- 采用聚焦離子束轟擊樣品表面,通過控制離子束焦斑在局部區(qū)域的駐留時(shí)間,來實(shí)現(xiàn)表面材料的定量去除,從而實(shí)現(xiàn)拋光或表面修整
- 適合于大口徑光學(xué)元件長期穩(wěn)定拋光
- 專用高效離子源保證大面積的高精度拋光
- 加工效率高
- 真空倉滑動(dòng)門設(shè)計(jì),可輕松裝載大型基板
- 針對(duì)批量生產(chǎn)的設(shè)計(jì),真空恢復(fù)用時(shí)短
scia Finish 1500 | |
樣品尺寸 | ф1500 mm,400 kg |
樣品臺(tái) | |
軸向直線運(yùn)動(dòng)特性 | 線速度0.15m/s, 線加速度15m/S2 |
離子源 | ★ 37mm 圓形射頻源RF37-i,束腰7--15mm (FWHM) ★ 120mm 圓形射頻源RF120-m,束腰16-- 36mm (FWHM)可選第二個(gè)離子源 |
中和器 | 射頻等離子橋中和器N-RF |
參考去除率 | SiO2: 14 mm3/h (RF37-i)96 mm3/h (RF120-m) |
加工后表面精度 | < 0.5nm rms (薄膜修整厚度不均勻性,與初始狀態(tài)有關(guān)) |
基礎(chǔ)真空度 | 1x10-6 mbar |
系統(tǒng)尺寸(W x D x H) | 3.6m x 7.7 m x 3.4 m (不含電柜和真空泵) |
軟件界面 | SECS II / GEM, OPC |