MYN3-40KJ-470V～1400V支架式組合保護(hù)器,晶閘管保護(hù)器是我公司在多年從事高能氧化鋅壓敏電阻生產(chǎn)的基礎(chǔ)上，專為大功率器件(晶閘管)設(shè)計(jì)的保護(hù)裝置。
其產(chǎn)品型號(hào)有MYN2(支架型)、MYN3(密封支架型)、KPP(支架型、直插式A型、直插式B型)和KPP-D(導(dǎo)軌式)等。
MYN3-40KJ-470V～1400V支架型過(guò)電壓保護(hù)器，MYN3-40KJ-470V～1400V氧化鋅壓敏電阻器，MYN3-40KJ-470V～1400V晶閘管保護(hù)器；MYN3-40KJ-470V～1400V支架型過(guò)電壓保護(hù)器，MYN3-40KJ-470V～1400V氧化鋅壓敏電阻器，MYN3-40KJ-470V～1400V晶閘管保護(hù)器；
一、產(chǎn)品
晶閘管保護(hù)器是我公司在多年從事高能氧化鋅壓敏電阻生產(chǎn)的基礎(chǔ)上，專為大功率器件（晶閘管）設(shè)計(jì)的保護(hù)裝置。
其產(chǎn)品型號(hào)有MYN2（支架型）、MYN3（密封支架型）、KPP（支架型、直插式A型、直插式B型）和KPP-D（導(dǎo)軌式）等。
二、特點(diǎn)和用途
晶閘管在交直流系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用，但晶閘管的過(guò)載能力較差，較短時(shí)間的過(guò)壓和過(guò)流都會(huì)導(dǎo)致晶閘管損壞，因此在線路設(shè)計(jì)上必須給晶閘管配備過(guò)電壓和過(guò)電流保護(hù)裝置。
而傳統(tǒng)上用（RC）電阻電容組成的限壓、吸能裝置都存在體積大，成本高，響應(yīng)速度慢等缺陷，而高能氧化鋅壓敏電阻器具有伏安特性曲線陡峭（如圖1）能有效地將過(guò)電壓控制在設(shè)定范圍；能承受500J/cm3以上的能量密度；30V/mm的低電位剃度。根據(jù)以上特性，以高能氧化鋅壓敏電阻為核心元件的晶閘管保護(hù)器*克服了RC保護(hù)的不足，并且二者的比較而言晶閘管保護(hù)器具有響應(yīng)速度更快（ns級(jí)）自復(fù)能力強(qiáng)，功耗小（<0.3W）穩(wěn)定可靠，造價(jià)低，體積小，無(wú)噪音，安裝維護(hù)方便，使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，近十年在各種整流和傳動(dòng)得到廣泛應(yīng)用。
晶閘管在交直流系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用，但晶閘管的過(guò)載能力較差，較短時(shí)間的過(guò)壓和過(guò)流都會(huì)導(dǎo)致晶閘管損壞，因此在線路設(shè)計(jì)上必須給晶閘管配備過(guò)電壓和過(guò)電流保護(hù)裝置。
而傳統(tǒng)上用（RC）電阻電容組成的限壓、吸能裝置都存在體積大，成本高，響應(yīng)速度慢等缺陷，而高能氧化鋅壓敏電阻器具有伏安特性曲線陡峭（如圖1）能有效地將過(guò)電壓控制在設(shè)定范圍；能承受500J/cm3以上的能量密度；30V/mm的低電位剃度。根據(jù)以上特性，以高能氧化鋅壓敏電阻為核心元件的晶閘管保護(hù)器*克服了RC保護(hù)的不足，并且二者的比較而言晶閘管保護(hù)器具有響應(yīng)速度更快（ns級(jí)）自復(fù)能力強(qiáng)，功耗小（<0.3W）穩(wěn)定可靠，造價(jià)低，體積小，無(wú)噪音，安裝維護(hù)方便，使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，近十年在各種整流和傳動(dòng)得到廣泛應(yīng)用。
三、技術(shù)參數(shù)、外形及安裝尺寸
MYN3過(guò)電壓保護(hù)器，MYN3晶閘管保護(hù)器,MYN3氧化鋅壓敏電阻器
MYN3過(guò)電壓保護(hù)器，MYN3晶閘管保護(hù)器,MYN3氧化鋅壓敏電阻器
| 型號(hào) | 標(biāo)稱電壓 （V） | 能容量 （KJ） | 泄漏電流 （μA） | 壓比 | 外形及安裝尺寸（mm） | |||
| L | W | H | l | |||||
| MYN3-10-470～680 | 470～680 | 8～10 | ≤50 | ≤1.5 | 95 | 75 | 108 | Φ5×76 |
| MYN3-20-800～1400 | 800～1400 | 15～20 | ≤50 | ≤1.5 | 110 | 75 | 108 | Φ5×90 |
| MYN3-30-1400～2100 | 1400～2100 | 25～30 | ≤50 | ≤1.5 | 125 | 75 | 108 | Φ5×105 |
| MYN3-40-2100～2700 | 2100～2700 | 35～40 | ≤50 | ≤1.5 | 135 | 75 | 108 | Φ5×115 |
| MYN3-20-470～680 | 470～680 | 15～20 | ≤50 | ≤1.5 | 105 | 110 | 130 | Φ8×82 |
| MYN3-40-470～1400 | 470～1400 | 30～40 | ≤50 | ≤1.5 | 120 | 110 | 130 | Φ8×98 |
| MYN3-80-470～2500 | 470～2500 | 45～80 | ≤50 | ≤1.5 | 140 | |||
注:可按照客戶要求制造
四、選型
1、標(biāo)稱電壓：晶閘管保護(hù)器的標(biāo)稱電壓，指通過(guò)10mA直流電流時(shí)產(chǎn)品兩端的直流電壓，其計(jì)算公式為：
1、標(biāo)稱電壓：晶閘管保護(hù)器的標(biāo)稱電壓，指通過(guò)10mA直流電流時(shí)產(chǎn)品兩端的直流電壓，其計(jì)算公式為：
式中：
Ux — 變壓器次級(jí)額定線電壓（交流有效值）
△U — 電網(wǎng)的波動(dòng)系數(shù)
75% — 壓敏電阻的荷電率
實(shí)際運(yùn)行中，產(chǎn)品的有效荷電率低于75%，實(shí)測(cè)壓敏電壓應(yīng)滿足標(biāo)稱值的±5%誤差。
2、保護(hù)器的泄露電流；指在75% U10mA的電壓下流經(jīng)保護(hù)器的直流電流。
3、殘壓比：晶閘管的壓比為C1、C2。
式中：
U100A是通過(guò)100A時(shí)所對(duì)應(yīng)的電壓，U10mA為標(biāo)稱電壓，U60A為通過(guò)60A時(shí)所對(duì)應(yīng)的電壓。C1、C2 越小保護(hù)性能越好，用戶可根據(jù)晶閘管參數(shù)及線路要求確定殘壓比的大小。
殘壓比如圖所示：
Ux — 變壓器次級(jí)額定線電壓（交流有效值）
△U — 電網(wǎng)的波動(dòng)系數(shù)
75% — 壓敏電阻的荷電率
實(shí)際運(yùn)行中，產(chǎn)品的有效荷電率低于75%，實(shí)測(cè)壓敏電壓應(yīng)滿足標(biāo)稱值的±5%誤差。
2、保護(hù)器的泄露電流；指在75% U10mA的電壓下流經(jīng)保護(hù)器的直流電流。
3、殘壓比：晶閘管的壓比為C1、C2。
式中：
U100A是通過(guò)100A時(shí)所對(duì)應(yīng)的電壓，U10mA為標(biāo)稱電壓，U60A為通過(guò)60A時(shí)所對(duì)應(yīng)的電壓。C1、C2 越小保護(hù)性能越好，用戶可根據(jù)晶閘管參數(shù)及線路要求確定殘壓比的大小。
殘壓比如圖所示：
4、能量容量：
晶閘管保護(hù)器的能量容量，交流則一般按下式計(jì)算：
W=3（Wf+Wy）
式中：
W——保護(hù)器的能量容量 Wy——變壓器空載拉閘時(shí)初級(jí)繞組的儲(chǔ)能
Wf——直流側(cè)關(guān)斷時(shí)變壓器次級(jí)繞組的儲(chǔ)能
直流側(cè)晶閘管保護(hù)器的能量容量計(jì)算：
式中：
Im——電機(jī)電樞允許的zui大電流，可選2.5倍額定電流
L——直流電機(jī)電樞電感
為便于用戶選擇晶閘管保護(hù)器的能量容量之大小，特列下表以資參考：
晶閘管保護(hù)器的能量容量，交流則一般按下式計(jì)算：
W=3（Wf+Wy）
式中：
W——保護(hù)器的能量容量 Wy——變壓器空載拉閘時(shí)初級(jí)繞組的儲(chǔ)能
Wf——直流側(cè)關(guān)斷時(shí)變壓器次級(jí)繞組的儲(chǔ)能
直流側(cè)晶閘管保護(hù)器的能量容量計(jì)算：
式中：
Im——電機(jī)電樞允許的zui大電流，可選2.5倍額定電流
L——直流電機(jī)電樞電感
為便于用戶選擇晶閘管保護(hù)器的能量容量之大小，特列下表以資參考：
| 變壓器容量（KVA） | 400以下 | 800-1100 | 1200-2000 | 2100-2500 | 2500-4000 | 4000以上 |
| 保護(hù)器能容能量 （KJ） | 5 | 10 | 15 | 20 | 25 | 35 |
保護(hù)器能量容量與通流容量對(duì)應(yīng)關(guān)系表：
| 保護(hù)器能容能量 （KJ） | 5-10 | 5-20 | 25-35 |
| 8/20us雷電波（KA） | 40 | 60 | 80 |
| 2ms方波（A） | 400 | 600 | 800 |
5、快速熔斷器RD的選擇
保護(hù)器的失效狀態(tài)是以短路為特征，需加RD快速熔斷器做短路保護(hù)。RD的選擇一般是參照下式計(jì)算：
式中：
IK——晶閘管實(shí)際工作電流有效值。
IKR——RD熔體的額定電流。
IT——晶閘管的額定電流。
五、典型接線方式
六、使用條件
本產(chǎn)品正常使用的環(huán)境條件如下所述：
1、適用于戶內(nèi)外
2、環(huán)境溫度：-25～+40℃
3、海拔高度：2000米以下
4、相對(duì)濕度：+45± 2℃≤95%
5、機(jī)械震動(dòng)：10g,50±Hz
6、碰撞：10g,1000± 10次
7、恒定濕熱：滿足GB2423.3-81二級(jí)實(shí)驗(yàn)條件；
鹽霧：滿足GB1093.2-90實(shí)驗(yàn)條件；
霉菌：滿足GB2423.16-90實(shí)驗(yàn)JB方法，達(dá)1級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。
保護(hù)器的失效狀態(tài)是以短路為特征，需加RD快速熔斷器做短路保護(hù)。RD的選擇一般是參照下式計(jì)算：
式中：
IK——晶閘管實(shí)際工作電流有效值。
IKR——RD熔體的額定電流。
IT——晶閘管的額定電流。
五、典型接線方式
六、使用條件
本產(chǎn)品正常使用的環(huán)境條件如下所述：
1、適用于戶內(nèi)外
2、環(huán)境溫度：-25～+40℃
3、海拔高度：2000米以下
4、相對(duì)濕度：+45± 2℃≤95%
5、機(jī)械震動(dòng)：10g,50±Hz
6、碰撞：10g,1000± 10次
7、恒定濕熱：滿足GB2423.3-81二級(jí)實(shí)驗(yàn)條件；
鹽霧：滿足GB1093.2-90實(shí)驗(yàn)條件；
霉菌：滿足GB2423.16-90實(shí)驗(yàn)JB方法，達(dá)1級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。
七、質(zhì)量保證
1. 產(chǎn)品出廠前由廠質(zhì)量檢驗(yàn)中心檢驗(yàn)員與需方代表按“技術(shù)協(xié)議書(shū)”的條款檢測(cè)驗(yàn)收。
2. 用戶按規(guī)定使用環(huán)境條件和技術(shù)條件正常使用，若出現(xiàn)產(chǎn)品損壞，供方負(fù)責(zé)免費(fèi)更換。
3. 用戶如有技術(shù)問(wèn)題或質(zhì)量問(wèn)題，請(qǐng)即使反饋信息，以利及時(shí)解決。
2. 用戶按規(guī)定使用環(huán)境條件和技術(shù)條件正常使用，若出現(xiàn)產(chǎn)品損壞，供方負(fù)責(zé)免費(fèi)更換。
3. 用戶如有技術(shù)問(wèn)題或質(zhì)量問(wèn)題，請(qǐng)即使反饋信息，以利及時(shí)解決。
八、注意事項(xiàng)
1. 本產(chǎn)品不可隨意拆卸。
2. 本產(chǎn)品有豎直和水平兩種安裝方式，用戶可自行決定，其電氣性能不受安裝方式的影響。
3. 本產(chǎn)品的緊固螺母不可隨意擰動(dòng)。
1. 本產(chǎn)品不可隨意拆卸。
2. 本產(chǎn)品有豎直和水平兩種安裝方式，用戶可自行決定，其電氣性能不受安裝方式的影響。
3. 本產(chǎn)品的緊固螺母不可隨意擰動(dòng)。
MYN2支架型過(guò)電壓保護(hù)器型號(hào)：MYN3-10KJ-470V～680V；MYN3-20KJ-800V～1400V；MYN3-30KJ-1400V～2100V；MYN3-40KJ-2100V～2700V；MYN3-20KJ-470V～680V；MYN3-40KJ-470V～1400V；MYN3-80KJ-470V～2500V晶閘管保護(hù)器,氧化鋅壓敏電阻器：MYN3-10KJ-470V～680V；MYN3-20KJ-800V～1400V；MYN3-30KJ-1400V～2100V；MYN3-40KJ-2100V～2700V；MYN3-20KJ-470V～680V；MYN3-40KJ-470V～1400V；MYN3-80KJ-470V～2500V
