在常溫下用于晶片、晶圓、芯片等多種器件的精密電測(cè)量??梢詫?shí)現(xiàn)基礎(chǔ)測(cè)試、保護(hù)氣氛電路測(cè)試、光電流分析、FA失效分析等測(cè)量和分析平臺(tái)。
晶圓探針臺(tái)HCP-1W技術(shù)參數(shù):
樣品臺(tái)尺寸:150mm*150mm(6in.);
探針數(shù)量:≤4;
移動(dòng)精度:0.01mm;
探針XYZ行程:100mm*100mm*10mm;
樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)角度:360°,精度±1;
樣品臺(tái)側(cè)傾角度:±8°,精度±1;
顯微鏡放大倍數(shù):15x~100x;
晶圓探針臺(tái)HCP-1W產(chǎn)品特點(diǎn):
產(chǎn)品功能:晶圓探針臺(tái)在常溫環(huán)境下用于晶片、晶圓、芯片等多種器件的精密電測(cè)量;
使用范圍:幫助精準(zhǔn)測(cè)量和分析判斷晶圓器件的性能。
應(yīng)用領(lǐng)域:提供材料/器件的IV/CV特性測(cè)試,LD/LED/PD的光強(qiáng)/波長(zhǎng)測(cè)試,射頻特性器件失效分析,芯片內(nèi)部線路/電極/PAD測(cè)試等技術(shù)解決方案;
定制服務(wù):定制樣品臺(tái)和測(cè)量方式;
自動(dòng)控溫:PID自整定連續(xù)多點(diǎn)控溫。
晶圓探針臺(tái)應(yīng)用:
提供材料/器件的IV/CV特性測(cè)試;
LD/LED/PD的光強(qiáng)/波長(zhǎng)測(cè)試;
射頻特性器件失效分析;
芯片內(nèi)部線路/電極/PAD測(cè)試: