| 產(chǎn)品型號 | 封裝 | 溫度范圍 |
| ADR421ARMZ | 8 ld MSOP | -40 至 125至 |
| ADR421ARMZ-REEL7 | 8 ld MSOP | -40 至 125至 |
| ADR421ARZ | 8 ld SOIC | -40 至 125至 |
| ADR421ARZ-REEL7 | 8 ld SOIC | -40 至 125至 |
| ADR421BR | 8 ld SOIC | -40 至 125至 |
| ADR421BR-REEL7 | 8 ld SOIC | -40 至 125至 |
| ADR421BRZ | 8 ld SOIC | -40 至 125至 |
| ADR421BRZ-REEL7 | 8 ld SOIC | -40 至 125至 |
優(yōu)勢和特點
低噪聲（0.1 Hz至10 Hz）
ADR420: 1.75 μV峰峰值
ADR421: 1.75 μV 峰峰值
ADR423: 2.0 μV 峰峰值
ADR425: 3.4 μV 峰峰值低溫度系數(shù)：3 ppm/°C
長期穩(wěn)定性：50 ppm/1000小時
負(fù)載調(diào)整率：70 ppm/mA
電壓調(diào)整率：35 ppm/V
低遲滯：40 ppm（典型值）
寬工作電壓范圍
ADR420: 4 V至18 V
ADR421: 4.5 V 至18 V
ADR423: 5 V 至 18 V
ADR425: 7 V 至18 V靜態(tài)電流：0.5 mA（值）
高輸出電流：10 mA
寬溫度范圍：−40°C至+125°C
產(chǎn)品詳情
ADR42x系列為精密、第二代外加離子注入場效應(yīng)管(XFET)基準(zhǔn)電壓源，具有低噪聲、高精度和出色的長期穩(wěn)定特性，采用SOIC和MSOP封裝。
利用溫度漂移曲率技術(shù)，可以使電壓隨溫度變化的非線性度降至很小。XFET架構(gòu)能夠為帶隙基準(zhǔn)電壓源提供出色的精度和熱滯性能。與嵌入式齊納二極管基準(zhǔn)電壓源相比，還能以更低的功耗和更小的電源裕量工作。
ADR42x具有出色的噪聲性能、穩(wěn)定性和精度，非常適合光纖網(wǎng)絡(luò)和醫(yī)療設(shè)備等精密轉(zhuǎn)換應(yīng)用。此外還可利用其調(diào)整引腳，在±0.5%范圍內(nèi)調(diào)整輸出電壓，其它性能則不受影響。ADR42x系列分為兩種電氣等級，額定溫度范圍為−40°C至+125°C擴展工業(yè)溫度范圍，提供8引腳SOIC封裝或8引腳MSOP封裝（后者比前者小30%）。
應(yīng)用
精密數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
高分辨率轉(zhuǎn)換器
電池供電儀器儀表
便攜式醫(yī)療儀器
工業(yè)過程控制系統(tǒng)
精密儀器
光纖網(wǎng)絡(luò)控制電路
