具體參數(shù)如下:
BiCD工藝集成式單片IC。
具有內(nèi)置時(shí)鐘解M器。
能夠控制1臺(tái)雙極步進(jìn)電機(jī)。
由PWM控制的恒流驅(qū)動(dòng)。
允許全步,半步,1/4,1/8,1/16,1/32步運(yùn)行。
低導(dǎo)通電阻(高邊+低邊=0.49Ω(典型值))MOSFET輸出級(jí)。
采用高級(jí)動(dòng)態(tài)混合衰減(ADMD)技術(shù)。
具有50V高電壓與4A大電流平穩(wěn)輸出。
錯(cuò)誤檢測(cè)(TSD/ISD)信號(hào)輸出功能。
內(nèi)置錯(cuò)誤檢測(cè)電路(熱關(guān)斷(TSD),過(guò)流關(guān)斷(ISD),以及上電復(fù)位(POR))。
內(nèi)置VCC調(diào)節(jié)器供內(nèi)部電路使用。
可通過(guò)外電阻與電容自定義電機(jī)的斬波頻率。
多封裝產(chǎn)品線(xiàn):
TB67S109AFTG:P-WQFN48-0707-0.50-003;
TB67S109AFNG:HTSSOP48-P-300-0.50。
注:在使用期間,請(qǐng)注意散熱條件。