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NexION 300S ICP-MS 對(duì)光刻膠中的Si的分析

閱讀：1013 發(fā)布時(shí)間：2020-05-21

使用ICP、ICP-MS分析時(shí)存在光學(xué)干擾，而儀器的結(jié)構(gòu)又決定了Si的檢出限比其他元素更高，所以為了分析低濃度的Si，必須去除光學(xué)干擾或更換儀器進(jìn)樣系統(tǒng) ( 霧室、霧化器、中心管、炬管 )。

本實(shí)驗(yàn)的目的是利用NexION 的 DRC模式確定分析Si的好條件。

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