?閉環(huán)電流傳感器
?閉環(huán)電流傳感器由電流傳感器集成電路驅(qū)動(dòng)，產(chǎn)生與導(dǎo)體電流相反的磁場(chǎng)。這樣，霍爾傳感器就始終處于零磁場(chǎng)中。該電阻產(chǎn)生的輸出信號(hào)與線圈內(nèi)的電流成正比，而電流與線圈內(nèi)繞組的電流成正比。
盡管閉環(huán)結(jié)構(gòu)比開環(huán)結(jié)構(gòu)復(fù)雜，但?電流傳感器僅在零場(chǎng)下工作，從而消除了霍爾傳感器集成電路的靈敏度誤差。若設(shè)計(jì)合理，閉環(huán)與開環(huán)霍爾效應(yīng)電流傳感器一般具有相同的零安培輸出電壓特性，則兩個(gè)傳感器的零安培檢測(cè)精度相當(dāng)高。
閉環(huán)方案相對(duì)于?閉環(huán)電流傳感器而言，尺寸較大，需要占用較多印制板空間。在驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償線圈時(shí)，?電流傳感器需要一定的電流，所以會(huì)增加功率消耗。而且，?電流傳感器需要額外的線圈和驅(qū)動(dòng)電路，價(jià)格比開環(huán)傳感器高得多。
在選用開環(huán)和閉環(huán)傳感器時(shí)，要考慮傳感器的精度和響應(yīng)時(shí)間。在使用要求高精度時(shí)，一般選用閉環(huán)電流傳感器，以消除非線性誤差。一些應(yīng)用需要對(duì)IGBT,MOSFET等半導(dǎo)體設(shè)備做出快速反應(yīng)，以在應(yīng)用中更好地控制電流。因?yàn)殚_環(huán)傳感器在尺寸、功耗等方面具有先天不足的優(yōu)勢(shì)，如果精確度和響應(yīng)速度足夠，也是理想的選擇。其體積小、精度高、響應(yīng)快，比閉環(huán)方案更加經(jīng)濟(jì)。
