專門為電子束敏感樣品和需**300萬倍穩(wěn)定觀察的*半導體器件,高分辨成像所設計。
新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。
采用全新設計的Super E x B能量過濾技術,高效,靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。
采用全新設計的Super E x B能量過濾技術,高效,靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。