),應(yīng)注意記錄其相對(duì)應(yīng)的位置,連接的電纜號(hào),對(duì)于固定安裝的線(xiàn)路板,還應(yīng)按前后取下相應(yīng)的壓接部件及螺釘作記錄。拆卸下的壓件及螺釘應(yīng)放在專(zhuān)門(mén)的盒內(nèi),以免丟失,裝配后,盒內(nèi)的東西應(yīng)全部用上,否則裝配不完整。


(2)電烙鐵應(yīng)放在順手的前方,遠(yuǎn)離維修線(xiàn)路板。烙鐵頭應(yīng)作適當(dāng)?shù)男拚?,以適應(yīng)集成電路的焊接,并避免焊接時(shí)碰傷別的元器件。


(3)測(cè)量線(xiàn)路間的阻值時(shí),應(yīng)斷電源,測(cè)阻值時(shí)應(yīng)紅黑表筆互換測(cè)量?jī)纱危宰柚荡蟮臑閰⒖贾怠?/span>


(4)線(xiàn)路板上大多刷有阻焊膜,因此測(cè)量時(shí)應(yīng)找到相應(yīng)的焊點(diǎn)作為測(cè)試點(diǎn),不要鏟除焊膜,有的板子全部刷有絕緣層,則只有在焊點(diǎn)處用刀片刮開(kāi)絕緣層。


(5)不應(yīng)隨意切斷印刷線(xiàn)路。有的維修人員具有一定的維修經(jīng)驗(yàn),習(xí)慣斷線(xiàn)檢查,但數(shù)控設(shè)備上的線(xiàn)路板大多是雙面金屬孔板或多層孔化板,印刷線(xiàn)路細(xì)而密,一旦切斷不易焊接,且切線(xiàn)時(shí)易切斷相鄰的線(xiàn),再則有的點(diǎn),在切斷某一根線(xiàn)時(shí),并不能使其和線(xiàn)路脫離,需要同時(shí)切斷幾根線(xiàn)才行。


附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱(chēng)為漏極。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門(mén)極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同。只需控制輸入極N一溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后。從P基極注入到N一層的空穴(少子),對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N一層的電阻,使IGBT在高電壓時(shí),也具有低的通態(tài)電壓。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。在使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸;在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),在配線(xiàn)未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊;盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極大額定電壓,但柵極連線(xiàn)的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合。


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