MHYSV電話(huà)電纜 MHYSV30對(duì)礦用通信電纜
1、產(chǎn)品名稱(chēng)：煤礦用通信電纜
2、MHYSVMHYSV礦用電纜MHYSV礦用通信電纜型號(hào)：MHYAV、MHYA32、MHYV、MHYVR、MHYVRP、MHYVP、MHY32、MHJYV
3、MHYSVMHYSV礦用電纜 MHYSV礦用通信電纜產(chǎn)品說(shuō)明：型號(hào) 名 稱(chēng)
MHYV 煤礦用聚乙烯絕緣聚氯乙烯護(hù)套通信電纜
MHYVR 煤礦用聚乙烯絕緣聚氯乙烯護(hù)套通信軟電纜
MHYVP 煤礦用聚乙烯絕緣編織屏蔽聚氯乙烯護(hù)套通信電纜
MHYVRP 煤礦用聚乙烯絕緣編織屏蔽聚氯乙烯護(hù)套通信軟電纜
MHYAV 煤礦用聚乙烯絕緣鋁-聚乙烯粘結(jié)護(hù)層聚氯乙烯護(hù)套通信電纜
MHYA32 煤礦用聚乙烯絕緣鋁-聚乙烯粘結(jié)護(hù)層鋼絲鎧裝聚氯乙烯護(hù)套通信電纜
MHY32 煤礦用聚乙烯絕緣鋼絲鎧裝聚氯乙烯護(hù)套通信電纜
MHYBV 煤礦用聚乙烯絕緣鋁-聚乙烯粘結(jié)護(hù)層鋼絲編織聚氯乙烯護(hù)套通信電纜
MHYSV 煤礦用聚乙烯絕緣鋼-聚乙烯粘結(jié)護(hù)層聚氯乙烯護(hù)套通信電纜
MHYS32 煤礦用聚乙烯絕緣鋼-聚乙烯粘結(jié)護(hù)層鋼絲鎧裝聚氯乙烯護(hù)套通信電纜
MHYSV電話(huà)電纜 MHYSV30對(duì)礦用通信電纜
4、執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MT818.14-1999
5、產(chǎn)品表示方法
產(chǎn)品用型號(hào)、規(guī)格表示。如：
a）具有30個(gè)對(duì)絞線(xiàn)芯的煤礦用聚乙烯絕緣鋁一聚乙烯粘結(jié)護(hù)層鋼絲鎧裝聚氯乙烯護(hù)套通信電纜，
表示為nbsp; MHYA32 30×2
b）具有1個(gè)星絞線(xiàn)芯的煤礦用聚乙烯絕緣聚氯乙烯護(hù)套通信電纜，表示為：MHYV 1×4
主要技術(shù)性能及指標(biāo)
20℃時(shí)導(dǎo)體直流電阻 Ω/km 7/0.28 ≤45 7/0.28(3鋼4銅)≤73 1/0.8≤36.7
固有衰減（800～1000HZ） dB/km ≤1.1 ≤1.3 ≤0.95
20℃時(shí)電纜絕緣線(xiàn)芯絕緣電阻 MΩ.km ≥3000
線(xiàn)對(duì)工作電容（800～1000HZ） uF/km ≤0.06
近端串音衰減（800～1000HZ） dB/500m ≥70
電感（800～1000HZ） uH/km ≤800
耐交流工頻電壓 1.5KV/1min通過(guò)
直流電阻差 ≤環(huán)阻的2%
6、電纜的使用特性
電纜導(dǎo)體的長(zhǎng)期允許工作溫度-40～+50℃；
月平均zui大相對(duì)濕度為≤95%（+25℃時(shí)）
電纜允許附設(shè)與安裝的溫度應(yīng)不大于-10℃
電纜zui小彎曲半徑：MHYV、MHJYV型電纜為電纜外徑的10倍，其它型號(hào)的電纜為外徑的15倍。
網(wǎng)狀屏蔽在保持良好的柔韌性及抗撓壽命的同時(shí)，提供了群的結(jié)構(gòu)整體性。這些屏蔽對(duì)于降低低頻干擾是理想的選擇，比起箔層屏蔽來(lái)說(shuō)，降低了直流阻抗。網(wǎng)狀屏蔽在音頻以及射頻范圍非常有效。通常，網(wǎng)狀屏蔽覆蓋率越高，屏蔽效果就越好。
箔層屏蔽：
箔層屏蔽是由聚脂或聚丙烯薄膜上附著一層鋁箔形成。這層薄膜給屏蔽提供了機(jī)械強(qiáng)度及良好的絕緣性能。箔層屏蔽可100％覆蓋電纜。由于它們的體積小，箔層屏蔽通常用于多對(duì)數(shù)電纜的單線(xiàn)對(duì)屏蔽以減少相互的串?dāng)_。箔層屏蔽重量輕、體積小，比網(wǎng)狀屏蔽造價(jià)低，在射頻范圍內(nèi)通常更加有效。箔層屏蔽比起網(wǎng)狀屏蔽的柔韌性更好，但抗撓壽命較短。與箔層屏蔽一起使用的接地線(xiàn)，使端接更加容易，并將靜電釋放入大地。
天津市電纜廠*分廠使用了短接工藝來(lái)保持金屬與金屬的接觸，以獲得高頻性能的改善。沒(méi)有短接就會(huì)出現(xiàn)信號(hào)泄漏的狹縫。
喀什礦用通信電纜MHYSV為了改進(jìn)傳統(tǒng)的短接方式，天津市電纜廠*分廠使用了旨在多對(duì)電纜應(yīng)用和減少串?dāng)_的Z－Fold技術(shù)。此技術(shù)包括了絕緣折疊及短接折疊。短接折疊提供了金屬與金屬之間的接觸，而絕緣折疊防止了多線(xiàn)對(duì)纜單對(duì)屏蔽間的相互短路。Z－Fold的設(shè)計(jì)增加了高頻段箔層屏蔽的有效范圍。
