常規(guī)屬性
- 采用圓形離子源對全部樣品區(qū)域在惰性或反應氣體環(huán)境下進行刻蝕
- 可進行離子束刻蝕（IBE、IBM）、反應離子束刻蝕（RIBE）和化學輔助離子束刻蝕（CAIBE）
- 刻蝕角度調整：樣品臺可以旋轉且傾斜可調
- 可獲得的均勻性而無需修正擋板
- 通過反應氣體可以提高刻蝕速率，并控制刻蝕選擇性
- 通過基于SIMS（二次離子質譜）或光學的截止點探測技術控制工藝
- 可配備晶圓載具（wafer carrier）以適用不同尺寸基底
- 可以刻蝕光刻膠晶圓，具有良好的樣品冷卻配置
系統(tǒng)性能
scia Mill 150 | |
樣品尺寸 | ф150mm |
樣品夾具 | 水冷，氦背板冷卻 轉速：5 - 20 rpm 傾斜：0° - 165° 步長 0.1° |
離子源 | ф218mm的圓形ECR 微波源 MW218-e |
中和器 | 等離子體橋中和器N-3DC |
參考刻蝕速率 | SiO2：30nm/min |
刻蝕均勻性 | ≦1% (σ/mean) |
基礎真空度 | 5 x 10-7 mbar |
尺寸（不含電柜與真空泵） | 1.7m x 1.7m x 1.7m |
軟件界面 | SECS II / GEM, OPC |
標準配置 | 1 個工作倉 |
配置選項
- 單片 Load-Lock（可選）， OES 或SIMS截止點探測器（可選），加熱套
