產(chǎn)品介紹：
創(chuàng)新的“EM Wizard”界面更加直觀，僅需要“點(diǎn)擊”即可得到的圖像。
超前的電腦輔助技術(shù)將電鏡的操作與控制提升到一個(gè)新水平。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
高性能電子光學(xué)系統(tǒng)
二次電子分辨率: 頂位二次電子探測(cè)器(2.0 nm at 1kV)＊
高靈敏度: 高效PD-BSD, 的低加速電壓性能，低至100 V成像
大束流(>200 nA): 便于高效微區(qū)分析
性能優(yōu)異：
壓力可變: 具有優(yōu)異的低真空(10 -300 Pa)成像性能，配備高靈敏度低真空探測(cè)器(UVD)＊
開(kāi)倉(cāng)室快速簡(jiǎn)單換樣(樣品尺寸: Φ 200 mm x 80 mmH)
微區(qū)分析: EDS, WDS, EBSD等等
產(chǎn)品規(guī)格：
| 項(xiàng)目 | 內(nèi)容 | |
| 分辨率 | 1.2nm @ 30 kV | |
| 3.0nm @ 1 kV | ||
| 2.0nm @ 1 kV 減速模式*1 | ||
| 3.0nm @ 15 kV 低真空模式*2 | ||
| 放大倍率 | 10 -600,000×(底片倍率),18-1,000,000×(800×600 像素) | |
| 30-1,500,000×(1,280×960像素) | ||
| 電子光學(xué)系統(tǒng) | 電子槍 | ZrO/W 肖特基式電子槍 |
| 加速電壓 | 0.5-30kV（0.1kV步進(jìn)） | |
| 著陸電壓 | 減速模式：0.1-2.0kV*1 | |
| 束流 | >200 nA | |
| 探測(cè)器 | 低位二次電子探測(cè)器 | |
| 低真空模式*2 | 真空范圍：10-300Pa | |
| 馬達(dá)臺(tái) | 馬達(dá)臺(tái)控制 | 5-軸自動(dòng)（優(yōu)中心） |
| 可動(dòng)范圍 | X：0～100mm | |
| Y：0 ~ 50mm | ||
| Z：3 ~ 65mm | ||
| T：-20 ~ 90° | ||
| R：360° | ||
| 樣品尺寸 | 直徑：200mm | |
| 高度：80mm | ||
| 選配探測(cè)器 |
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- *1：減速功能（包含高分辨率頂位二次電子探測(cè)器）
- *2：低真空功能（包含5分割半導(dǎo)體探測(cè)器）
*3：空壓機(jī)(本地采購(gòu))
應(yīng)用實(shí)例：
樣品: 氧化鋅粉末
著陸電壓: 1 kV ; 倍率: 120,000x
低電壓下頂位二次電子探測(cè)器成像
樣品: PTFE
加速電壓: 3 kV ; 倍率: 13,000x
UVD探測(cè)器可在低加速電壓(3 kV)和低真空
(40 Pa) 下獲得高質(zhì)量圖像
