| 种类:压力 | 材料:硅-蓝宝石 |
| 材料物理性质:绝缘体 | 材料晶体结构:单晶 |
| 制作工艺:薄膜 | 输出信号:数字型 |
| 防护等级:IP65 | 线性度:± 0.2（%F.S.） |
| 重复性:± 0.1（%F.S.） | 漂移:＜± 10mV |
| 种类:压力 | 材料:硅-蓝宝石 |
| 材料物理性质:绝缘体 | 材料晶体结构:单晶 |
| 制作工艺:薄膜 | 输出信号:数字型 |
| 防护等级:IP65 | 线性度:± 0.2（%F.S.） |
| 重复性:± 0.1（%F.S.） | 漂移:＜± 10mV |
HISPEC c○系列HI2000型高性能硅-蓝宝石压力传感器
*硅-蓝宝石传感器技术
*压力范围0 -500mbar至0 -1500bar
*的热性能
*国家的的技术
*0-100mV时，0 - 5V或0 - 10V输出色的精度
*的*稳定性
*全钛合金
*高工作温度
产品简介
HISPEC系列HI2000型压力传感器主要是采用SOS制造工艺，它具有很高的精度，同类产品不是性能不佳就是价格过高。该产品的硅应变化片电阻器是外延地生长在蓝宝石膜片表面的，并成为一种辐射状硬化结构。这种结构除无滞后效应及其它优良性能外，还可以防护来自脉冲电磁场对应变得感应。
敏感元件结构采用BT9钛合金压力孔和膜片完整和蓝宝石膜片配合在一起。因此这种钛蓝宝石结构的敏感件能在高温及低温条件下都能保持其稳定性。
典型的应用实例如：高温条件下喷气式发动机或其他机械的运行试验、过程监视、油或气体压力检测、水下探测，军事或其他高温领域或温度变化条件下压力精确数据的测量。目前可直接供货的产品压测范围为0-1bar到1-1000bar，数据输出0-100mv，0 -5V以及0-10V。
技术说明
HI2000/HI2010-（0-100mV输出）
压力输入绝缘电阻：100MΩ
压力范围：0-1bar至0-1000bar响应时间（63%）：0.2ms
压力基准：表压工作环境
过载能力：150%F.S.O（1000bar以下）使用温度：-50至+150℃或+200℃
110%F.S.O（1000bar）储藏温度：-65至+165℃
数据输出热效应零点：＜±0.005%F.S.O/℃
灵敏度：10mV/V（常规），四线热灵敏度：＜±0.005%F.S.O/℃
范围：0-100mV振动容限：＜±0.02%/g
常态电压：DC2-4V加速度容限：＜±0.02%/g
精度特性机械冲击容限：15 g
零点偏移：＜±10mV相对湿度：95%
量程容限：＜±30%F.S.O物理特性
非线性：±0.2%F.S.O接口尺寸：1/4”BSP外螺纹（其他另订）
重复性：＜±0.1%F.S.O电气连接：HI2000直接出屏蔽线
稳定性：＜±0.2%F.S.O/6月HI2100 MIL-C-26482六针接头
电气特性防护等级：IP65
供电：DC5-15V固有频率：8KHz
电源电压反极性：带保护重量：85克
工作电流：5mA外体材质：300系列不锈钢
输入输出阻抗：1500Ω±30%测口材质：采用BT9钛合金
安装尺寸
公司生产的所有产品·传感器
使用校准精度校准设备
可追溯性的标准。
压力范围
传感器经营政策的连续
产品的开发。我们保留权利
改变规格，恕不另行通知。
