IGBT簡介：

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件，期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場景中，如電動汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成，兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)，IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu"，被國家列為重點(diǎn)研究對象。

IGBT測試難點(diǎn)：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個測量模塊協(xié)同測試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測試。

3、IGBT動態(tài)電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進(jìn)行測試。

4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下，自加熱效應(yīng)明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應(yīng)，所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測試非常重要。

6、IGBT開關(guān)特性非常重要，需要進(jìn)行雙脈沖動態(tài)參數(shù)的測試。

IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測試儀器簡介

高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高（3000V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限，輸出及測量電壓0~3000V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。

技術(shù)指標(biāo)

電壓性能參數(shù)：

電流性能參數(shù)：

應(yīng)用領(lǐng)域：

用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點(diǎn)具有重大意義。

IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測試儀器訂貨信息