特性:
1. 采用碳化硅(SiC)材料
2. 寬頻段(UVA+UVB+UVC)
3. 有效探測(cè)區(qū)域0.2mm2(SG01M-51LENS敏感區(qū)域?yàn)?/span>11.0mm2,可探測(cè)非常弱的輻射)
4. 10mW/cm2峰值輻射照度產(chǎn)生約2600nA電流(10uW/cm2峰值的SG01M-51LENS約140nA)
5. 芯片高度穩(wěn)定性(通過德國(guó)PTB認(rèn)證)
關(guān)于碳化硅材料(SiC):
SiC可承受輻射硬度,近乎*的可見盲區(qū),低暗電流,高速響應(yīng)和低噪音的*屬性;這些功能使SiC成為可見盲區(qū)紫外探測(cè)器的使用材料。SiC探測(cè)器可以*工作在高達(dá)170℃的溫度中,信號(hào)(響應(yīng)率)的溫度系數(shù)也很低,<0.1%/K。由于(fA級(jí)別的暗電流)噪音低,很低的紫外線輻射強(qiáng)度也可以可靠地測(cè)量,(需要適當(dāng)?shù)姆糯笃鳎?/span>
SiC光電二極管可作為未濾波的寬帶探測(cè)設(shè)備或帶有光學(xué)濾波器,提供對(duì)UVA、UVB、UVC波段的響應(yīng)。
技術(shù)參數(shù):
型號(hào) | SG01M-18 | SG01M-18S | SG01M-18ISO90 | SG01M-5LENS |
響應(yīng)率 | 0.13A/W | 0.13A/W | 0.13A/W | 0.13A/W |
波長(zhǎng)典型值 | 280nm | 280nm | 280nm | 280nm |
波長(zhǎng)范圍(S=0.1*Smax) | 221-358nm | 221-358nm | 221-358nm | 221-358nm |
可見盲區(qū)(Smax/S>405nm) | >1010 | >1010 | >1010 | >1010 |
有效探測(cè)區(qū)域 | 0.2mm2 | 0.2mm2 | 0.2mm2 | 0.2mm2(芯片尺寸)11.0mm2(輻射敏感區(qū)域) |
暗電流(1V反向偏壓) | 0.7fA | 0.7fA | 0.7fA | 0.7fA |
電容 | 50pF | 50pF | 50pF | 50pF |
短路電流(10mW/cm2峰值輻射照度) | 約2600nA | 約2600nA | 約2600nA | (10uW/cm2峰值)約140nA |
溫度系數(shù) | <0.1%/K | <0.1%/K | <0.1%/K | <0.1%/K |
操作溫度 | -55~+170℃ | -55~+170℃ | -55~+170℃ | -55~+170℃ |
儲(chǔ)存溫度 | -55~+170℃ | -55~+170℃ | -55~+170℃ | -55~+170℃ |
焊接溫度(3S) | 260℃ | 260℃ | 260℃ | 260℃ |
反向電壓VRmax | 20V | 20V | 20V | 20V |
物理特性 | 采用T018金屬外殼密封,1針腳絕緣,1針腳接地 | 采用T018金屬外殼密封,帶小蓋帽,1針腳絕緣,1針腳接地 | 采用T018金屬外殼密封,2針腳絕緣,1針腳接地 | 內(nèi)置聚光鏡,采用T05金屬外殼密封,1針腳絕緣,1針腳接地 |