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氮化鎵器件檢測(cè)試分析

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  • 所在地西安市
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  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限1
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量70
  • 人氣值301
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氮化鎵第三方實(shí)驗(yàn)室

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氮化鎵器件檢測(cè)試分析 產(chǎn)品詳情

氮化鎵器件檢測(cè)試分析  **  華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

“華則檢測(cè)”專業(yè)的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)

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氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

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服務(wù)目錄

氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

一、失效分析測(cè)試·氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

(1) 檢測(cè)項(xiàng)目:開短路檢測(cè) 4

(2) 檢測(cè)項(xiàng)目:漏電檢測(cè) 4

(3) 檢測(cè)項(xiàng)目:產(chǎn)品外觀或形貌確認(rèn) 4

(4) 檢測(cè)項(xiàng)目:尺寸測(cè)量 4

(5) 檢測(cè)項(xiàng)目:超聲波檢測(cè)(SAT) 4

(6) 檢測(cè)項(xiàng)目:X-ray檢測(cè) 5

(7) 檢測(cè)項(xiàng)目:推拉力檢測(cè) 5

(8) 檢測(cè)項(xiàng)目:有害物質(zhì)檢測(cè) 5

(9) 檢測(cè)項(xiàng)目:剖面分析 5

(10) 檢測(cè)項(xiàng)目:樣品開封 5

二、電學(xué)檢測(cè) ·氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

(1) 檢測(cè)項(xiàng)目:直流參數(shù) 6

(2) 檢測(cè)項(xiàng)目:雪崩能量 6

(3) 檢測(cè)項(xiàng)目∶柵極電阻 6

(4) 檢測(cè)項(xiàng)目:開關(guān)時(shí)間(器件級(jí)) 6

(5) 檢測(cè)項(xiàng)目:開關(guān)時(shí)間(模塊級(jí)) 6

(6) 檢測(cè)項(xiàng)目:反向恢復(fù)(模塊級(jí)) 6

(7) 檢測(cè)項(xiàng)目:反向恢復(fù)(器件級(jí)) 6

(8) 檢測(cè)項(xiàng)目:柵極電荷(模塊級(jí)) 7

(9) 檢測(cè)項(xiàng)目:柵極電荷(器件級(jí)) 7

(10) 檢測(cè)項(xiàng)目:短路耐量能力(模塊級(jí)) 7

(11) 檢測(cè)項(xiàng)目:短路耐量能力(器件級(jí)) 7

(12) 檢測(cè)項(xiàng)目:結(jié)電容 7

(13) 檢測(cè)項(xiàng)目:熱阻性能(器件級(jí)) 7

(14) 檢測(cè)項(xiàng)目:熱阻性能(模塊級(jí)) 7

(15) 檢測(cè)項(xiàng)目:參數(shù)曲線掃描 8

(16) 檢測(cè)項(xiàng)目:ESD能力 8

(17) 檢測(cè)項(xiàng)目:正向浪涌能力 8

三、應(yīng)用系統(tǒng)檢測(cè) ·氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

(1) 檢測(cè)項(xiàng)目:電氣參數(shù) 9

(2) 檢測(cè)項(xiàng)目:保護(hù)功能測(cè)試 9

(3) 檢測(cè)項(xiàng)目:元器件應(yīng)力測(cè)試 9

(4) 檢測(cè)項(xiàng)目:電氣/抗電強(qiáng)度測(cè)試 9

(5) 檢測(cè)項(xiàng)目:絕緣電阻測(cè)試 10

(6) 檢測(cè)項(xiàng)目:接地電阻測(cè)試 10

(7) 檢測(cè)項(xiàng)目:低溫測(cè)試 10

(8) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫測(cè)試 10

(9) 檢測(cè)項(xiàng)目:高加速壽命/應(yīng)力測(cè)試 10

(10) 檢測(cè)項(xiàng)目:靜電放電抗擾度測(cè)試 10

(11) 檢測(cè)項(xiàng)目:雷擊浪涌抗擾度測(cè)試 10

(12) 檢測(cè)項(xiàng)目:電源端子騷擾電壓/傳導(dǎo)測(cè)試 11

四、可靠性測(cè)試 ·氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

(1) 檢測(cè)項(xiàng)目:功率循環(huán)齷 (PC) 12

(2) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫門極試驗(yàn)(HTGB) 12

(3) 檢測(cè)項(xiàng)目:低溫工作壽命試驗(yàn)(LTOL) 12

(4) 檢測(cè)項(xiàng)目:低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(LTSL) 12

(5) 檢測(cè)項(xiàng)目:高低溫循環(huán)試驗(yàn)(TC) 12

(6) 檢測(cè)項(xiàng)目:穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn)(SSOL) 12

(7) 檢測(cè)項(xiàng)目:無(wú)偏壓的高加速應(yīng)力試驗(yàn)(UHAST) 13

(8) 檢測(cè)項(xiàng)目:預(yù)處理試驗(yàn)(Pre-con) 13

(9) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫反偏試驗(yàn)(HTRB) 13

(10) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫工作壽命試驗(yàn)(HTOL) 13

(11) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(HTSL) 13

(12) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫高濕試驗(yàn)(THB) 13

(13) 檢測(cè)項(xiàng)目:間歇壽命試驗(yàn)(IOL)功率循試驗(yàn)(PC) 13

(14) 檢測(cè)項(xiàng)目:高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HAST) 14

(15) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫蒸煮試驗(yàn)(PCT) 14

(16) 檢測(cè)項(xiàng)目:潮氣敏感度等級(jí)試驗(yàn)(MSL) 14

(17) 檢測(cè)項(xiàng)目:可焊性試驗(yàn)(Solderability) 14

一、失效分析測(cè)試·氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

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(1) 檢測(cè)項(xiàng)目:開短路檢測(cè)

覆蓋產(chǎn)品:IC

檢測(cè)能力:滿足128pin及以下引腳ICopen/short測(cè)試、曲線跟蹤分析、漏電流測(cè)試;Max電壓7V,電壓精度1mV,Max電流 500mA,電礪度 10nA;

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):客戶要求

(2) 檢測(cè)項(xiàng)目:漏電檢測(cè)

覆蓋產(chǎn)品:IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品

檢測(cè)能力:具有EMMI (微光)TIVA (激光誘導(dǎo))兩種偵測(cè)方 式;加電方式A:電壓20mV-200V,電流10nA-1A,電流精度 10fA;加電方式BMax電壓3000V,Max電流5A

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):客戶要求

(3) 檢測(cè)項(xiàng)目:產(chǎn)品外觀或形貌確認(rèn)

覆蓋產(chǎn)品:IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品

檢測(cè)能力:立體成像/Max45倍;金相成像/Max1000倍;數(shù)碼成像/Max6000倍;

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):客戶要求

(4) 檢測(cè)項(xiàng)目:尺寸測(cè)量

覆蓋產(chǎn)品:IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品

檢測(cè)能力:立體成像/Max45倍;金相成像/Max1000倍;數(shù)碼成像/Max6000倍;

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):客戶要求

(5) 檢測(cè)項(xiàng)目:超聲波檢測(cè)(SAT)

覆蓋產(chǎn)品IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品

檢測(cè)能力∶具有分層面積百分比計(jì)算,缺陷尺寸標(biāo)識(shí),厚度與距離測(cè)量等功能??蛇M(jìn)行A-scan(點(diǎn)掃描)、B-scan(縱向掃描)、 C-scan(橫向掃描)、Through-scan(透射掃描)。

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)GuoJun標(biāo)

(6) 檢測(cè)項(xiàng)目:X-ray檢測(cè)

覆蓋產(chǎn)品:IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品

檢測(cè)能力:High分辨率0.5um。具有空洞面積百分比計(jì)算,缺陷尺寸標(biāo)識(shí),厚度與距離測(cè)量等功能??蛇M(jìn)行二維掃描、三維CT掃描。

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GuoJun標(biāo)

(7) 檢測(cè)項(xiàng)目:推拉力檢測(cè)

覆蓋產(chǎn)品IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品

檢測(cè)能力∶支持WP100WP2.5KG二款拉力測(cè)試頭,測(cè)試范圍0- 2.5Kg;支持BS250、BS5KGDS100KG三款推力測(cè)試頭,測(cè)試范圍0-100Kg,推刀接受面寬0-8891um。

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)GuoJun標(biāo)

(8) 檢測(cè)項(xiàng)目:有害物質(zhì)檢測(cè)

覆蓋產(chǎn)品IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品

檢測(cè)能力∶ 支持鉛(Pb)、鎘(Cd)、汞(Hg)、六價(jià)鉻(Cr6+)、多溴聯(lián)苯(PBB)和多溴二苯醚(PBDE),以及鹵素等其他化學(xué)元素的檢測(cè)。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/BrMini檢測(cè)限可達(dá)2ppm

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)IEC

(9) 檢測(cè)項(xiàng)目:剖面分析

覆蓋產(chǎn)品:IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品

檢測(cè)能力:金相樣品制備、樣品觀察、樣品染色。

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):客戶要求

(10) 檢測(cè)項(xiàng)目:樣品開封

覆蓋產(chǎn)品:IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品

檢測(cè)能力:激光開封、化學(xué)開封、樣品剝層。

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):客戶要求

二、電學(xué)檢測(cè)·氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

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(1) 檢測(cè)項(xiàng)目:直流參數(shù)

覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBTDIODE等模塊產(chǎn)品;

檢測(cè)能力:檢測(cè)Max電壓7500V檢測(cè)Max電流6000A

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC

(2) 檢測(cè)項(xiàng)目:雪崩能量

覆蓋產(chǎn)品:MOSFETIGBT、DIODE,第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

檢測(cè)能力:檢測(cè)Max電壓2500V檢測(cè)Max電流200A

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):美軍標(biāo)

(3) 檢測(cè)項(xiàng)目∶柵極電阻

覆蓋產(chǎn)品MOSFETIGBT及第三代半導(dǎo)體器件

檢測(cè)能力∶檢測(cè)阻抗∶0.1Ω~50Ω

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)JEDEC

(4) 檢測(cè)項(xiàng)目:開關(guān)時(shí)間(器件級(jí))

覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體單管器件;

檢測(cè)能力:Max電壓1200V Max電流200A

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),IEC

(5) 檢測(cè)項(xiàng)目:開關(guān)時(shí)間(模塊級(jí))

覆蓋產(chǎn)品:IGBT等模塊產(chǎn)品

檢測(cè)能力:檢測(cè)Max電壓2700V檢測(cè)Max電流4000A

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC

(6) 檢測(cè)項(xiàng)目:反向恢復(fù)(模塊級(jí))

覆蓋產(chǎn)品:IGBT等模塊產(chǎn)品

檢測(cè)能力:檢測(cè)Max電壓2700V檢測(cè)Max電流4000A

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC

(7) 檢測(cè)項(xiàng)目:反向恢復(fù)(器件級(jí))

覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

檢測(cè)能力:Max電壓1200V Max電流200A

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),IEC

(8) 檢測(cè)項(xiàng)目:柵極電荷(模塊級(jí))

覆蓋產(chǎn)品:IGBT等模塊產(chǎn)品

檢測(cè)能力:檢測(cè)Max電壓2700V檢測(cè)Max電流4000A

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC

(9) 檢測(cè)項(xiàng)目:柵極電荷(器件級(jí))

覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBTDIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

檢測(cè)能力:Max電壓1200V Max電流200A

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),IEC

(10) 檢測(cè)項(xiàng)目:短路耐量能力(模塊級(jí))

覆蓋產(chǎn)品:IGBT等模塊產(chǎn)品

檢測(cè)能力:檢測(cè)Max電壓2700V,檢測(cè)Max電流10000A

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC

(11) 檢測(cè)項(xiàng)目:短路耐量能力(器件級(jí))

覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

檢測(cè)能力:檢測(cè)Max電壓1200V,檢測(cè)Max電流1000A

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),IEC

(12) 檢測(cè)項(xiàng)目:結(jié)電容

覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體單管器件

檢測(cè)能力:檢測(cè)Max電壓3000V

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):IEC

(13) 檢測(cè)項(xiàng)目:熱阻性能(器件級(jí))

覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導(dǎo)體單管器件

檢測(cè)能力:功率250W

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):美軍標(biāo),JEDEC

(14) 檢測(cè)項(xiàng)目:熱阻性能(模塊級(jí))

覆蓋產(chǎn)品:IGBT等模塊產(chǎn)品

檢測(cè)能力:Max功率4000W

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):美軍標(biāo),JEDEC

(15) 檢測(cè)項(xiàng)目:參數(shù)曲線掃描

覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBTDIODE、BJT、SCR,第三代半導(dǎo)體器件等單管器件的l-V、C-V曲線

檢測(cè)能力:檢測(cè)Max電壓3000V檢測(cè)Max電流1500A溫度-70°C~180°C

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):美軍標(biāo),IEC

(16) 檢測(cè)項(xiàng)目:ESD能力

覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、IC等產(chǎn)品

檢測(cè)能力:HBMMax電壓8000V;MMMax電壓800V

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):美軍標(biāo),ANSI,JEDEC

(17) 檢測(cè)項(xiàng)目:正向浪涌能力

覆蓋產(chǎn)品:DIODE (Si/SiC)、整流橋;

檢測(cè)能力:Max電流800A

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):美軍標(biāo),國(guó)標(biāo)

三、應(yīng)用系統(tǒng)檢測(cè)·氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

圖片6.png

(1) 檢測(cè)項(xiàng)目:電氣參數(shù)

覆蓋產(chǎn)品:開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機(jī)控制板。

檢測(cè)能力:低壓AC/DC電源:?jiǎn)蜗?/span>Max輸入電壓/功率為 300V/3KVAMax輸出電壓/功率:80V/1000W;低壓DC/DC電 源:Max輸入電壓/功率為80V/1.2KWMax輸出電壓/功率: 80V/1000W;直流充電樁電源模塊:三相Max輸入電壓/功率為 500V/30KVAMax輸出電壓/功率:700V/30KW;電機(jī)控制板: 直流輸入電壓/功率100V/5KW

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等

 

(2) 檢測(cè)項(xiàng)目:保護(hù)功能測(cè)試

覆蓋產(chǎn)品:開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機(jī)控制板。

檢測(cè)能力:低壓AC/DC電源:?jiǎn)蜗?/span>Max輸入電壓/功率為 300V/3KVA;Max輸出電壓/功率:80V/1000W;低壓DC/DC電 源:Max輸入電壓/功率為80V/1.2KW;Max輸出電壓/功率: 80V/1000W;直流充電樁電源模塊:三相Max輸入電壓/功率為 500V/30KVA;Max輸出電壓/功率:700V/30KW;電機(jī)控制板: 直流輸入電壓/功率100V/5KW

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等

(3) 檢測(cè)項(xiàng)目:元器件應(yīng)力測(cè)試

覆蓋產(chǎn)品:開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機(jī)控制板、鋰電保護(hù)板。

檢測(cè)能力:Max峰值電壓:1.5KV;Max有效值/峰值電流:30A/50A;High溫度:260°C

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):元器件規(guī)格,客戶要求等

(4) 檢測(cè)項(xiàng)目:電氣/抗電強(qiáng)度測(cè)試

覆蓋產(chǎn)品:電子電氣產(chǎn)品

檢測(cè)能力:交流耐壓范圍:(0~5)KV/40mA;直流耐壓范圍:(0~6)KV/9999uA

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等

(5) 檢測(cè)項(xiàng)目:絕緣電阻測(cè)試

覆蓋產(chǎn)品:電子電氣產(chǎn)品

檢測(cè)能力:(100~1K)Vdc/9999mΩ

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等

(6) 檢測(cè)項(xiàng)目:接地電阻測(cè)試

覆蓋產(chǎn)品:電子電氣產(chǎn)品

檢測(cè)能力:30A/600mΩ

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等

(7) 檢測(cè)項(xiàng)目:低溫測(cè)試

覆蓋產(chǎn)品:電子電氣產(chǎn)品

檢測(cè)能力:Mini溫度:-70

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等

(8) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫測(cè)試

覆蓋產(chǎn)品:電子電氣產(chǎn)品

檢測(cè)能力:High溫度:~180

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等

(9) 檢測(cè)項(xiàng)目:高加速壽命/應(yīng)力測(cè)試

覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品

檢測(cè)能力∶溫度范圍∶(-100+200)℃℃;溫度上升速率∶平均(70°~100°)C/m; 加速∶(5-60gRMS (空臺(tái))

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等

(10) 檢測(cè)項(xiàng)目:靜電放電抗擾度測(cè)試

覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品

檢測(cè)能力∶接觸靜電放電電壓范圍∶(±2~±8KV空氣靜電放電電壓范圍∶(±2~±25KV

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等

(11) 檢測(cè)項(xiàng)目:雷擊浪涌抗擾度測(cè)試

覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品

檢測(cè)能力1.2/50us綜合波的開路電壓范圍∶(0.2510KV; 10/700us通訊波的開路電壓范圍∶(06KV;輸出阻抗∶ 1.2/50us綜合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通訊波15Ω和40Ω

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等;

(12) 檢測(cè)項(xiàng)目:電源端子騷擾電壓/傳導(dǎo)測(cè)試

覆蓋產(chǎn)品:電子電氣產(chǎn)品

檢測(cè)能力:9KHz~ 30MHz

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等

四、可靠性測(cè)試·氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

圖片7.png

(1) 檢測(cè)項(xiàng)目:功率循環(huán)齷 (PC)

覆蓋產(chǎn)品IGBT模塊

檢測(cè)能力∶△Tj=100℃電壓電流Max1800A,12V

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)IEC 客戶自定義

(2) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫門極試驗(yàn)(HTGB)

覆蓋產(chǎn)品MOSFETSiC MOS等單管器件

檢測(cè)能力∶溫度High150;電壓High2000V

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IECAEC,客戶自定義等

(3) 檢測(cè)項(xiàng)目:低溫工作壽命試驗(yàn)(LTOL)

覆蓋產(chǎn)品MOSFET、IGBTDIODE、BJTSCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

檢測(cè)能力∶溫度Mini-80℃ 電壓High2000V

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDECIEC,AEC,客戶自定義等

(4) 檢測(cè)項(xiàng)目:低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(LTSL)

覆蓋產(chǎn)品MOSFET、IGBTDIODE、BJT、SCR、ICIGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

檢測(cè)能力∶溫度Mini-80

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ 美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IECAEC,客戶自定義等

(5) 檢測(cè)項(xiàng)目:高低溫循環(huán)試驗(yàn)(TC)

覆蓋產(chǎn)品MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

檢測(cè)能力∶溫度范圍∶-80~220

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IECAEC,客戶自定義等

(6) 檢測(cè)項(xiàng)目:穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn)(SSOL)

覆蓋產(chǎn)品MOSFET、DIODEBJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

檢測(cè)能力∶△Tj100℃,電壓電流Max48V,10A

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

(7) 檢測(cè)項(xiàng)目:無(wú)偏壓的高加速應(yīng)力試驗(yàn)(UHAST)

覆蓋產(chǎn)品MOSFET、DIODEBJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

檢測(cè)能力∶溫度130℃ 濕度85%

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IECAEC,客戶自定義等

(8) 檢測(cè)項(xiàng)目:預(yù)處理試驗(yàn)(Pre-con)

覆蓋產(chǎn)品∶所有SMD類型器件

檢測(cè)能力∶設(shè)備滿足各個(gè)等級(jí)的試驗(yàn)要求

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDECIECAEC,客戶自定義等

(9) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫反偏試驗(yàn)(HTRB)

覆蓋產(chǎn)品MOSFETIGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

檢測(cè)能力∶溫度High150; 電壓High2000V

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

(10) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫工作壽命試驗(yàn)(HTOL)

覆蓋產(chǎn)品MOSFETIGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

檢測(cè)能力∶溫度High150℃,電壓High2000V

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDECIEC,AEC,客戶自定義等

(11) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(HTSL)

覆蓋產(chǎn)品MOSFET、IGBT、DIODE、BJTSCR、ICIGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

檢測(cè)能力∶溫度High150;

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

(12) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫高濕試驗(yàn)(THB)

覆蓋產(chǎn)品MOSFET、IGBT、DIODE、BJTSCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

檢測(cè)能力∶溫度High180℃ 濕度范圍∶10%~98%

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDECIEC,AEC,客戶自定義等

(13) 檢測(cè)項(xiàng)目:間歇壽命試驗(yàn)(IOL)功率循試驗(yàn)(PC)

覆蓋產(chǎn)品MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

檢測(cè)能力∶△Tj100℃ 電壓電流Max48V,10A

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDECIEC,AEC,客戶自定義等

(14) 檢測(cè)項(xiàng)目:高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HAST)

覆蓋產(chǎn)品MOSFET、DIODEBJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

檢測(cè)能力∶ 溫度130/110℃ 濕度85%

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

(15) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫蒸煮試驗(yàn)(PCT)

覆蓋產(chǎn)品MOSFET、DIODEBJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

檢測(cè)能力∶溫度121℃ 濕度1

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

(16) 檢測(cè)項(xiàng)目:潮氣敏感度等級(jí)試驗(yàn)(MSL)

覆蓋產(chǎn)品∶所有SMD類型器件

檢測(cè)能力∶設(shè)備滿足各個(gè)等級(jí)的試驗(yàn)要求

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IECAEC,客戶自定義等

(17) 檢測(cè)項(xiàng)目:可焊性試驗(yàn)(Solderability)

覆蓋產(chǎn)品MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCRIC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

檢測(cè)能力∶有鉛、無(wú)鉛均可進(jìn)行

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

 

五、其它測(cè)試·氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

圖片8.png

 

氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA:“華則檢測(cè)”專業(yè)的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)。具有CNASCMA認(rèn)證資質(zhì),擁有多個(gè)設(shè)備、專業(yè)人員、制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測(cè)實(shí)驗(yàn)單位”,對(duì)外提供檢測(cè)測(cè)試和驗(yàn)證等服務(wù)。

 

氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA華則檢測(cè)主要業(yè)務(wù)包含功率器件參數(shù)檢測(cè)、半導(dǎo)體可靠性檢測(cè)、半導(dǎo)體環(huán)境老化試驗(yàn)分析、應(yīng)用級(jí)系統(tǒng)分析、半導(dǎo)體失效分析、車用分立器件可靠性測(cè)試認(rèn)證、車用功率模塊可靠性測(cè)試認(rèn)證、力學(xué)實(shí)驗(yàn)、氣候環(huán)境實(shí)驗(yàn)等領(lǐng)域,


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