產(chǎn)品介紹 |
| 概述 1.1簡介 HSASS2系列通用射頻導(dǎo)納連續(xù)物位儀表，適用于大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)合的連續(xù)測(cè)量。廣泛用于工業(yè)和民用現(xiàn)場(chǎng)，無論室內(nèi)和戶外，本儀表相對(duì)其他形式儀表，對(duì)現(xiàn)場(chǎng)安裝條件均無特別要求。儀表由一個(gè)電路單元，一套防爆外殼和桿式或纜式傳感器組成，傳感器可選多種材質(zhì)，可整體或分體式安裝。 1.2原理 射頻導(dǎo)納物位控制技術(shù)是一種從電容式物位控制技術(shù)發(fā)展起來的，防掛料性能更好，工作更可靠，測(cè)量更準(zhǔn)確，適用性更廣的物位控制技術(shù)，“射頻導(dǎo)納”中“導(dǎo)納”的含義為電學(xué)中阻抗的倒數(shù)，它由阻抗成份，容性成份，感性成份綜合而成，而“射頻”即高頻，以射頻導(dǎo)納技術(shù)可以理解為用高頻電流測(cè)量導(dǎo)納的方法。高頻正鉉振蕩器輸出一個(gè)穩(wěn)定的測(cè)量信號(hào)源，利用電橋原理，以測(cè)量安裝在待測(cè)量容器中的傳感器上的導(dǎo)納，在直接作用模式下，儀表的輸出隨物位的升高而增加。 射頻導(dǎo)納技術(shù)與傳統(tǒng)電容技術(shù)的區(qū)別在于測(cè)量參量的多樣性，三端驅(qū)動(dòng)屏蔽技術(shù)和增加的兩個(gè)重要電路，這些是根據(jù)在實(shí)踐中的寶貴經(jīng)驗(yàn)改進(jìn)而成的。上述技術(shù)不但解決了連接電纜屏蔽和溫漂問題，也解決了垂直安裝的傳感器根部掛料問題。增加的兩個(gè)電路是高精度振蕩驅(qū)動(dòng)器和交流鑒相采樣器。 對(duì)一個(gè)強(qiáng)導(dǎo)電性物料的容器，由于物料是導(dǎo)電的，接地點(diǎn)可以被認(rèn)為在傳感器絕緣層的表面，對(duì)儀表傳感器來說僅表現(xiàn)為一個(gè)電容和電阻組成的復(fù)阻抗，從而引起兩個(gè)問題。 個(gè)問題是物料本身對(duì)傳感器相當(dāng)于一個(gè)電容，它不消耗變送器的能量，（純電容不耗能），但掛料對(duì)傳感器等效電路中含有電阻，則掛料的阻抗會(huì)消耗能量，從而將振蕩器電壓拉下來，導(dǎo)致橋路輸出改變，產(chǎn)生測(cè)量誤差。我們?cè)谡袷幤髋c電橋之間增加了一個(gè)驅(qū)動(dòng)器，使消耗的能量得到補(bǔ)充因而會(huì)穩(wěn)定加在傳感器的振蕩電壓。 第二個(gè)問題是對(duì)于導(dǎo)電物料，傳感器絕緣層表面的接地點(diǎn)覆蓋了整個(gè)物料及掛料區(qū)，使有效測(cè)量電容擴(kuò)展到掛料的頂端，這樣便產(chǎn)生掛料誤差，且導(dǎo)電性越強(qiáng)誤差越大。 但任何物料都不是導(dǎo)電的。從電學(xué)角度來看，掛料層相當(dāng)于一個(gè)電阻，傳感器被掛料覆蓋的部分相當(dāng)于一條由無數(shù)個(gè)無窮小的電容和電阻元件組成的傳輸線。根據(jù)數(shù)學(xué)理論，如果掛料足夠長，則掛料的電容和電阻部分的阻抗和容抗數(shù)值相等，因此用交流鑒相采樣器可以分別測(cè)量電容和電阻。測(cè)量的電容相當(dāng)于C + C在減去與C相等的電阻R，就可以獲得物位真實(shí)值，從而排除掛料的影響。 即C測(cè)量=C物位+C掛料 C物位=C測(cè)量-C掛料 =C測(cè)量-R 這些多參量的測(cè)量，是測(cè)量的基礎(chǔ)，交流鑒相采樣器是實(shí)現(xiàn)的手段。由于使用了上述三項(xiàng)技術(shù)，使得射頻導(dǎo)納技術(shù)在現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用中展現(xiàn)出非凡的生命力。 性能指標(biāo) 2.1系統(tǒng)性能指標(biāo)
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