Langer無源近場探頭組XF1（30MHz-6GHz）簡介:
包含4個(gè)無源磁場探頭和1無源電場探頭，所有探頭的頻率范圍為30MHz到6GHz，用于在研發(fā)階段測量磁場和電場。由于在探頭內(nèi)部配置了阻抗匹配器，該探頭組與其他探頭（如RF型探頭）相比，在低頻區(qū)較不敏感。
Langer無源近場探頭組
品牌：Langer EMV-Technik
型號(hào)：XF1
無源XF1近場探頭組（30MHz-6GHz）
無源XF（30MHz-6GHz）
XF系列探頭包含4個(gè)無源磁場探頭和3個(gè)無源電場探頭，用于在電子模塊研發(fā)階段進(jìn)行電場和磁場的測量，覆蓋頻率范圍為30MHz到6GHz。這種探頭內(nèi)置阻抗匹配器，因而與其他探頭（如RF型探頭）相比在低頻區(qū)域較不敏感。由于其頻率范圍寬并包含從很大到很小尺寸的各種探頭，因而有著廣泛的應(yīng)用。探頭的組合按照顧客的需求。
XF系列的探頭可以用于逐步查找模塊的干擾場源。我們建議，首先使用大型高靈敏探頭從遠(yuǎn)距離查找模塊的干擾放射源，然后再用更高分辨率的探頭進(jìn)一步精確定位干擾源。通過相應(yīng)地操作近場探頭，能夠測量出電磁場的方向及其分布。這種近場探頭小巧輕便，并采用外皮電流衰減。磁場探頭采用電屏蔽設(shè)計(jì)。
這種近場探頭可以接到頻譜分析儀或示波器的50Ω輸入端。這些近場探頭的內(nèi)部安裝有終端電阻。
Langer無源近場探頭組XF1（30MHz-6GHz）簡介:
包含4個(gè)無源磁場探頭和1無源電場探頭，所有探頭的頻率范圍為30MHz到6GHz，用于在研發(fā)階段測量磁場和電場。由于在探頭內(nèi)部配置了阻抗匹配器，該探頭組與其他探頭（如RF型探頭）相比，在低頻區(qū)較不敏感。
使用XF 1系列的探頭，可以逐步辨識(shí)電子模塊中的干擾磁場源。例如，首先用XF-R 400-1型探頭檢測電子模塊總體發(fā)射出的干擾場，然后再用高分辨率探頭更準(zhǔn)確地識(shí)別干擾源。電場探頭用于檢測電子模塊表面的干擾電場。
通過相應(yīng)地操作近場探頭，能夠測量出電磁場的方向及其分布。這種近場探頭小巧輕便，并采用外皮電流衰減。磁場探頭采用電屏蔽設(shè)計(jì)。這種近場探頭可以接到頻譜分析儀或示波器的50Ω輸入端。這些近場探頭的內(nèi)部安裝有終端電阻。
Langer XF1近場探頭組配置:
1x XF-R 400-1, 磁場探頭（30MHz-6Hz）
1x XF-R 3-1, 磁場探頭（30MHz-6GHz）
1x XF-B 3-1, 磁場探頭（30MHz-6Hz）
1x XF-E 10, 電場探頭（30MHz-6GHz）
1x XF-U 2.5-1, 磁場探頭（30MHz-6GHz）
1x SMA-SMA 1 m, SMA-SMA 測量電纜
1x XF 1 qg, XF1系列 快速指南
1x Case 5(24 x 19.5 x 6) cm
簡短的介紹
XF-R 400-1磁場探頭 因較大的直徑（25mm）而擁有很高的靈敏度，允許在10cm以內(nèi)的距離測量模塊和設(shè)備。
XF-R 3-1型近場探頭： 用于高分辨率直接檢測組件上，譬如IC的引腳或外殼、布線、旁路電容器和電磁兼容性（EMC）元件等區(qū)域的射頻磁場。
XF-B 3-1型磁場探頭的測量線圈相對(duì)垂直于探頭柄。當(dāng)探頭豎直放置到電路板上時(shí)，其測量線圈直接平放在電路板的表面上。由此就能夠測量到印刷電路板表面上很難達(dá)到的一些位置，如開關(guān)調(diào)節(jié)器的大元件之間的位置。
XF-E 10型電場探頭底面的電極僅有約0.2mm寬，用于定位最小的電場，例如0.1mm寬的導(dǎo)線、高針數(shù)集成電路的單個(gè)引腳等發(fā)射的電場。測試時(shí)將該電場探頭放置在受測物體上。
XF-U 2.5-1型磁場探頭是一個(gè)近場探頭，用于選擇性測量導(dǎo)線、SMD組件和IC引腳中的高頻電流。這個(gè)探頭有一個(gè)大約0.5mm寬的磁場敏感缺口，測量時(shí)將這個(gè)缺口放在布線、IC或者電容器的連接點(diǎn)上。
無源XF（30MHz-6GHz）其他近場探頭介紹：
XF-R 100-1型磁場探頭（30MHz-6GHz）用于測量模塊、設(shè)備或電纜，可以在距離被測物3cm以內(nèi)使用。利用該磁場探頭能夠識(shí)別較大組件是否為潛在的干擾源。這種磁場探頭呈現(xiàn)很高的帶寬和線性度。
XF-E 04s電場探頭（30MHz-6GHz）：這種近場探頭可以檢測受測對(duì)象（IC）耦合產(chǎn)生的電場。探頭的側(cè)面采用屏障設(shè)計(jì)，所以側(cè)面作用的電場不影響測量結(jié)果。這種近場探頭的靈敏度允許在0.5到10mm的距離檢測集成電路及其他電子模塊的電場。
XF-E 09s電場探頭（30MHz-6GHz）：這種近場探頭可以檢測受測對(duì)象（IC）耦合產(chǎn)生的電場。探頭的側(cè)面采用屏障設(shè)計(jì)，所以側(cè)面作用的電場不影響測量結(jié)果。這種近場探頭的靈敏度允許在0.5到10mm的距離檢測集成電路及其他電子模塊的電場。
