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產(chǎn)品概述
晶振測(cè)試儀GDS-80M搭載智慧源自主研發(fā)的寬頻測(cè)試技術(shù)，支持高頻晶振的全參數(shù)快速測(cè)量與深度分析。其創(chuàng)新的自適應(yīng)抗干擾算法與多頻點(diǎn)校準(zhǔn)功能，確保在復(fù)雜電磁環(huán)境下仍能保持超高的測(cè)試重復(fù)性與穩(wěn)定性，適用于5G通信、衛(wèi)星導(dǎo)航、高速計(jì)算等高附加值領(lǐng)域。
核心功能與參數(shù)解析
串聯(lián)諧振頻率（Fs）與負(fù)載諧振頻率（Fl）
Fs（無(wú)負(fù)載諧振頻率）：精準(zhǔn)測(cè)定晶體在零相位偏移下的固有頻率，誤差低至±0.1ppm，為高頻晶振的基礎(chǔ)性能提供核心數(shù)據(jù)。
Fl（負(fù)載諧振頻率）：通過(guò)可編程負(fù)載電容（5pF–100pF）模擬真實(shí)電路環(huán)境，驗(yàn)證晶體在目標(biāo)應(yīng)用中的實(shí)際工作頻率。
等效電阻（R1）與負(fù)載電阻（RL）
R1（諧振電阻）：直接反映晶體的能量損耗水平，分辨率達(dá)0.1Ω，可快速識(shí)別有缺陷或性能退化的晶振。
RL（負(fù)載電阻）：結(jié)合用戶自定義的負(fù)載電容，精準(zhǔn)匹配高頻電路的阻抗特性，避免信號(hào)反射導(dǎo)致的頻率失真。
動(dòng)態(tài)參數(shù)（C1/L1）與品質(zhì)因數(shù)（Q值）
動(dòng)態(tài)電容（C1）與電感（L1）：基于改進(jìn)型π型等效電路模型，自動(dòng)計(jì)算晶體的動(dòng)態(tài)參數(shù)，幫助優(yōu)化高頻電路的相位噪聲與抗振性能。
Q值：支持10^6級(jí)品質(zhì)因數(shù)測(cè)量，助力設(shè)計(jì)高穩(wěn)定性振蕩器與窄帶濾波器。
負(fù)載電容（CL）與頻率牽引力（TS）
CL調(diào)節(jié)范圍：0~1nF（步進(jìn)0.1pF），支持多級(jí)負(fù)載電容切換測(cè)試，滿足TCXO/VCXO等復(fù)雜晶振的調(diào)頻需求。
TS靈敏度分析：量化頻率隨負(fù)載電容變化的斜率（ppm/pF），為高頻電路的溫度補(bǔ)償設(shè)計(jì)提供關(guān)鍵參數(shù)。
技術(shù)突破與優(yōu)勢(shì)
高頻覆蓋能力：采用超低相位噪聲信號(hào)源與多級(jí)濾波技術(shù)，可在1MHz–60MHz范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)-160dBc/Hz@1kHz的相位噪聲性能。
極速測(cè)試：多參數(shù)并行處理架構(gòu)使單次測(cè)試時(shí)間縮短至0.3秒，配合1000組內(nèi)部存儲(chǔ)，大幅提升產(chǎn)線效率。
智能互聯(lián)：配備LAN/USB/GPIB接口，支持SCPI指令集與LabVIEW二次開(kāi)發(fā)，無(wú)縫集成自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)（ATE）。
防護(hù)：全鑄鋁外殼通過(guò)IP54認(rèn)證，內(nèi)置主動(dòng)溫控系統(tǒng)，可在-40°C~85°C嚴(yán)苛環(huán)境下穩(wěn)定工作。
應(yīng)用場(chǎng)景
5G基站與光模塊：驗(yàn)證高頻晶體在毫米波頻段的頻率穩(wěn)定性與抗干擾能力。
衛(wèi)星導(dǎo)航與雷達(dá)：保障溫度下晶振的頻率精度與長(zhǎng)期老化特性。
AI算力芯片：為GPU/FPGA提供超低抖動(dòng)的時(shí)鐘源校準(zhǔn)支持。
車規(guī)級(jí)電子：通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證，滿足動(dòng)力系統(tǒng)與ADAS模塊的測(cè)試需求。
結(jié)語(yǔ)
智慧源晶振測(cè)試儀GDS-80M以高頻覆蓋、超精測(cè)量、智能擴(kuò)展三大核心價(jià)值，重新定義高頻晶振測(cè)試新標(biāo)準(zhǔn)。無(wú)論您是追求精度的研發(fā)機(jī)構(gòu)，還是需要萬(wàn)級(jí)產(chǎn)能保障的制造企業(yè)，GDS-80M都將成為您值得信賴的品質(zhì)伙伴。
智慧測(cè)試，源于專業(yè)——智慧源驅(qū)動(dòng)高頻科技未來(lái)！
注：本產(chǎn)品可根據(jù)需求選配晶振老化測(cè)試模塊與三溫測(cè)試夾具，全面滿足IEC 60679、MIL-PRF-3098等國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)要求。
