雙向霍爾開關CHE18-15N11-H710轉(zhuǎn)速傳感器用于主機尾軸的速度檢測，其輸出電壓能隨外加磁場強度的變化而連續(xù)變化，具有無觸點、無磨損、無火花、低功耗、壽命長、靈敏度高、工作頻率高的特點，它能在各種惡劣環(huán)境下可靠穩(wěn)定地工作?？捎糜诜墙佑|測距、無觸點電位器、無刷馬達、磁場測量的高斯計、磁力探傷等。
CHE18-15N11-H710雙向霍爾開關/接近傳感器電機測速轉(zhuǎn)速傳感器是由霍爾元件、放大器、溫度補償電路和穩(wěn)壓電路利用集成電路工藝技術制成的。它能感知一切與磁有關的物理量，又能輸出相關的電控信息，所以霍爾集成電路既是一種集成電路，又是一種磁敏傳感器。
產(chǎn)品特點：
1、 響應頻率高
2、重復定位精度高
3、 輸出波形純凈、性能穩(wěn)定
4、帶工作狀態(tài)指示
5、穩(wěn)定、可以在油污、粉塵、振動和溫差大的惡劣環(huán)境中可靠工作
6、 可以設置多重保護功能：反向極性保護，浪涌電壓保護和過熱保
7、 多種工作模式：常開、常閉、自鎖、NPN輸出
雙向霍爾開關CHE18-15N11-H710轉(zhuǎn)速傳感器四線NPN兩常開靈敏度高,低功耗,耐高壓耐高溫,可用于電機檢測廣泛應用于轉(zhuǎn)速檢測，速度檢測。
霍爾集成電路的原理
當將一塊通電的半導體薄片垂直置于磁場中時，薄片兩側(cè)由此會產(chǎn)生電位差，此現(xiàn)象稱為霍爾效應。此電位差稱為霍爾電勢，電勢的大小E=KIB/d，式中K是霍爾系數(shù)，d為薄片的厚度，I為電流，B為磁感應強度。圖1示出霍爾效應的原理：在三維空間內(nèi)，霍爾半導體平板在XOY平面內(nèi)，它與磁場方向垂直，磁場指向Y軸的方向，沿X軸方向通以電流I，由于運動的電荷與磁場的相互作用，結(jié)果在Z軸方向上產(chǎn)生了霍爾電勢E，一般其值可達幾十毫伏。為此，將霍爾元件與電子線路集成在一塊約2mm*2mm的硅基片上，就做成了溫度穩(wěn)定性好、可靠性高的霍爾集成電路。
二、典型霍爾集成電路結(jié)構分析
霍爾集成電路按輸出方式可分為線性型和開關型，若按集成電路內(nèi)部的有源器件可分為雙極型和MOS型。圖2、圖3分別示出了一種雙極型霍爾集成電路內(nèi)部的原理結(jié)構和邏輯結(jié)構，圖2為開關型的，圖3為線性型的。
在圖2中IC內(nèi)通過霍爾元件H的磁性檢測反映為高低電平的輸出。V1、V2組成差分放大器，它將霍爾電勢放大，其放大倍數(shù)約幾十倍；V3、V4組成施密特觸發(fā)器，它將放大的霍爾電勢整形為矩形脈沖；V5、V6進一步對矩形脈沖緩沖放大；V7、V8為開路集電極輸出管。圖2a中有兩個輸出端，這里之所以采用集電極開路輸出結(jié)構，是因為它可以有較大的負載能力，且易于與不同類型的電路接口，但亦有部分霍爾集成電路采用發(fā)射極開路輸出形式，如圖2b、2c所示。
圖3所示是線性霍爾集成電路的內(nèi)部結(jié)構，其輸出電壓能隨外加磁場強度的變化而連續(xù)變化，其輸出變化曲線一般如圖4所示。它的特點是靈敏度高，輸出動態(tài)范圍寬、線性度好。圖3a中V1、V2為差分放大器，R1、R2射極電阻的負反饋展寬了電路的線性范圍，V5、V6第二級差分放大使放大倍數(shù)很高。有的線性霍爾集成電路還設置了引出端外接電位器進行補償、調(diào)零或改變電路的靈敏度。
