功率半導(dǎo)體是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類(lèi)器件，能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制作用。功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件(含模塊)以及功率IC等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件按照器件結(jié)構(gòu)可分為二極管、晶閘管和晶體管等。

以MOSFET、IGBT以及SiC MOSFET為代表的功率器件需求旺盛。根據(jù)性能不同，廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、充電樁、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、消費(fèi)電子、軌道交通、工業(yè)電機(jī)、儲(chǔ)能、航空航天和軍工等眾多領(lǐng)域。

隨著行業(yè)技術(shù)革新和新材料性能發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)朝復(fù)雜化演進(jìn)，功率半導(dǎo)體的村底材料朝大尺寸和新材料方向發(fā)展。以SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料迅速發(fā)展，它們通常具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、高溫穩(wěn)定性以及可承受大功率等特點(diǎn)，使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器等方面展現(xiàn)出巨大的潛力。SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)電力電子器件也逐漸成為功率半導(dǎo)體器件的重要發(fā)展領(lǐng)城。另外，由于不同結(jié)構(gòu)和不同襯底材料的功奉半導(dǎo)體電學(xué)性能和成本各有差異，在不同應(yīng)用場(chǎng)景各具優(yōu)勢(shì)。

功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)流程，主要包括設(shè)計(jì)驗(yàn)證、晶圓制造、封裝測(cè)試三個(gè)主要環(huán)節(jié)，其中，每一個(gè)生產(chǎn)環(huán)節(jié)又包含若干復(fù)雜的工藝制程。

PMST系列大功率器件測(cè)試儀器+功率半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)，精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)，是一致能夠提供IV，CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿(mǎn)足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET.  BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試，并具有著越的測(cè)量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專(zhuān)家。

針對(duì)用戶(hù)不同測(cè)試場(chǎng)景的使用需求，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)半自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)全自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)三款功事器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。

產(chǎn)品特點(diǎn)

 高電壓、大電流

 具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(最大可擴(kuò)展至10kV)

 具有大電流測(cè)量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))

 高精度測(cè)量

  納安級(jí)漏電流,  μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻

  0.1%精度測(cè)量

  模塊化配置

  可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間,后期可添加或升級(jí)測(cè)量單元

  測(cè)試效率高

  內(nèi)置專(zhuān)用開(kāi)關(guān)矩陣,根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元

  支持國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試

  擴(kuò)展性好

  支持常溫及高溫測(cè)試可靈活定制各種夾具

大功率器件測(cè)試儀器+功率半導(dǎo)體參數(shù)分析儀測(cè)試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線(xiàn)掃描，C-V特性曲線(xiàn)掃描等

武漢普賽斯儀表有限公司，是一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體的電性能測(cè)試儀表的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售的研發(fā)型高新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品，專(zhuān)注于第三代半導(dǎo)體測(cè)試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。

未來(lái)，普賽斯儀表基于國(guó)產(chǎn)化高精度數(shù)字源表（SMU）的測(cè)試方案，以更優(yōu)的測(cè)試能力、更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測(cè)試能力，聯(lián)合更多行業(yè)客戶(hù)，共同助力我國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)高可靠高質(zhì)量發(fā)展。