-刻蝕形貌好、工藝性能
-高選擇比、高刻蝕速率
-低擁有成本和消耗成本
晶圓尺寸:6/8寸兼容
適用工藝:等離子體刻蝕
適用材料:SiO2,Si3N4,etc.
適用領(lǐng)域:化合物半導(dǎo)體、MEMS、功率器件、科研等領(lǐng)域
SiO2 4um SiO2 2um SiN 2um