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北大實現(xiàn)世界上千兆赫茲碳納米管集成電路

儀表研發(fā) 2017年12月13日 18:07:20來源:北大信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院 16145
摘要北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院、納米器件物理與化學(xué)教育部重點實驗室彭練矛教授-張志勇教授團隊在世界上實現(xiàn)工作在千兆赫茲頻率的碳管集成電路。

  【儀表網(wǎng) 儀表研發(fā)】集成電路芯片遵從摩爾定律,通過縮減晶體管尺寸,不斷提升性能和集成度,成本得以降低;然而,進一步發(fā)展卻受到來自物理極限、功耗和制造成本的限制,需要采用新興信息器件技術(shù)支撐未來電子學(xué)的發(fā)展。碳納米管被認為是構(gòu)建亞10nm晶體管的理想材料;理論和實驗研究均表明相較硅基器件而言,其具有5~10倍的本征速度和功耗優(yōu)勢,性能接近由量子測不準原理所決定的電子開關(guān)的極限,有望滿足后摩爾時代集成電路的發(fā)展需求。但是,由于寄生效應(yīng)較大,實際制備的碳管集成電路工作頻率較低(一般在兆赫茲以下,1MHz=106Hz),比硅基互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)電路的工作頻率(千兆赫茲,即吉赫茲,1GHz=103MHz=109Hz)低幾個數(shù)量級。在商業(yè)機器公司(IBM)研究人員2017年8月發(fā)表的基于碳管陣列的環(huán)形振蕩器的研究工作中,振蕩頻率達282MHz,仍遠遠低于預(yù)期。因此,大幅度提升碳納米管集成電路的工作頻率成為發(fā)展碳納米管電子學(xué)的重要挑戰(zhàn)。
 
  北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院、納米器件物理與化學(xué)教育部重點實驗室彭練矛教授-張志勇教授團隊在碳納米管電子學(xué)領(lǐng)域潛心研究十幾年,發(fā)展了一整套碳管CMOS技術(shù),前期已實現(xiàn)亞10nm CMOS器件以及中等規(guī)模集成電路。日前,他們通過對碳管材料、器件結(jié)構(gòu)/工藝和電路版圖的優(yōu)化,在世界上實現(xiàn)工作在千兆赫茲頻率的碳管集成電路,有力推動了碳納米管電子學(xué)的發(fā)展。
 
  團隊首先通過優(yōu)化碳管材料、器件結(jié)構(gòu)和工藝,提升碳納米管晶體管的跨導(dǎo)和驅(qū)動電流;對于柵長為120nm的晶體管,在0.8V的工作電壓下,其開態(tài)電流和跨導(dǎo)分別達到0.55mA/μm和0.46mS/μm,其中跨導(dǎo)為已發(fā)表碳管器件的高值?;谌绱诵阅艿钠骷晒崿F(xiàn)了五級環(huán)振,振蕩頻率達680MHz。而后,團隊進一步優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),在源漏和柵之間引入空氣側(cè)墻,以減少源漏寄生電容;同時增加?xùn)烹娮璧暮穸龋詼p少寄生電阻,振蕩頻率達到2.62GHz。在此基礎(chǔ)上,團隊通過縮減碳管晶體管柵長和優(yōu)化電路版圖,將五級環(huán)振振蕩頻率進一步提升至5.54GHz,比此前發(fā)表的高紀錄(282MHz)提升了幾乎20倍;而120nm柵長碳管器件的單級門延時僅為18ps,在沒有采用多層互聯(lián)技術(shù)的前提下,速度已接近同等技術(shù)節(jié)點的商用硅基CMOS電路。更為重要的是,該技術(shù)所采用的碳納米管薄膜作為有源區(qū)材料,可實現(xiàn)高性能碳管環(huán)振電路的批量制備,且電路成品率為60%,環(huán)振的平均振蕩頻率為2.62GHz,表征差為0.16GHz,表現(xiàn)出較好的性能均一性。
 

 
  《自然·電子學(xué)》截屏與文中描述的碳納米管環(huán)形振蕩電路:(a)五級環(huán)振電路掃描電鏡照片;(b)5.54 GHz的碳管環(huán)振電路;(c)環(huán)振頻率的統(tǒng)計直方圖;(d)與其他碳管材料、二維材料和硅基環(huán)振的單級門延時對比。
 
  2017年12月11日,上述工作以題為《基于碳納米管薄膜的千兆赫茲集成電路》(Gigahertz integrated circuits based on carbon nanotube films)的論文在線發(fā)表于《自然·電子學(xué)》(Nature Electronics, DOI:10.1038/s41928-017-0003-y),即將正式刊載于該期刊的創(chuàng)刊號,這也是北京大學(xué)在該期刊發(fā)表的首篇論文。信息學(xué)院2013級博士研究生仲東來為作者,張志勇教授和彭練矛教授為共同通訊作者。這項研究工作不僅極大推進了碳納米管集成電路的發(fā)展,更表明基于現(xiàn)有的碳管材料,通過簡單工藝已可能實現(xiàn)性能與商用單晶硅基CMOS性能相當?shù)募呻娐?;如果采用更為理想的材?例如高密度碳管平行陣列)和更的加工工藝,則有望推動碳納米管技術(shù)在速度和功耗等方面全面超過硅基CMOS技術(shù)。
 
  該項研究得到國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學(xué)基金、北京市科技計劃和建設(shè)世界大學(xué)(學(xué)科)和特色發(fā)展引導(dǎo)專項的資助。
 
  (原標題:信息學(xué)院彭練矛-張志勇團隊實現(xiàn)世界上千兆赫茲碳納米管集成電路)

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