反應(yīng)離子刻蝕
Reactive Ion Etching - RIE
Etchlab 200 是 SENTECH 開(kāi)發(fā)的高性價(jià)比刻蝕機(jī)，采用平行板電極設(shè)計(jì)和直接載片方式。 操作簡(jiǎn)單和快速的樣品加載是設(shè)備的主要特點(diǎn)，從零散碎片到直徑為 200 mm 的晶圓可直接加載到電極或載片盤上。靈活性、模塊性和占地面積小是該設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)。位于頂部電極和反應(yīng)腔體的診斷窗口能方便地集成 SENTECH 激光干涉儀或 OES 和 RGA 系統(tǒng)。腔體側(cè)面的橢偏儀端口可用于 SENTECH 原位橢偏儀進(jìn)行原位檢測(cè)。可刻蝕的材料包括但不限于硅和硅化合物、化合物半導(dǎo)體、介質(zhì)和金屬。
升級(jí)預(yù)真空室
設(shè)備主要特點(diǎn)
● 低成本效益高：Etchlab 200 反應(yīng)離子蝕刻機(jī)臺(tái)結(jié)合了平行板等離子體設(shè)計(jì)與直接置片，操作簡(jiǎn)單方便，性價(jià)比高。
● 升級(jí)擴(kuò)展性：基于模塊化設(shè)計(jì)，等離子蝕刻機(jī) Etchlab 200 可升級(jí)為更大的真空泵組，預(yù)真空室和更多的氣路。
● SENTECH控制軟件：該等離子刻蝕機(jī)配備了用戶友好的強(qiáng)大軟件，具有模擬圖形用戶界面，參數(shù)窗口，工藝編輯窗口，數(shù)據(jù)記錄和用戶管理，使用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)和用戶友好的通用用戶界面。
應(yīng)用展示
介質(zhì)刻蝕
Etchlab 200
● RIE 等離子蝕刻機(jī)
● 開(kāi)蓋設(shè)計(jì)
● 適用于 200 mm 的晶片
● 用于激光干涉儀和 OES 的診斷窗口
● 選配橢偏儀接口
帶預(yù)真空室的 Etchlab 200
● 帶預(yù)真空室的 RIE 刻蝕機(jī)
● 適用于 4 到 8 英寸的晶片
● 小片或碎片的載片器
● 氯基刻蝕氣體
● 更大的真空泵組
Etchlab 200 - 300
● RIE 等離子蝕刻機(jī)
● 開(kāi)蓋設(shè)計(jì)
● 適用于 300 mm 的晶片
● 用于激光干涉儀和 OES 的診斷窗口
