ZK-1可控硅電壓調(diào)整器,ZK-2可控硅電壓調(diào)整器ZK-3可控硅電壓調(diào)整器,ZK-1,ZK-2,ZK-3,ZK系列可控硅電壓調(diào)整器與可控硅配合使用，可對負載上的加熱功率進行調(diào)節(jié)，移相觸發(fā)方式有深度電壓負反饋，因此有良好的調(diào)整線性，電網(wǎng)波動的影響也減之zui小。過零觸發(fā)型儀器設計有電網(wǎng)電壓波動補償功能，可穩(wěn)定不同供電電壓時的加熱功率。 儀器對可控硅有移相和過零二種觸發(fā)方式，移相觸發(fā)方式改變負載上每個作功波形的有效值，采用連續(xù)緩慢調(diào)壓的方式調(diào)節(jié)加熱功率，精度和穩(wěn)定性都較好，能用普通電表作負載電壓電流檢測。過零發(fā)方式增減單位時間內(nèi)地負載上完整的作功波形數(shù)，采用間歇調(diào)動的方式調(diào)節(jié)加熱功率，由于可控硅地電網(wǎng)電壓過零時導通，故無射頻干擾，但不能用普通電表作負載電壓電流檢測。 該產(chǎn)品可我公司的具有0-10mA或4~20mA變送輸出的XMT612 -18 ,XMT622-628, XMT-191等系列溫控儀表配合使用，從而構成單相或三相電阻爐的溫度高精度自動控制。 二、 特點 １、 新型設計，平面內(nèi)裝大型電表作輸出指示，易于讀數(shù)和機械調(diào)零。儀器深度比一般產(chǎn)品縮短一半，重量減輕2公斤，耐震動性能好，抗*力強。 ２、 在負載短路或過電流時，儀器可在1～2個周波內(nèi)自動關閉可控硅的觸發(fā)信號，使可控硅載流而免遭損壞，同時具有負載短路指示功能。 ３、 直接從電網(wǎng)取同步信號，適用于“Y”形接線方法， 控制穩(wěn)定可靠。 三、 型號編制說明：ZK可控硅電壓（平均功率）調(diào)整器 １．ＺＫ－１表示為：面型尺寸160（寬）×８０（高）×１３０（深）的單相移相觸發(fā)可 控硅電壓調(diào)整器。 ２．ＺＫ－３表示為：面型尺寸的160（寬）×８０（高）×１３０（深）三相移相觸發(fā)可控硅電壓調(diào)整器。 四、 主要技術指標： １、 輸入信號：0~10mA（輸入阻抗800Ω）或4～20mA（輸入阻抗250Ω）; ２、 輸出脈沖：幅值不小于3V、寬度不小于50uS（20Ω負載時）; ３、 移相觸發(fā)型zui大導通角：不小于150度; ４、 工作環(huán)境：溫度0~50℃相對濕度不超過85%的無腐蝕性氣體場合; ５、 電源：交流220V±15%,50Hz約3VA ６、 重量：約0.8Kg 五、 安裝： 1. 檢查儀表下列附件是否齊全：安裝螺釘二副、安裝板二副； 2. 將輸入、輸出（可控硅的控制極G1、G2和K1、K2）、反饋、電源、地線及電爐連線全部按說明書接妥。 3. 采用“Ｙ”形接法時，可控硅的耐壓必須在600V以上?？煽毓璧念~定電流必須在實際使用電流的1.5倍以上。可控硅應該配用面積足夠大的散熱器，并注意通風散熱良好，以保證可控硅在任何情況下的溫度不超過120℃。當控制方式為半控時，二極管Ｄ的耐壓、電流指標同單向可控硅。 4. 與可控硅陽極串接的三支熔絲必須接在相線輸入端，不得接在其它位置。 5. 如果可控硅散熱器帶電，安裝時應充分考慮防止觸電及可控硅間相互短路。 6. 如接入電流表，必須串接于可控硅的陽極位置，勿使觸發(fā)信號流經(jīng)電流表。 7. 儀器至可控硅的每相觸發(fā)信號線應盡量短和其它線分開布線，以免因相互干擾導致可控硅觸發(fā)失控。 六、 使用與調(diào)整： 1. 將“手動~自動”切換開關置于“手動”位置，把面板上的“手動調(diào)節(jié)”旋鈕反時針旋足，接通電源開關，電源指示燈亮，儀器即可工作。 2. 調(diào)節(jié)面板上的“手動調(diào)節(jié)”旋鈕，反映爐子加溫電壓的電表讀數(shù)將從零逐漸增加到90%左右，然后將電表讀數(shù)減小到40%左右，稍待片刻，爐溫上升，說明儀器“手動”部分工作正常。 3. 如本儀器與具有電流輸出的Ｐ.I.D調(diào)節(jié)儀表配合使用，將“手動~自動”開關置于“自動”位置，這時負載上的加熱電壓自動受控于