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GaSe,ZnTe太赫茲晶體

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  • 型號(hào)
  • 品牌
  • 所在地
  • 更新時(shí)間2024-02-25
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 入駐年限1
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量645
  • 人氣值3204
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深圳維爾克斯光電有限公司是國(guó)內(nèi)的進(jìn)口光電代理商,代理*的激光、光電、光機(jī)械類產(chǎn)品,應(yīng)用涵蓋物理與光學(xué)、化學(xué)、材料、生命科學(xué)等領(lǐng)域。我們與國(guó)內(nèi)各大高校、研究所、激光設(shè)備公司和及精密儀器公司保持著緊密的聯(lián)系,提供針對(duì)不同應(yīng)用的專業(yè)技術(shù)支持。 維爾克斯光電在衍射光學(xué)、微光學(xué)、太赫茲元件、*、光束分析儀、太陽(yáng)光模擬器、顯微鏡載物臺(tái)、紅外熱像儀、電控平移臺(tái)、紅外探測(cè)器、光學(xué)儀器等領(lǐng)域具有多年的產(chǎn)品和技術(shù)積累,能夠?yàn)橛脩籼峁└鞣N高性價(jià)比的解決方案。
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ZnTe(碲化鋅)和GaSe(硒化鎵)晶體都是用于用于產(chǎn)生太赫茲頻段輻射,同時(shí)有著高激光損傷閾值可達(dá)3.7J/cm2,高達(dá)54pm/V的非線性光學(xué)系數(shù)
GaSe,ZnTe太赫茲晶體 產(chǎn)品詳情

碲化鋅,硒化鎵太赫茲晶體,應(yīng)用于太赫茲光源與探測(cè)器

EKSMA Optics從1983年開始為各個(gè)科學(xué)實(shí)驗(yàn)室開發(fā)機(jī)械元件,根據(jù)客戶給的圖紙和制造規(guī)格,可提供定制光學(xué)和晶體組件服務(wù),也有標(biāo)準(zhǔn)品庫(kù)存快速現(xiàn)貨交付。EKSMA Optics主要產(chǎn)品為激光器、激光系統(tǒng)和儀器的精密激光組件,為工業(yè)、醫(yī)療、美學(xué)、科學(xué)和國(guó)防市場(chǎng)的不同激光和光子應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供服務(wù)。


GaSe,ZnTe太赫茲晶體主要應(yīng)用領(lǐng)域:

       - 太赫茲時(shí)域系統(tǒng)

- 太赫茲源晶體

- 中遠(yuǎn)紅外氣體探測(cè)

- CO2激光的SHG

- THZ實(shí)驗(yàn)光源

- 太赫茲成像

- 太赫茲發(fā)射器-檢測(cè)器系統(tǒng)


EKSMA Optics目前有售用于產(chǎn)生太赫茲頻段輻射的GaSe,ZnTe太赫茲晶體(硒化鎵THz晶體,碲化鋅THz晶體)。ZnTeGaSe晶體 Eksma具有高損傷閾值,太赫茲ZnTe晶體和GaSe晶體可產(chǎn)生極短且高質(zhì)量的太赫茲脈沖。

110晶向的太赫茲晶體ZnTe通過光學(xué)整流過程產(chǎn)生太赫茲。光學(xué)整流效應(yīng)是一種二階非線性效應(yīng)。脈沖激光照射到非線性介質(zhì)晶體,脈沖激光的各個(gè)單色分量之間會(huì)在樣品中通過差頻振蕩現(xiàn)象產(chǎn)生一個(gè)隨時(shí)間變化的電極化場(chǎng),該電極化場(chǎng)將產(chǎn)生太赫茲。

還可利用110晶向的太赫茲晶體ZnTe基于自由空間電光技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲脈沖的探測(cè)。在自由空間光電采樣系統(tǒng)里太赫茲光束和線偏振光束在ZnTe太赫茲源內(nèi)共線傳播。太赫茲光束產(chǎn)生的電場(chǎng)會(huì)影響ZnTe太赫茲源晶體的復(fù)折射率,最終改變線偏振光,自由光電采樣系統(tǒng)能檢測(cè)和放大這種改變并轉(zhuǎn)為更直觀的強(qiáng)度變化來繪制太赫茲脈沖幅度。

讀出完整電場(chǎng)(包括幅度和時(shí)延)的能力是太赫茲時(shí)域光譜的一大特色。太赫茲ZnTe晶體Eksma還能用于紅外光學(xué)元件基板和真空沉積。ZnTe太赫茲晶體根據(jù)制作厚度的不同分為以下型號(hào):ZnTe-100H,ZnTe-200H,ZnTe-500H,ZnTe-1000H,ZnTe-2000H,ZnTe-3000H。

注: ZnTe太赫茲晶體含有微氣泡,它們?cè)谡彰骶w的投影中可見。然而,這并不影響太赫茲的產(chǎn)生。我們不接受有關(guān)水晶中存在氣泡的投訴。

使用GaSe晶體Eksma產(chǎn)生的太赫茲能達(dá)到41THz的大帶寬。GaSe太赫茲源是負(fù)單軸層狀半導(dǎo)體,擁有62m空間點(diǎn)群的六邊形結(jié)構(gòu),300K時(shí)的帶隙為2.2eV。GaSe太赫茲晶體有著高激光損傷閾值(可達(dá)3.7 J/cm2),很大的非線性光學(xué)系數(shù)(54pm/V),比較合適的透明范圍(0.65-18μm),和足夠低的吸收系數(shù)(α<0.01cm-1),使其成為寬帶中紅外電磁波產(chǎn)生的重要解決方案。由于使用20fs的飛秒激光源產(chǎn)生和檢測(cè)寬帶太赫茲,GaSe太赫茲源制作的太赫茲發(fā)射器-檢測(cè)器系統(tǒng)性能被認(rèn)為可以達(dá)到與使用太赫茲ZnTe晶體相當(dāng)甚至更好的結(jié)果。使用合適厚度的太赫茲GaSe晶體可以實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲波產(chǎn)生和探測(cè)系統(tǒng)的頻率選擇。太赫茲GaSe晶體根據(jù)制作厚度的不同分為以下型號(hào):GaSe-10H1,GaSe-30H1,GaSe-100H1,GaSe-500H1,GaSe-1000H1,GaSe-2000H1。

注:由于GaSe太赫茲晶體的解理面為(001),對(duì)該晶體使用有一個(gè)很大限制在于質(zhì)軟,易碎。


太赫茲晶體ZnTe,GaSe性能優(yōu)勢(shì):

- 產(chǎn)生太赫茲能達(dá)到有非常寬的頻域

- 抗損傷閾值高

- 非線性系數(shù)大

- 多種尺寸可選

- 客戶導(dǎo)向的解決方案

- 接受客戶定制服務(wù)


ZnTe晶體 Eksma規(guī)格參數(shù):

型號(hào)

尺寸(mm)

厚度(mm)

支架(mm)

參考價(jià)格(歐元)

ZnTe-100H

10x10

0.1

?25.4

2145

ZnTe-200H

10x10

0.2

?25.4

1880

ZnTe-500H

10x10

0.5

?25.4

1420

ZnTe-1000H

10x10

1.0

?25.4

1570

ZnTe-2000H

10x10

2.0

?25.4

1790

ZnTe-3000H

10x10

3.0

?25.4

2510

GaSe晶體 Eksma規(guī)格參數(shù):

型號(hào)

通光孔徑(mm)

厚度(µm)

支架(mm)

參考價(jià)格(歐元)

GaSe-10H1

?7

10

?25.4

1950

GaSe-30H1

?7

30

?25.4

1625

GaSe-100H1

?7

100

?25.4

1475

GaSe-500H1

?7

500

?25.4

1460

GaSe-1000H1

?7

1000

?25.4

1635

GaSe-2000H1

?7

2000

?25.4

1810

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