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武漢普賽斯儀表有限公司
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當(dāng)前位置:武漢普賽斯儀表有限公司>>半導(dǎo)體器件測(cè)試儀器儀表>>數(shù)字源表>> S300BAPD暗電流測(cè)試精密源表

APD暗電流測(cè)試精密源表

參   考   價(jià): 1000

訂  貨  量: ≥1 臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)S300B

品       牌普賽斯儀表

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地武漢市

更新時(shí)間:2024-03-18 09:22:17瀏覽次數(shù):253次

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在APD的光電特性中,暗電流是一個(gè)重要的參數(shù)。暗電流是指在沒有光照射的情況下,APD中由于熱激發(fā)等原因?qū)е碌碾娮悠坪碗娮?空穴對(duì)產(chǎn)生而產(chǎn)生的電流,暗電流測(cè)試的準(zhǔn)確性對(duì)于評(píng)估APD的性能和穩(wěn)定性非常重要。APD暗電流測(cè)試精密源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表

01


APD工作原理

       APD雪崩光電二極管的工作原理是基于光電效應(yīng)和雪崩效應(yīng),當(dāng)光子被吸收時(shí),會(huì)產(chǎn)生電子空穴對(duì),空穴向P區(qū)移動(dòng),電子向N區(qū)移動(dòng),由于電場(chǎng)的作用,電子與空穴相遇時(shí)會(huì)產(chǎn)生二次電子,形成雪崩效應(yīng),從而使電荷載流子數(shù)目增加,電流增大,實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換。

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圖:APD工作原理


02


APD測(cè)試挑戰(zhàn)

在APD的光電特性中,暗電流是一個(gè)重要的參數(shù)。暗電流是指在沒有光照射的情況下,APD中由于熱激發(fā)等原因?qū)е碌碾娮悠坪碗娮?空穴對(duì)產(chǎn)生而產(chǎn)生的電流,暗電流測(cè)試的準(zhǔn)確性對(duì)于評(píng)估APD的性能和穩(wěn)定性非常重要。在進(jìn)行APD暗電流測(cè)試時(shí),通常面臨如下挑戰(zhàn):


測(cè)試環(huán)境影響


在進(jìn)行暗電流測(cè)試時(shí),需要確保測(cè)試環(huán)境中沒有光照射,光照會(huì)激發(fā)APD中的載流子,導(dǎo)致暗電流的增加,從而影響測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。

連接電路影響


暗電流的測(cè)試通常需要提供一個(gè)反向偏壓,縱觀目前的電流表和電流計(jì),都不具備提供偏壓的功能,因此必須在電流表的回路中加入電壓源。但這樣會(huì)使測(cè)試系統(tǒng)變得復(fù)雜,引入更多干擾條件,導(dǎo)致暗電流的測(cè)試精度無法保證。


03


APD暗電流測(cè)試解決方案

       目前暗電流測(cè)試的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU),數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表,還可用作精密電子負(fù)載,其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器、 波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng),支持四象限工作。APD暗電流測(cè)試精密源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表


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采用APD暗電流測(cè)試精密源表進(jìn)行暗電流測(cè)試時(shí),需要注意以下事項(xiàng):

三同軸線纜連接

APD暗電流測(cè)試連接線通常會(huì)選擇使用低噪聲、低電阻的導(dǎo)線,三同軸線纜具有良好的導(dǎo)電性能和抗干擾能力,適合用于傳輸微弱信號(hào),可以減少測(cè)試過程中的干擾和誤差。


如下圖三同軸線纜的半剖圖,多層絕緣屏蔽具有良好的抗干擾能力。

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圖:三同軸線纜半剖圖

(1導(dǎo)體;2絕緣;3內(nèi)屏蔽層;4中間層;5外屏蔽層;6外護(hù)套)

屏蔽外部電磁信號(hào)干擾

測(cè)試系統(tǒng)架構(gòu)圖如下圖所示,數(shù)字源表(SMU)連接到光電二極管上,該光電二極管安放在一個(gè)電屏蔽的暗箱中,為了對(duì)敏感的電流測(cè)量進(jìn)行屏蔽使其不受外部干擾的影響,通過將屏蔽箱與數(shù)字源表(SMU)的低端相連,可以形成一個(gè)封閉的金屬屏蔽環(huán)境,有效地阻止外部電磁干擾信號(hào)的進(jìn)入,保護(hù)測(cè)試信號(hào)的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。

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圖:測(cè)試系統(tǒng)架構(gòu)

預(yù)留充足的測(cè)量時(shí)間

在進(jìn)行暗電流測(cè)試時(shí),需要考慮測(cè)試時(shí)間的長短。通常情況下,這種現(xiàn)象可能是由于APD內(nèi)部的一些因素導(dǎo)致的,例如載流子的生成和收集過程。隨著測(cè)試時(shí)間的推移,由于暗電流源的累積或者其他因素的影響,暗電流會(huì)逐漸增加至一個(gè)穩(wěn)定的數(shù)值。


此外,對(duì)于測(cè)量得到的暗電流數(shù)據(jù),需要進(jìn)行適當(dāng)?shù)奶幚砗头治觯源_保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確可靠。下圖為普賽斯數(shù)字源表(SMU)測(cè)試完成后,上位機(jī)軟件通過數(shù)據(jù)處理給出的測(cè)試結(jié)果以及測(cè)試曲線。














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圖:測(cè)試結(jié)果



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圖:測(cè)試曲線





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