概述
產(chǎn)品參數(shù)
沿用"SU8200系列"的冷場(chǎng)發(fā)射電子槍*2
采用電子束在Flashing后出現(xiàn)的高亮度穩(wěn)定區(qū)域作為穩(wěn)定觀察的區(qū)間，使得低加速電壓條件下兼?zhèn)涓叻直嬗^察和分析的性能
(Regulus8240/8230/8220: 0.7 nm/1 kV、Regulus8100: 0.8 nm/1 kV)采用污染小、高真空樣品倉(cāng)
運(yùn)用能量過濾器(選配)，可觀察到多種成分對(duì)比度*2
極低著陸電壓下高分辨觀察
樣品：金顆粒
著陸電壓：10 V
超高分辨觀察
樣品：Pt催化劑
加速電壓：30 kV
低加速電壓下高分辨EDX分析
樣品：Sn球
著陸電壓：1.5 kV
*2
Regulus8240/8230/8220
產(chǎn)品參數(shù)
| 項(xiàng)目 | 內(nèi)容 | ||
|---|---|---|---|
| 圖像分辨率 | 二次電子分辨率 | 0.8 nm/15 kV | |
| 0.9 nm/1 kV | |||
| 放大倍率 | 20～2,000,000 x | ||
| 電子槍 | 發(fā)射體 | ZrO/W熱場(chǎng)發(fā)射（肖特基熱場(chǎng)發(fā)射） | |
| 加速電壓 | 0.1～30 kV （步進(jìn)：0.01 kV） | ||
| 束流 | 200 nA | ||
| 探測(cè)器 | 標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器 | UD （上探測(cè)器) | |
| MD （中探測(cè)器） | |||
| LD （下探測(cè)器) | |||
| 選配探測(cè)器*1 | PD-BSED (半導(dǎo)體式背散射電子探測(cè)器） | ||
| UVD（高靈敏度低真空探測(cè)器 ） | |||
| 低真空模式*1 | 樣品倉(cāng)壓力范圍 | 5～300 Pa | |
| 可使用探測(cè)器 | PD-BSED, UVD, UD, MD, LD | ||
| 馬達(dá)臺(tái) | 馬達(dá)臺(tái)控制 | 5軸馬達(dá)驅(qū)動(dòng) | |
| 移動(dòng)范圍 | X | 0～135 mm | |
| Y | 0～100 mm | ||
| Z（WD） | 1.5～40 mm | ||
| T（傾斜角） | -5～70° | ||
| R（旋轉(zhuǎn)角） | 360° | ||
| 樣品尺寸 | 直徑：φ200 mm, 高度：80 mm | ||
| 顯示器*1 | 23英寸LCD （1,920×1,080）, 支持雙屏 | ||
| 圖像顯示模式 | 全屏顯示模式 | 1,280×960像素顯示 | |
| 單屏顯示模式 | 800×600像素顯示 | ||
| 雙屏顯示模式 | 800×600像素顯示、1,280×960像素顯示 *2 | ||
| 四屏顯示模式 | 640×480像素顯示 | ||
| 六屏顯示模式*2 | 640×480像素顯示 *2 | ||
| 圖像數(shù)據(jù)保存 | 保存圖像尺寸 | 640×480、1,280×960、2,560×1,920、5,120×3,840、10,240×7,680 | |
| 選配附件 | 能譜儀（EDX） | ||
| X射線波譜儀（WDX） | |||
| 電子背散射衍射（EBSD） | |||
| 陰極熒光探測(cè)器（CL) | |||
| 冷凍傳輸系統(tǒng) | |||
| 各種功能樣品臺(tái) | |||
*1
為選配項(xiàng)。
*2
支持雙屏顯示。
