A2EN501-S11000模塊A2EN501-S11000模塊：
A2NN70D,S2NN70D,A2NN60D,S2NN60D,A2CB60,S2CB60,S9201UD,A2PW503,A2PW504,A2EN501，A2KLF00,A2KPB00,A2MMM843,A2SAP105,A2SDV105,A2SDV505,A2SDV506,A2SMX801,
A2BN3D,A2BN4D,A2BN5D,A2EN402,A2EN404,A2DCV01,ADCV01,ACUKT2,ACUKT1,A1BA4D,
A1BT4D,A1BR4D,A1BD5D,
表光纖電纜規(guī)格
光纖規(guī)格 | ||
光學連接器類型 | LC（符合IEC 61754-20），或熔接 | |
最大允許光學損耗 | 5km | 0 to 10 dB@1.3 μm |
5-50km | 3 to 16 dB@1.55 μm (*1) | |
光纖 | 類型 | 石英單模光纖（*2） |
所需的芯數(shù) | 2 | |
最大長度 | 50km | |
*1：如果光ESB總線（5到50公里）連接中的光衰減小于3 dB，則使用衰減器衰減到3 dB。
*2:JIS C 6835 SSMA-9.3/125或IEC 607932-50B1.1型根據(jù)制造商的電纜處理注意事項鋪設(shè)光纖電纜，如允許彎曲半徑。
l CENTUM VP的N-IO現(xiàn)場外殼的有限壽命部件
表具有規(guī)定使用壽命的定期更換零件
名稱 | 編號 | 推薦替換周期 | 替換用戶 | 評論 |
現(xiàn)場電源 | S9201UD | 8年 | 是 | 平均環(huán)境溫度40°C 或更少（*1） |
電源裝置 （100-240伏交流電） | A2PW503-S0口30/NCBL (*3) | 8年 | 是 | 平均環(huán)境溫度40°C 或更少（*2） |
電源裝置 （24伏直流電） | A2PW504-S0口30/NCBL (*4) | 8年 | 是 | 平均環(huán)境溫度40°C 或更少（*2） |
N-ESB總線模塊 | A2EN501-S1口口3口 A2EN501-S2口口3口 A2EN501-S口1口3口 A2EN501-S口2口3口 | 4年 | 是 | —— |
*1：此環(huán)境溫度是指外殼內(nèi)部的溫度。通過以下方式估計現(xiàn)場電源周圍的環(huán)境溫度大約比外殼外部高出20°C。
*2：該環(huán)境溫度是指外殼內(nèi)部的溫度。通過以下方式估計電源設(shè)備周圍的環(huán)境溫度大約比外殼外部高出10°C。
*3：選擇“帶40 A現(xiàn)場電源”的后綴代碼時。
*4：選擇“帶20 A現(xiàn)場電源”的后綴代碼時。
N-I/O(Network I/O)
N-IO（網(wǎng)絡(luò)I/O）是新一代軟件配置的智能I/O，其減少了占用面積，降低了編組成本，并允許靈活的I/O組合。
它可以與我們的調(diào)試工具現(xiàn)場調(diào)試支持包(Field Commissioning Support Package)相匹配，
顯著加快項目的完成速度，在保證質(zhì)量的情況下節(jié)約成本。
通用I/O和軟連接
N-IO在每個I/O通道中都有AI/AO/DI/DO。每個N-IO通道可以通過軟件編程更改為其他的I/O類型。
適配器(內(nèi)置信號調(diào)節(jié)器)
N-IO在底板上設(shè)置了各種類型的內(nèi)置信號調(diào)節(jié)器。在大多數(shù)情況下，不需要準備外部信號調(diào)節(jié)或者額外的空間去應對。
冗余
相同的N-IO底板支持單、雙重冗余結(jié)構(gòu)，在運行冗余時免除了多個硬件/軟件供應商的需求。
本安安全柵
N-IO底板支持本安安全柵。
FIO（現(xiàn)場網(wǎng)絡(luò)I/O）
FIO(現(xiàn)場網(wǎng)絡(luò)I/O)是為提高封裝密度而開發(fā)的一系列低成本I/O模塊。大量可用的模塊使您能夠配置系統(tǒng)來
匹配過程信號的要求，并提供不同級別的隔離。
隔離類型
非隔離，隔離(所有通道集中隔離)和隔離(每個通道單獨隔離)
現(xiàn)場連接
壓力鉗(Weidmuller)，專用端子板和MIL電纜
耐環(huán)境性能
G3級腐蝕性氣體，廣泛的工作溫度范圍
危險區(qū)域分類
標配N型和非易燃保護，提供具有內(nèi)置本安安全柵的I/O模塊。
包裝設(shè)備的儲存
•水平存放板條箱。
•當將板條箱裝載在其他板條箱之上時，堆疊階段的數(shù)量最多為
允許。
表允許的堆疊階段總數(shù)
