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中級(jí)會(huì)員 | 第2年

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華中科技大學(xué) /德國(guó)法蘭克福大學(xué):研發(fā)超高靈敏交叉指形超構(gòu)材料太赫茲傳感器,可用于納米薄膜檢測(cè)

時(shí)間:2025/3/18閱讀:31
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光學(xué)傳感器在各種應(yīng)用中扮演著的角色,涵蓋了從檢測(cè)納米薄膜、納米粒子到識(shí)別生物分子、病毒和細(xì)胞等多個(gè)領(lǐng)域。通過提升傳感器的性能,尤其是加強(qiáng)光與物質(zhì)的相互作用和增強(qiáng)靈敏度,有望實(shí)現(xiàn)一系列具有突破性的應(yīng)用。


超構(gòu)材料(metamaterial)作為一種人造周期結(jié)構(gòu),具有亞波長(zhǎng)尺寸,其對(duì)電磁波的響應(yīng)可以通過結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和材料參數(shù)來控制。金屬超構(gòu)材料能夠?qū)?qiáng)電場(chǎng)能量集中在極小的空間范圍內(nèi),從而實(shí)現(xiàn)與分析物的強(qiáng)作用。盡管基于金屬超構(gòu)材料的太赫茲(THz)傳感器在無接觸和無標(biāo)記檢測(cè)方面表現(xiàn)出優(yōu)勢(shì),但與現(xiàn)有的成熟的生化診斷方法(如酶免疫測(cè)定法)相比,它們?cè)陟`敏度和檢測(cè)極限上仍存在兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上的差距。已有的研究結(jié)果表明,優(yōu)化的超構(gòu)材料傳感器應(yīng)該在分析物位置具有高局部電場(chǎng)增強(qiáng)因子、高品質(zhì)因數(shù)(Q值)的諧振模式,以及較小的模式體積。然而,到目前為止,仍缺乏一個(gè)系統(tǒng)且實(shí)用的優(yōu)化策略,能夠統(tǒng)一考慮超構(gòu)材料傳感器的所有性能參數(shù),以便進(jìn)行理性設(shè)計(jì)(與試錯(cuò)法相比)。


該類型傳感器研究的另一個(gè)不足之處與其通常采用的性能評(píng)價(jià)參數(shù)有關(guān)。個(gè)是折射率靈敏度(S),表示由分析物的單位折射率變化引起的超構(gòu)材料結(jié)構(gòu)諧振頻率偏移(單位為GHz/RIU,RIU代表折射率單位)。第二個(gè)是傳感靈敏值(FOM),表示功率譜的半高全寬(FWHM)與S的比值(單位為1/RIU)。這些參數(shù)的問題在于,它們只適用于分析物的種類、位置和數(shù)量相同的情況,即當(dāng)分析物為全覆蓋介質(zhì)薄膜時(shí)且厚度相同時(shí),才能通過S和FOM兩個(gè)參數(shù)準(zhǔn)確評(píng)估傳感器的性能。


為解決上述問題,華中科技大學(xué)曹磊副教授聯(lián)合德國(guó)法蘭克福大學(xué)Hartmut G. Roskos教授團(tuán)隊(duì)、德國(guó)錫根大學(xué)Peter Haring Bolívar教授團(tuán)隊(duì)以及荷蘭埃因霍溫理工大學(xué)Shihab Al-Daffaie教授團(tuán)隊(duì)基于介質(zhì)微擾理論設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種具有交叉指形結(jié)構(gòu)的太赫茲超構(gòu)材料傳感器(Interdigitated electric split ring resonator, ID-eSRR),可實(shí)現(xiàn)對(duì)納米級(jí)厚度分析物的高靈敏、高品質(zhì)傳感。相關(guān)研究成果以“Interdigitated terahertz metamaterial sensors: design with the dielectric perturbation theory"為題發(fā)表于Photonics Research 期刊。


研究團(tuán)隊(duì)利用簡(jiǎn)化后的諧振器介質(zhì)微擾理論定量指導(dǎo)超構(gòu)材料傳感器的理性設(shè)計(jì)。通過將交叉指形結(jié)構(gòu)與電開口環(huán)超構(gòu)材料諧振器(eSRR)結(jié)合,形成新型ID-eSRR超構(gòu)材料傳感器,有效提升傳感靈敏度。與傳統(tǒng)eSRR結(jié)構(gòu)相比,ID-eSRR結(jié)構(gòu)的基模諧振具有高Q值。此外,僅僅基于兩個(gè)傳統(tǒng)性能參數(shù)(S和FOM)對(duì)不同傳感器的性能進(jìn)行比較顯然是不夠合理的。應(yīng)針對(duì)不同類型的分析物設(shè)計(jì)不同的傳感器,并采用不同的性能參數(shù)。對(duì)于以均勻薄膜形式放置在傳感器上的介質(zhì)分析物,研究團(tuán)隊(duì)建議將傳統(tǒng)FOM對(duì)薄膜厚度進(jìn)行歸一化從而得到第三個(gè)性能指標(biāo),即厚度歸一化FOM(TN-FOM)。

來源:傳感器專家網(wǎng)

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