n測試對象：IGBT、Mosfet、Diode
n測試參數(shù)：靜態(tài)參數(shù)，包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢復二極管的VF、ICES等參數(shù)
n標準《絕緣柵雙極晶體管（IGBT）》（GB/T29332-2012）
n該測試儀具有自動保護功能，且所有參數(shù)的設定及顯示均采用液晶屏觸摸屏實現(xiàn)，支持U盤一鍵導出數(shù)據(jù)
IGBT直流參數(shù)測試儀ST-DC2002
IGBT測試
IGBT測試項目 | 測試條件 | 測試結果 |
柵極-發(fā)射極柵 極絕緣 | Vges: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V | Iges: 0.1-20.0µA,分辨力,0.1µA 精度:±3% ±0.1µA |
截止電流 | Vces: 100-2000V,分辨力,1 V 精度:±3% ±10V | Ices: 100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辯力,0.1mA 精度:±3% ±10µA |
閾值電壓 | Ice： 1-10mA， 分辨力， 1mA （可根據(jù)客戶需求擴展） | Vge(th): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V |
飽和壓降 | Ice: 20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1A | Vce(sat): 0.20-10.00V,分辨力,0.01V 精度:±3% ±0.10V |
二極管壓降 | If: 20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1 A | Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V 精度:±3% ±0.10V |
二極管反向電流 | Vd:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V | Id: 100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA |
IGBT直流參數(shù)測試儀ST-DC2002
MOSFET測試
MOSFET測試項目 | 測試條件 | 測試結果 |
柵極-源極絕緣 | Vgss: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V | Igss: 0.1-20.0µA,分辨力,0.1µA 精度:±3% ±0.1µA |
漏極-源極截止電流 | Vdss:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V | Idss:100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA |
柵極-源極閾值電壓 | Ids： 1-10mA， 分辨力， 1mA | Vgs(to): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V 精度:±3% ±0.1V |
漏極-源極導通電阻 | Ids:20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1A | Rds(on):0-500mR,分辨力,1mR |
二極管壓降 | If: 20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1 A | Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V 精度:±3% ±0.10V |
二極管反向電流 | Vdss:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V | Idss:100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA |
IGBT直流參數(shù)測試儀ST-DC2002
DIODE測試
DIODE測試項目 | 測試條件 | 測試結果 |
二極管壓降 | If:20-200A,分辨力,1A 精度:±3% ±1A | Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V 精度:±3% ±0.10V |
二極管反向電流 | Vd:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3% ±10V | Id:100µA-1000µA,分辨力,10µA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3% ±10µA |
