單晶硅差壓變送器作為一種高精密的測(cè)量儀器，在自動(dòng)化領(lǐng)域的應(yīng)用非常普遍和意義重大。在大多數(shù)的重要工業(yè)領(lǐng)域都得到廣泛的應(yīng)用，如火力發(fā)電、核電、石油冶煉、化工、鋼鐵、造紙、制藥、食品、水泥制造等領(lǐng)域。
這種單晶硅電阻式傳感器的輸出靈敏性高、信號(hào)量大、回差極小，并且電路設(shè)計(jì)較為簡潔可靠，所以上較多變送器制造廠商優(yōu)先采用此方案進(jìn)行變送器的研發(fā)和制造。但是較之上文提及的金屬電容式傳感器和單晶硅諧振式傳感器，單晶硅電阻芯片的應(yīng)用具有較為特殊的工藝要求。主要表現(xiàn)在硅芯片的無應(yīng)力封裝技術(shù)和硅薄膜的單向過載保護(hù)技術(shù)方面。
單晶硅差壓變送器優(yōu)勢(shì)表現(xiàn)為：
1.準(zhǔn)確度等級(jí)達(dá)到0.05級(jí)，并取得計(jì)量器具制造許可證；
2.差壓變送器zui高工作靜壓可達(dá)40MPa，單向過載壓力zui高可達(dá)40MPa；
3.微差壓變送器采用*的雙過載保護(hù)膜片技術(shù)，可達(dá)±0.075%的高測(cè)量精度，zui大的工作靜壓達(dá)到16MPa，zui小的測(cè)量差壓為-50Pa~50Pa；
4.差壓傳感器內(nèi)部可選封裝絕壓傳感器，可用于現(xiàn)場(chǎng)工作靜壓的測(cè)量和顯示，也可應(yīng)用于靜壓補(bǔ)償，使得單晶硅壓力變送器的靜壓性能，使得典型規(guī)格的靜壓誤差*為≤±0.05%/10MPa。同時(shí)，由于內(nèi)部絕壓傳感器的集成，保證了多參數(shù)變送器的成功研發(fā)，可廣泛用于氣體流量的測(cè)量領(lǐng)域，并*了國內(nèi)多參數(shù)變送器的空白。
5.壓力、差壓傳感器內(nèi)部集成的高靈敏度溫度傳感器，使得變送器溫度性能，*為≤±0.04%/10K；
6.6kPa和40kPa微壓力量程表壓/絕壓變送器可選用*無傳壓損耗過載保護(hù)膜片技術(shù)，單向過壓zui高達(dá)7MPa，大幅拓寬了微壓力傳感器的特殊領(lǐng)域的應(yīng)用范圍；
7.典型規(guī)格的長期零位漂移量≤±0.1%/3年，并通過12萬次90%的量程的極限壓力疲勞測(cè)試，達(dá)到了10年免維護(hù)的能力；
8.實(shí)現(xiàn)了極寬的測(cè)量范圍0-100Pa～60MPa，zui高100:1的可調(diào)節(jié)量程比輸出；
9.遠(yuǎn)傳變送器采用*的超高溫技術(shù)，可應(yīng)用于400℃超高溫測(cè)量場(chǎng)合，突破了遠(yuǎn)傳產(chǎn)品應(yīng)用和測(cè)量的瓶頸。
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