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-刻蝕形貌好、工藝性能
-高選擇比、高刻蝕速率
-低擁有成本和消耗成本
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晶圓尺寸:6/8寸兼容
適用工藝:等離子體刻蝕
適用材料:SiO2,Si3N4,etc.
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適用領(lǐng)域:化合物半導(dǎo)體、MEMS、功率器件、科研等領(lǐng)域
SiO2 4um SiO2 2um SiN 2um