氮化鎵器件檢測(cè)試分析 ** 華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
“華則檢測(cè)”專業(yè)的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)
氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA:“華則檢測(cè)”專業(yè)的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)。具有CNAS和CMA認(rèn)證資質(zhì),擁有多個(gè)設(shè)備、專業(yè)人員、制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測(cè)實(shí)驗(yàn)單位”,對(duì)外提供檢測(cè)測(cè)試和驗(yàn)證等服務(wù)。
氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA:“華則檢測(cè)”主要業(yè)務(wù)包含功率器件參數(shù)檢測(cè)、半導(dǎo)體可靠性檢測(cè)、半導(dǎo)體環(huán)境老化試驗(yàn)分析、應(yīng)用級(jí)系統(tǒng)分析、半導(dǎo)體失效分析、車用分立器件可靠性測(cè)試認(rèn)證、車用功率模塊可靠性測(cè)試認(rèn)證、力學(xué)實(shí)驗(yàn)、氣候環(huán)境實(shí)驗(yàn)等領(lǐng)域,
氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
服務(wù)目錄
氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
一、失效分析測(cè)試·氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
(1) 檢測(cè)項(xiàng)目:開短路檢測(cè) 4
(2) 檢測(cè)項(xiàng)目:漏電檢測(cè) 4
(3) 檢測(cè)項(xiàng)目:產(chǎn)品外觀或形貌確認(rèn) 4
(4) 檢測(cè)項(xiàng)目:尺寸測(cè)量 4
(5) 檢測(cè)項(xiàng)目:超聲波檢測(cè)(SAT) 4
(6) 檢測(cè)項(xiàng)目:X-ray檢測(cè) 5
(7) 檢測(cè)項(xiàng)目:推拉力檢測(cè) 5
(8) 檢測(cè)項(xiàng)目:有害物質(zhì)檢測(cè) 5
(9) 檢測(cè)項(xiàng)目:剖面分析 5
(10) 檢測(cè)項(xiàng)目:樣品開封 5
二、電學(xué)檢測(cè) ·氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
(1) 檢測(cè)項(xiàng)目:直流參數(shù) 6
(2) 檢測(cè)項(xiàng)目:雪崩能量 6
(3) 檢測(cè)項(xiàng)目∶柵極電阻 6
(4) 檢測(cè)項(xiàng)目:開關(guān)時(shí)間(器件級(jí)) 6
(5) 檢測(cè)項(xiàng)目:開關(guān)時(shí)間(模塊級(jí)) 6
(6) 檢測(cè)項(xiàng)目:反向恢復(fù)(模塊級(jí)) 6
(7) 檢測(cè)項(xiàng)目:反向恢復(fù)(器件級(jí)) 6
(8) 檢測(cè)項(xiàng)目:柵極電荷(模塊級(jí)) 7
(9) 檢測(cè)項(xiàng)目:柵極電荷(器件級(jí)) 7
(10) 檢測(cè)項(xiàng)目:短路耐量能力(模塊級(jí)) 7
(11) 檢測(cè)項(xiàng)目:短路耐量能力(器件級(jí)) 7
(12) 檢測(cè)項(xiàng)目:結(jié)電容 7
(13) 檢測(cè)項(xiàng)目:熱阻性能(器件級(jí)) 7
(14) 檢測(cè)項(xiàng)目:熱阻性能(模塊級(jí)) 7
(15) 檢測(cè)項(xiàng)目:參數(shù)曲線掃描 8
(16) 檢測(cè)項(xiàng)目:ESD能力 8
(17) 檢測(cè)項(xiàng)目:正向浪涌能力 8
三、應(yīng)用系統(tǒng)檢測(cè) ·氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
(1) 檢測(cè)項(xiàng)目:電氣參數(shù) 9
(2) 檢測(cè)項(xiàng)目:保護(hù)功能測(cè)試 9
(3) 檢測(cè)項(xiàng)目:元器件應(yīng)力測(cè)試 9
(4) 檢測(cè)項(xiàng)目:電氣/抗電強(qiáng)度測(cè)試 9
(5) 檢測(cè)項(xiàng)目:絕緣電阻測(cè)試 10
(6) 檢測(cè)項(xiàng)目:接地電阻測(cè)試 10
(7) 檢測(cè)項(xiàng)目:低溫測(cè)試 10
(8) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫測(cè)試 10
(9) 檢測(cè)項(xiàng)目:高加速壽命/應(yīng)力測(cè)試 10
(10) 檢測(cè)項(xiàng)目:靜電放電抗擾度測(cè)試 10
(11) 檢測(cè)項(xiàng)目:雷擊浪涌抗擾度測(cè)試 10
(12) 檢測(cè)項(xiàng)目:電源端子騷擾電壓/傳導(dǎo)測(cè)試 11
四、可靠性測(cè)試 ·氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
(1) 檢測(cè)項(xiàng)目:功率循環(huán)齷 (PC) 12
(2) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫門極試驗(yàn)(HTGB) 12
(3) 檢測(cè)項(xiàng)目:低溫工作壽命試驗(yàn)(LTOL) 12
(4) 檢測(cè)項(xiàng)目:低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(LTSL) 12
(5) 檢測(cè)項(xiàng)目:高低溫循環(huán)試驗(yàn)(TC) 12
(6) 檢測(cè)項(xiàng)目:穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn)(SSOL) 12
(7) 檢測(cè)項(xiàng)目:無(wú)偏壓的高加速應(yīng)力試驗(yàn)(UHAST) 13
(8) 檢測(cè)項(xiàng)目:預(yù)處理試驗(yàn)(Pre-con) 13
(9) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫反偏試驗(yàn)(HTRB) 13
(10) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫工作壽命試驗(yàn)(HTOL) 13
(11) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(HTSL) 13
(12) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫高濕試驗(yàn)(THB) 13
(13) 檢測(cè)項(xiàng)目:間歇壽命試驗(yàn)(IOL)功率循試驗(yàn)(PC) 13
(14) 檢測(cè)項(xiàng)目:高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HAST) 14
(15) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫蒸煮試驗(yàn)(PCT) 14
(16) 檢測(cè)項(xiàng)目:潮氣敏感度等級(jí)試驗(yàn)(MSL) 14
(17) 檢測(cè)項(xiàng)目:可焊性試驗(yàn)(Solderability) 14
一、失效分析測(cè)試·氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
(1) 檢測(cè)項(xiàng)目:開短路檢測(cè)
? 覆蓋產(chǎn)品:IC
? 檢測(cè)能力:滿足128pin及以下引腳IC的open/short測(cè)試、曲線跟蹤分析、漏電流測(cè)試;Max電壓7V,電壓精度1mV,Max電流 500mA,電礪度 10nA;
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):客戶要求
(2) 檢測(cè)項(xiàng)目:漏電檢測(cè)
? 覆蓋產(chǎn)品:IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力:具有EMMI (微光)和TIVA (激光誘導(dǎo))兩種偵測(cè)方 式;加電方式A:電壓20mV-200V,電流10nA-1A,電流精度 10fA;加電方式B:Max電壓3000V,Max電流5A。
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):客戶要求
(3) 檢測(cè)項(xiàng)目:產(chǎn)品外觀或形貌確認(rèn)
? 覆蓋產(chǎn)品:IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力:立體成像/Max45倍;金相成像/Max1000倍;數(shù)碼成像/Max6000倍;
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):客戶要求
(4) 檢測(cè)項(xiàng)目:尺寸測(cè)量
? 覆蓋產(chǎn)品:IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力:立體成像/Max45倍;金相成像/Max1000倍;數(shù)碼成像/Max6000倍;
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):客戶要求
(5) 檢測(cè)項(xiàng)目:超聲波檢測(cè)(SAT)
? 覆蓋產(chǎn)品∶ IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力∶具有分層面積百分比計(jì)算,缺陷尺寸標(biāo)識(shí),厚度與距離測(cè)量等功能??蛇M(jìn)行A-scan(點(diǎn)掃描)、B-scan(縱向掃描)、 C-scan(橫向掃描)、Through-scan(透射掃描)。
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶GuoJun標(biāo)
(6) 檢測(cè)項(xiàng)目:X-ray檢測(cè)
? 覆蓋產(chǎn)品:IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力:High分辨率0.5um。具有空洞面積百分比計(jì)算,缺陷尺寸標(biāo)識(shí),厚度與距離測(cè)量等功能??蛇M(jìn)行二維掃描、三維CT掃描。
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GuoJun標(biāo)
(7) 檢測(cè)項(xiàng)目:推拉力檢測(cè)
? 覆蓋產(chǎn)品∶ IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力∶支持WP100和WP2.5KG二款拉力測(cè)試頭,測(cè)試范圍0- 2.5Kg;支持BS250、BS5KG和DS100KG三款推力測(cè)試頭,測(cè)試范圍0-100Kg,推刀接受面寬0-8891um。
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ GuoJun標(biāo)
(8) 檢測(cè)項(xiàng)目:有害物質(zhì)檢測(cè)
? 覆蓋產(chǎn)品∶IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力∶ 支持鉛(Pb)、鎘(Cd)、汞(Hg)、六價(jià)鉻(Cr6+)、多溴聯(lián)苯(PBB)和多溴二苯醚(PBDE),以及鹵素等其他化學(xué)元素的檢測(cè)。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/BrMini檢測(cè)限可達(dá)2ppm。
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ IEC
(9) 檢測(cè)項(xiàng)目:剖面分析
? 覆蓋產(chǎn)品:IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力:金相樣品制備、樣品觀察、樣品染色。
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):客戶要求
(10) 檢測(cè)項(xiàng)目:樣品開封
? 覆蓋產(chǎn)品:IC,分立器件,模塊等產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力:激光開封、化學(xué)開封、樣品剝層。
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):客戶要求
二、電學(xué)檢測(cè)·氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
(1) 檢測(cè)項(xiàng)目:直流參數(shù)
? 覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產(chǎn)品;
? 檢測(cè)能力:檢測(cè)Max電壓7500V檢測(cè)Max電流6000A
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC
(2) 檢測(cè)項(xiàng)目:雪崩能量
? 覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
? 檢測(cè)能力:檢測(cè)Max電壓2500V檢測(cè)Max電流200A
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):美軍標(biāo)
(3) 檢測(cè)項(xiàng)目∶柵極電阻
? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件
? 檢測(cè)能力∶檢測(cè)阻抗∶0.1Ω~50Ω
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶JEDEC
(4) 檢測(cè)項(xiàng)目:開關(guān)時(shí)間(器件級(jí))
? 覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體單管器件;
? 檢測(cè)能力:Max電壓1200V Max電流200A
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),IEC等
(5) 檢測(cè)項(xiàng)目:開關(guān)時(shí)間(模塊級(jí))
? 覆蓋產(chǎn)品:IGBT等模塊產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力:檢測(cè)Max電壓2700V檢測(cè)Max電流4000A
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC
(6) 檢測(cè)項(xiàng)目:反向恢復(fù)(模塊級(jí))
? 覆蓋產(chǎn)品:IGBT等模塊產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力:檢測(cè)Max電壓2700V檢測(cè)Max電流4000A
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC
(7) 檢測(cè)項(xiàng)目:反向恢復(fù)(器件級(jí))
? 覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
? 檢測(cè)能力:Max電壓1200V Max電流200A
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),IEC等
(8) 檢測(cè)項(xiàng)目:柵極電荷(模塊級(jí))
? 覆蓋產(chǎn)品:IGBT等模塊產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力:檢測(cè)Max電壓2700V檢測(cè)Max電流4000A
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC
(9) 檢測(cè)項(xiàng)目:柵極電荷(器件級(jí))
? 覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
? 檢測(cè)能力:Max電壓1200V Max電流200A
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),IEC等
(10) 檢測(cè)項(xiàng)目:短路耐量能力(模塊級(jí))
? 覆蓋產(chǎn)品:IGBT等模塊產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力:檢測(cè)Max電壓2700V,檢測(cè)Max電流10000A
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC
(11) 檢測(cè)項(xiàng)目:短路耐量能力(器件級(jí))
? 覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
? 檢測(cè)能力:檢測(cè)Max電壓1200V,檢測(cè)Max電流1000A;
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),IEC等
(12) 檢測(cè)項(xiàng)目:結(jié)電容
? 覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體單管器件
? 檢測(cè)能力:檢測(cè)Max電壓3000V
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):IEC
(13) 檢測(cè)項(xiàng)目:熱阻性能(器件級(jí))
? 覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導(dǎo)體單管器件
? 檢測(cè)能力:功率250W
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):美軍標(biāo),JEDEC
(14) 檢測(cè)項(xiàng)目:熱阻性能(模塊級(jí))
? 覆蓋產(chǎn)品:IGBT等模塊產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力:Max功率4000W
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):美軍標(biāo),JEDEC
(15) 檢測(cè)項(xiàng)目:參數(shù)曲線掃描
? 覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導(dǎo)體器件等單管器件的l-V、C-V曲線
? 檢測(cè)能力:檢測(cè)Max電壓3000V檢測(cè)Max電流1500A溫度-70°C~180°C
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):美軍標(biāo),IEC等
(16) 檢測(cè)項(xiàng)目:ESD能力
? 覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、IC等產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力:HBMMax電壓8000V;MMMax電壓800V
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):美軍標(biāo),ANSI,JEDEC等
(17) 檢測(cè)項(xiàng)目:正向浪涌能力
? 覆蓋產(chǎn)品:DIODE (Si/SiC)、整流橋;
? 檢測(cè)能力:Max電流800A
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):美軍標(biāo),國(guó)標(biāo)
三、應(yīng)用系統(tǒng)檢測(cè)·氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
(1) 檢測(cè)項(xiàng)目:電氣參數(shù)
? 覆蓋產(chǎn)品:開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機(jī)控制板。
? 檢測(cè)能力:低壓AC/DC電源:?jiǎn)蜗?/span>Max輸入電壓/功率為 300V/3KVA;Max輸出電壓/功率:80V/1000W;低壓DC/DC電 源:Max輸入電壓/功率為80V/1.2KW;Max輸出電壓/功率: 80V/1000W;直流充電樁電源模塊:三相Max輸入電壓/功率為 500V/30KVA;Max輸出電壓/功率:700V/30KW;電機(jī)控制板: 直流輸入電壓/功率100V/5KW
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等
(2) 檢測(cè)項(xiàng)目:保護(hù)功能測(cè)試
? 覆蓋產(chǎn)品:開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機(jī)控制板。
? 檢測(cè)能力:低壓AC/DC電源:?jiǎn)蜗?/span>Max輸入電壓/功率為 300V/3KVA;Max輸出電壓/功率:80V/1000W;低壓DC/DC電 源:Max輸入電壓/功率為80V/1.2KW;Max輸出電壓/功率: 80V/1000W;直流充電樁電源模塊:三相Max輸入電壓/功率為 500V/30KVA;Max輸出電壓/功率:700V/30KW;電機(jī)控制板: 直流輸入電壓/功率100V/5KW
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等
(3) 檢測(cè)項(xiàng)目:元器件應(yīng)力測(cè)試
? 覆蓋產(chǎn)品:開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機(jī)控制板、鋰電保護(hù)板。
? 檢測(cè)能力:Max峰值電壓:1.5KV;Max有效值/峰值電流:30A/50A;High溫度:260°C
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):元器件規(guī)格,客戶要求等
(4) 檢測(cè)項(xiàng)目:電氣/抗電強(qiáng)度測(cè)試
? 覆蓋產(chǎn)品:電子電氣產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力:交流耐壓范圍:(0~5)KV/40mA;直流耐壓范圍:(0~6)KV/9999uA
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等
(5) 檢測(cè)項(xiàng)目:絕緣電阻測(cè)試
? 覆蓋產(chǎn)品:電子電氣產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力:(100~1K)Vdc/9999mΩ
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等
(6) 檢測(cè)項(xiàng)目:接地電阻測(cè)試
? 覆蓋產(chǎn)品:電子電氣產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力:30A/600mΩ
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等
(7) 檢測(cè)項(xiàng)目:低溫測(cè)試
? 覆蓋產(chǎn)品:電子電氣產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力:Mini溫度:-70℃
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等
(8) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫測(cè)試
? 覆蓋產(chǎn)品:電子電氣產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力:High溫度:~180℃
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等
(9) 檢測(cè)項(xiàng)目:高加速壽命/應(yīng)力測(cè)試
? 覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力∶溫度范圍∶(-100~+200)℃℃;溫度上升速率∶平均(70°~100°)C/m; 加速∶(5-60)gRMS (空臺(tái))
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等
(10) 檢測(cè)項(xiàng)目:靜電放電抗擾度測(cè)試
? 覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力∶接觸靜電放電電壓范圍∶(±2~±8)KV空氣靜電放電電壓范圍∶(±2~±25)KV
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等
(11) 檢測(cè)項(xiàng)目:雷擊浪涌抗擾度測(cè)試
? 覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力∶1.2/50us綜合波的開路電壓范圍∶(0.25~10)KV; 10/700us通訊波的開路電壓范圍∶(0~6)KV;輸出阻抗∶ 1.2/50us綜合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通訊波15Ω和40Ω
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等;
(12) 檢測(cè)項(xiàng)目:電源端子騷擾電壓/傳導(dǎo)測(cè)試
? 覆蓋產(chǎn)品:電子電氣產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力:9KHz~ 30MHz
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):國(guó)標(biāo),IEC,客戶要求等
四、可靠性測(cè)試·氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
(1) 檢測(cè)項(xiàng)目:功率循環(huán)齷 (PC)
? 覆蓋產(chǎn)品∶IGBT模塊
? 檢測(cè)能力∶△Tj=100℃電壓電流Max1800A,12V
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ IEC 客戶自定義
(2) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫門極試驗(yàn)(HTGB)
? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、SiC MOS等單管器件
? 檢測(cè)能力∶溫度High150℃;電壓High2000V
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
(3) 檢測(cè)項(xiàng)目:低溫工作壽命試驗(yàn)(LTOL)
? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
? 檢測(cè)能力∶溫度Mini-80℃ 電壓High2000V
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
(4) 檢測(cè)項(xiàng)目:低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(LTSL)
? 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力∶溫度Mini-80℃
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ 美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
(5) 檢測(cè)項(xiàng)目:高低溫循環(huán)試驗(yàn)(TC)
? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力∶溫度范圍∶-80℃~220℃
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
(6) 檢測(cè)項(xiàng)目:穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn)(SSOL)
? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
? 檢測(cè)能力∶△Tj≥100℃,電壓電流Max48V,10A
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
(7) 檢測(cè)項(xiàng)目:無(wú)偏壓的高加速應(yīng)力試驗(yàn)(UHAST)
? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力∶溫度130℃ 濕度85%
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
(8) 檢測(cè)項(xiàng)目:預(yù)處理試驗(yàn)(Pre-con)
? 覆蓋產(chǎn)品∶所有SMD類型器件
? 檢測(cè)能力∶設(shè)備滿足各個(gè)等級(jí)的試驗(yàn)要求
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
(9) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫反偏試驗(yàn)(HTRB)
? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
? 檢測(cè)能力∶溫度High150℃; 電壓High2000V
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
(10) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫工作壽命試驗(yàn)(HTOL)
? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
? 檢測(cè)能力∶溫度High150℃,電壓High2000V
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
(11) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(HTSL)
? 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力∶溫度High150℃;
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
(12) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫高濕試驗(yàn)(THB)
? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力∶溫度High180℃ 濕度范圍∶10%~98%
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
(13) 檢測(cè)項(xiàng)目:間歇壽命試驗(yàn)(IOL)功率循試驗(yàn)(PC)
? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
? 檢測(cè)能力∶△Tj≥100℃ 電壓電流Max48V,10A
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
(14) 檢測(cè)項(xiàng)目:高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HAST)
? 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力∶ 溫度130℃/110℃ 濕度85%
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
(15) 檢測(cè)項(xiàng)目:高溫蒸煮試驗(yàn)(PCT)
? 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品
? 檢測(cè)能力∶溫度121℃ 濕度1
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
(16) 檢測(cè)項(xiàng)目:潮氣敏感度等級(jí)試驗(yàn)(MSL)
? 覆蓋產(chǎn)品∶所有SMD類型器件
? 檢測(cè)能力∶設(shè)備滿足各個(gè)等級(jí)的試驗(yàn)要求
? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
(17) 檢測(cè)項(xiàng)目:可焊性試驗(yàn)(Solderability)
? 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件
? 檢測(cè)能力∶有鉛、無(wú)鉛均可進(jìn)行
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
五、其它測(cè)試·氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA
氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA:“華則檢測(cè)”專業(yè)的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)。具有CNAS和CMA認(rèn)證資質(zhì),擁有多個(gè)設(shè)備、專業(yè)人員、制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測(cè)實(shí)驗(yàn)單位”,對(duì)外提供檢測(cè)測(cè)試和驗(yàn)證等服務(wù)。
氮化鎵器件檢測(cè)試分析_**_華則檢測(cè)第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA:“華則檢測(cè)”主要業(yè)務(wù)包含功率器件參數(shù)檢測(cè)、半導(dǎo)體可靠性檢測(cè)、半導(dǎo)體環(huán)境老化試驗(yàn)分析、應(yīng)用級(jí)系統(tǒng)分析、半導(dǎo)體失效分析、車用分立器件可靠性測(cè)試認(rèn)證、車用功率模塊可靠性測(cè)試認(rèn)證、力學(xué)實(shí)驗(yàn)、氣候環(huán)境實(shí)驗(yàn)等領(lǐng)域,